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同步Buck新型高頻正弦波諧振驅動電路的研究

作者: 時間:2012-12-14 來源:網絡 收藏

3 雙管正弦波諧振
在圖1所示的同步Buck電路中有兩個開關管需要驅動,存在高邊驅動問題,因此在圖3所示電路基礎上,提出了一種適用于同步Buck拓撲的雙管正弦波諧振,其結構如圖4所示。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/175972.htm

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該雙管正弦波諧振由高頻方波發(fā)生器、驅動級和諧振網絡三部分組成。
所提出的驅動電路使MOSFET的開關頻率為6 MHz,高頻方波發(fā)生器采用結構簡單起振容易的環(huán)型振蕩器。圖中,YF1,YF2和YF3為3個反相器,通過調節(jié)電阻W可調節(jié)輸出方波的頻率。
方波發(fā)生器的輸出端需要一個圖騰柱結構的輸出端來驅動后面的諧振網絡,此處采用多個CMOS反相器并聯來增強驅動級輸出端的驅動能力。因為CMOS反相器本身就是一個圖騰柱的結構,且多個反相器并聯能降低驅動電路的Ri,從而降低了。
由于選擇的拓撲是Buck電路,該拓撲中兩個開關管的驅動信號是互補的,因此通過兩個互補的變壓器來實現對高邊開關管的驅動。圖4中,在MOSFET的寄生電容前面并聯了一個外接電容Cext,該電容可降低寄生電容的非線性,同時降低米勒效應的影響。圖4中VQ1和VQ2的驅動電路是完全對稱的,因此只要對其中一個開關管的諧振網絡進行設計就可以了。

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圖5a為單開關管的基波等效電路,e為驅動級輸出方波的基波,L1p,L1s和Lm分別為隔離變壓器的初級漏感、次級漏感和勵磁電感,Lg和Ls為MOSFET的寄生電感。此處期望將該電路等效成一個LLC諧振電路,因為LLC諧振拓撲相對于其他諧振拓撲而言,可利用較小的驅動方波得到較高的驅動正弦波。由于變壓器的漏感MOSFET的寄生參數都很小,因此可外接一個電感Lad,將該電路等效成一個LLC電路,如圖5b所示。令L1=L1p+Lad,L2=Lm,Ct=Ciss+Cext,可得到LLC電路的兩個諧振頻率分別為:
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式中:L=L1L2/(L1+L2)。
工作在ωn2附近時,該拓撲的電流ir/i=L1/L2,因此理想的工作條件是L1>L2,這樣可利用較小的驅動方波得到較高的驅動正弦波,以降低驅動電路的損耗。



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