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四代線性高壓LED驅動方案及其發(fā)展趨勢

作者: 時間:2013-03-26 來源:網(wǎng)絡 收藏

一. 高壓LED

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/175445.htm

“高壓LED”,一種是LED生產(chǎn)廠家提供串聯(lián)好的小功率LED,如圖1左圖所示,它只是集成LED的一種,而右圖所示的集成LED和前者的主要區(qū)別是,前者是全部串聯(lián),后者是串并聯(lián)。集成LED的特點是在大晶片上采用開槽的方法,將其切割成若干小LED,然后用絕緣層把這些溝槽填平,按照串并聯(lián)要求鋪設連接各個LED的導線。

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圖1 高壓LED

無論哪種“高壓LED”,本文所討論的線性高壓LED驅動方案,是較小電流(理論小于100mA),較高電壓的LED驅動方案。

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圖 2 LED 負載特性

LED 的負載特性如圖2 所示,根據(jù)LED 的負載特性,需要有一種可控恒流源來控制。經(jīng)過整流的工頻交流電電壓,如果將此電壓直接加到輸出LED 上面,這樣的問題是無法實現(xiàn)恒流,即整個工頻周期內(nèi)通過LED 電流不恒定。一. 無法實現(xiàn)亮度的控制。二. LED 燈珠壽命大大縮短。

而高頻開關電源,做 CC(恒流)控制是一種常見的辦法。但性能提高的同時,成本大大提高。

在 LED 燈珠負載里串接有源或無源器件,使線路產(chǎn)生“恒流-變壓”效果,這樣在LED負載通過的就是恒定電流,而外接線路承受了變化的電壓。這就是類似LDO(Low Dropout Regulator 低壓差線性穩(wěn)壓器)的工作原理。下面詳細介紹這種實現(xiàn)恒流的驅動方式及其發(fā)展趨勢。

相比與高頻開關電源,線性高壓方案的優(yōu)點主要有:一.省去了輸入電解電容、輸出電容,是一種無電解電容的線路。電解電容壽命是電源壽命的瓶頸,省去了電解電容,驅動電源壽命就延長了。二. 電路工作在工頻線性模式,不是工作在高頻模式,省去了高頻電感,同時沒有EMI的問題,省去了EMC電路。三,省去了高頻電感等外圍元件,進一步降低成本。

二. 四代HV LED 驅動方法

線性高壓 LED 驅動方案發(fā)展到今天,已經(jīng)經(jīng)歷了四代。

2.1 第一代阻容控制方法

阻容降壓工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流,電容降壓實際上是利用容抗限流,而電容器實際上起到一個限制電流和動態(tài)分配電容器和負載兩端電壓的角色。如圖3所示,由于整流管的導通電阻只有幾歐姆,穩(wěn)壓管VS的動態(tài)電阻為10歐姆左右,限流電阻R1及負載電阻RL一般為100~200,而濾波電容一般為100uF~1000uF,其容抗非常小,可以忽略。若用R代表除C1以外所有元器件的等效電阻,可以畫出圖3下圖的交流等效電路。同時滿足了Xc1>R的條件,所以可以畫出電壓向量由于R甚小于Xc1,R上的壓降VR也遠小于C1上的壓降,所以VC1與電源電壓V近似相等,即Vc1=V。根據(jù)電工原理可知:串聯(lián)電容的容抗為,以1uF、50Hz交流電為例,其容抗Xc=3185歐姆,整流后的直流電流平均值Id,與交流電平均值I的關系為Id=V/Zc。

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圖3 阻容降壓驅動高壓LED示意

阻容降壓線路極簡,主要優(yōu)點是低成本。缺點如下:1. 恒流不準,輸入電壓波動時,電流隨之波動。2. PF值低,從輸入端看,負載呈容性。 3. 電容耐受高壓,選型較困難,壽命較短。

2.2 第二代單開關線性控制方法

恒流二級管(CRD, Current Regulative Diode)、恒流三極管(CCT, Constant Current Transistor)以及MOSFET(壓控恒流源),按照控制方式來說,也是單開關控制方法。恒流二極管不同于普通的二極管,它的的負載曲線有一段較長的“恒流-變壓”區(qū),類似三極管的可變電阻區(qū),如圖4所示:

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圖4 恒流二極管I-V曲線

恒流三極管比恒流二極管多一個控制管腳,特點是輸出的恒流可以利用調(diào)整端加外部元器件進行調(diào)整,較適合做LED調(diào)光電路。另外一個特點是,若不使用調(diào)整電流時,它和CRD的性能及使用完全相同,工作曲線如下:

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圖5 恒流三極管I-V曲線

MOSFET和恒流三極管的區(qū)別是:前者是壓控電流源,后者是電流控制電流源。

LED燈珠負載中串接單個MOSFET,其工作在可變電阻區(qū),檢測輸入交流電壓幅值,按比例控制MOSFET門極,從而控制MOSFET漏極到源極壓降,這樣使多個串聯(lián)LED燈珠的壓降保持恒定,就保證了在一個半波導通的周期內(nèi)LED的恒流。比較典型的是占空比半導體公司的高壓工藝芯片DU1501,單芯片內(nèi)集成控制器和高壓MOSFET,是第二代單開關控制的經(jīng)典簡化方案。


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