功率更大、尺寸更小和溫度更低的負(fù)載點(diǎn) DC/DC 調(diào)節(jié) 具備集成式散熱器的創(chuàng)新性 SoC 封裝

LTM4620 獨(dú)特的封裝設(shè)計(jì)

圖 3 顯示了一個(gè)尚未模制的 LTM4620 之染色側(cè)視圖和頂視圖。封裝設(shè)計(jì)由熱傳導(dǎo)性很高的 BT 襯底和足夠的銅箔層組成，以提高電流承載能力并實(shí)現(xiàn)至系統(tǒng)電路板的低熱阻。一種專有引線框架功率 MOSFET 棧用來提供高功率密度、低互連電阻、以及給器件的頂部和底部提供很高的熱傳導(dǎo)性。專有散熱器設(shè)計(jì)連接到功率 MOSFET 棧和功率電感器上，以提供有效的頂部散熱?？梢栽陧敳康穆懵督饘倜嫔霞由弦粋€(gè)外部散熱器，以利用空氣流動(dòng)去除熱量。由于該專有散熱器的構(gòu)造和模制封裝，僅有氣流而沒有散熱器就可去除頂部的熱量。

圖 3：LTM4620 的染色側(cè)視圖和尚未模制的 LTM4620

圖 4 顯示了 LTM4620 的熱像以及在 26A 設(shè)計(jì)時(shí) 12V 至 1V 的降額曲線。當(dāng)具有 200LFM 氣流時(shí)，溫升僅為 35°C (在環(huán)境溫度以上)，而且降額曲線顯示：一直到大約 80°C 時(shí)最大負(fù)載電流都無需降額。圖 4 顯示了熱量數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)顯示了耐熱增強(qiáng)型高密度電源穩(wěn)壓器解決方案的真正優(yōu)點(diǎn)。獨(dú)特的封裝設(shè)計(jì)在小尺寸中盡可能減少功率損耗，并有效地去除了作為功率損耗函數(shù)的熱量。

圖 4：LTM4620 熱像及減額曲線

LTM4620 的電氣性能

圖 5：LTM4620、兩相 1.5V/26A 并聯(lián)輸出