LDO 噪聲詳解
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在大多數(shù)情況下，由于參考電壓模塊即能帶隙電路由許多電阻器、晶體管和電容器組成，因此 VN(REF) 往往會大于該方程式中最后三個(gè)噪聲源，其中 VN(REF) >> VN(R1) 或者 VN(REF) >> VN(R2)。因此，方程式 4 可以簡化為：
就高性能 LDO 器件而言，常見的方法是添加一個(gè)降噪 (NR) 引腳，以消除參考噪聲。圖5描述了NR引腳如何降低噪聲。由于VN(REF)為主要輸出噪聲源，因此我們在參考電壓模塊(VREF)和誤差放大器之間插入一個(gè)RC濾波電容器CNR，旨在減少這種噪聲。RC 濾波器減少噪聲的程度由一個(gè)衰減函數(shù)決定：
其中
圖 5 參考噪聲濾波器 LDO 拓?fù)?p style="text-align: center">
圖 6 RMS 噪聲與輸出電壓的關(guān)系
因此，放大參考噪聲被降至(1 + R1/R2) × VN(REF) × GRC，則方程式5變?yōu)椋?p style="text-align: center">
在現(xiàn)實(shí)世界中，所有控制信號電平均依賴于頻率，包括噪聲信號在內(nèi)。如果誤差放大器帶寬有限，則高頻參考噪聲 (VN(REF)) 通過誤差放大器濾波，其方式與使用 RC 濾波器類似。但在實(shí)際情況下，誤差放大器往往具有非常寬的帶寬，因此 LDO 器件擁有非常好的電源紋波抑制 (PSRR) 性能，其為高性能 LDO 的另一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)。為了滿足這種矛盾的要求，IC 廠商選擇使用寬帶寬誤差放大器，以實(shí)現(xiàn)最佳低噪聲 PSRR。如果低噪聲也為強(qiáng)制要求，則這樣做會帶來 NR 引腳功能的使用。
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