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適用于便攜式數(shù)字終端的電源轉(zhuǎn)換器

作者: 時間:2013-03-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引言:近年來,手機(jī)和,數(shù)碼相機(jī)和多媒體個人播放器(PMP)等便攜式終端產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)持續(xù)持續(xù)升溫,,同時應(yīng)對消費(fèi)者需求的新功能也層出不窮,功能的增多勢必導(dǎo)致系統(tǒng)耗電量的提升,為了滿足更低功耗、更小尺寸的要求,電源管理IC的選擇在便攜產(chǎn)品設(shè)計中成為至關(guān)重要的因素。據(jù)Databeans預(yù)測電源管理芯片已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體市場的亮點(diǎn)如圖1。特別是手機(jī)為首的手持終端設(shè)備趨向于低電壓化,波紋噪聲等的處理和輸出電壓精度的要求越來越高,這也成為困擾整機(jī)設(shè)計師和電源IC設(shè)計師們的重要課題。富士通常年以來致力于電源IC的研發(fā),已經(jīng)成功推出了數(shù)百款的電源IC產(chǎn)品。在日本的DC/DC市場份額名列前茅。多年來在全球被許多頂級的廠商大量采用。特別是,富士通在面向便攜式產(chǎn)品的電源管理IC的開發(fā)擁有豐富的經(jīng)驗,常年為日本國內(nèi)各大頂級數(shù)碼相機(jī),數(shù)碼攝像機(jī)以及手機(jī)廠商提供高品質(zhì)的電源管理芯片。為了滿足便攜式終端對電源的最新需求,位與日本的富士通專業(yè)電源研發(fā)中心 推出了面向便攜式產(chǎn)品的“MB39C014”(單通道,內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器)和MB39C015(雙通道,內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器)這兩款的產(chǎn)品。MB39C014和MB39C015為內(nèi)置MOS管,每個通道最大輸出電流高達(dá)800mA, 擁有低噪聲,高啟動響應(yīng),電源啟動順序控制等特點(diǎn),特別適合PMP,PND,數(shù)碼相機(jī),手機(jī),硬盤,DVD驅(qū)動器,EVD驅(qū)動器等產(chǎn)品

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/175498.htm
全球電源管理市場持續(xù)升溫(圖1)
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富士通MB39C014(單通道)和MB39C015(雙通道)的工作頻率設(shè)定在固定的2MHz(MB39C014亦可設(shè)定3.2MHz),通過同步整流方式,不但轉(zhuǎn)換效率高,也由于搭載了高性能內(nèi)置MOS管,非常有效的降低了波紋噪音和開關(guān)噪音的影響。并且由于內(nèi)置了電壓監(jiān)測電路,可選擇監(jiān)測電源電壓或者輸出端電壓。電流控制模式與電壓控制模式相比,電流控制模式在負(fù)載變化時的瞬態(tài)響應(yīng)性能非常優(yōu)秀。而且相位補(bǔ)償時也無需外置任何電阻或電容,大大減少了IC周圍零部件數(shù)量,幫助設(shè)計人員減少設(shè)計工序,有效的降低BOM成本。而且由于采用了電流控制模式,持續(xù)監(jiān)測電流狀況,無需再內(nèi)置軟啟動和短路保護(hù)等功能。通過控制DAC可以對輸出電壓進(jìn)行設(shè)定,也可通過電阻分壓來調(diào)節(jié)內(nèi)部電壓以達(dá)到設(shè)定數(shù)出電壓的目的。另外MB39C015還內(nèi)置了溫度保護(hù)功能,UVLO等保護(hù)功能。非常特別適合數(shù)碼相機(jī),手機(jī),硬盤,PMP,PND,DVD驅(qū)動器,EVD驅(qū)動器等產(chǎn)品.

MB39C015MB39C014
通 道 數(shù)
2通道1通道
高轉(zhuǎn)換效率96%(最大)
輸出電流Q800mA QFN-24*每個通道的輸出電流在容許值范圍內(nèi)可任意設(shè)定( 另有BCC-20,SSOP-20可選擇)Q800mA SON-10(另有BCC-10可選擇)
輸入電壓范圍2.5V to5.5V
輸出電壓范圍0.45V to 3.9V0.45 to 3.6V
工 作 頻 率2MHz(標(biāo)準(zhǔn))2MHz/3.2Hz
待機(jī)模式時電流低于1μA
內(nèi)置溫度保護(hù)功能UVLO,過熱保護(hù)
SSOP-20,BCC-20, QFN-24BCC-10,SON-10
1.功能說明 本產(chǎn)品主要由7大主要功能單元組成 

邏輯控制單元 PWM

工作時,內(nèi)置振動發(fā)生器(方形波發(fā)生電路)產(chǎn)生2MHz的工作頻率,通過讓內(nèi)置的Pch/Nch MOSFET進(jìn)行同步整流來進(jìn)行控制。該單元考慮了同步整流所導(dǎo)致的貫穿電流的可能性,并對此作了防護(hù)措施。

合成單元 Iout

檢測內(nèi)置的Pch MOS FET流入外部電感的電流(ILX)。將ILX的峰值電流IPK進(jìn)行I-V轉(zhuǎn)換,將轉(zhuǎn)換后的VIDET和誤差放大器的輸出值進(jìn)行比較,使PWM邏輯控制單元控制Pch MOS FET “OFF”。

相位補(bǔ)償單元 Error Amp

將VREF等的標(biāo)準(zhǔn)電壓和輸出電壓進(jìn)行比較。MB39C015內(nèi)置了相位補(bǔ)償電路,已將IC調(diào)整到最佳工作狀態(tài)。因此,完全不需要考慮相位補(bǔ)償和為相位補(bǔ)償外置器件等問題。

單元 VREF

高精度的標(biāo)準(zhǔn)電壓產(chǎn)生BGR(Band Gap Reference)電路。輸出電壓為1.30V(標(biāo)準(zhǔn))。

單元 VDET

用來監(jiān)測VDD端口。通常XPOR端口通過外置電阻作為VDD端口的pull-up來使用,當(dāng)VDET端口的電壓達(dá)到0.6V的時候輸出狀態(tài)為“H”。

UVLO

防止低電源電壓狀態(tài)時誤工作的單元。低電源電壓時輸出狀態(tài)為“Hi-Z”

保護(hù)電路單元

內(nèi)置過熱保護(hù)電路單元。當(dāng)芯片溫度達(dá)到或超過135度時候,自動將SW FET的Nch和Pch同時設(shè)定為“OFF”。雖然沒有特地設(shè)置專用的過電流保護(hù)單元,但由于該芯片采用的是電流控制模式,隨時監(jiān)測峰值電流,進(jìn)而進(jìn)行控制。


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