利用擴(kuò)頻轉(zhuǎn)換技術(shù)改善開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中的EMI

　電源中的EMI

　　高頻開關(guān)式脈沖寬度調(diào)制(PWM)AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換器因其效率高、體積小，現(xiàn)已成為大部分系統(tǒng)的首選電源?？墒?，這類轉(zhuǎn)換器也有一個不足之處：它會在開關(guān)頻率和諧振頻率下產(chǎn)生傳導(dǎo)性和輻射性的電磁干擾(EMI)。假如不濾除EMI電流和電壓，那它們便會損害到轉(zhuǎn)換器的電源并干擾使用同一個電源的其他設(shè)備。輻射性EMI會影響和干擾正在附近工作的設(shè)備。很多時候，EMI的影響導(dǎo)致轉(zhuǎn)換器違反FCC和CISPR等訂立的規(guī)范。本文將探討目前常用的減弱EMI的解決方案，然后介紹應(yīng)用日趨增長的擴(kuò)頻技術(shù)。

　　固定頻率開關(guān)和EMI

　　在大多數(shù)的設(shè)計中，PWM轉(zhuǎn)換器在一固定的頻率下進(jìn)行開關(guān)。這么設(shè)計有若干優(yōu)點，其中一個優(yōu)點就是傳導(dǎo)性EMI衰減輸入濾波器的設(shè)計比起可變頻率系統(tǒng)的衰減輸入濾波器的設(shè)計要更容易些。因為濾波器組件無論在任何的操作條件下都可在清晰定義的頻率下處理電流。

　　然而，轉(zhuǎn)換器的輸入電流仍然可使它違反傳導(dǎo)性EMI的限制。要清楚理解這個問題，請考慮圖1中的典型DC/DC反激轉(zhuǎn)換器。假設(shè)連續(xù)的傳播都不會減低其一般性，那MOSFET電流便呈現(xiàn)梯形狀，這是由于有傅里葉在開關(guān)頻率和其諧波處滲入到了成份內(nèi)。這些傅里葉成份如果流入轉(zhuǎn)換器的電源便會超出業(yè)界規(guī)范的限制。

　　此外，由于電壓和電流波形在開關(guān)頻率下的邊緣很尖銳，因此電源將會在開關(guān)頻率fs和其諧波時放射出電磁能量。這些輻射性放射(即使是從一個低瓦電源放射出來)可損害包含有靈敏電路的小型電子系統(tǒng)，使在附近的電路發(fā)生故障。

　　減弱EMI的幾種常規(guī)技術(shù)

　　這里有幾種方法可減弱EMI的影響。

　　對于傳導(dǎo)性EMI來說，開關(guān)電流必須經(jīng)輸入電容和輸入EMI濾波器進(jìn)行低通濾波，使它們可在到達(dá)電源時被大幅衰減?？墒牵@種過濾并不徹底，而且經(jīng)常會遺留一定程度的開關(guān)電流使得系統(tǒng)不能通過傳導(dǎo)性的EMI測試。

　　使用在MOSFET和二極管電源開關(guān)中的輻射性EMI緩沖器可以減慢開關(guān)波形的上升和下降時間，并整形諧波電流和電壓的頻譜，以使系統(tǒng)更易符合規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。另一方面，緩沖器會消耗一些能量，使得輻射性放射出來的能量減少，降低電源的效率。

　　另一種減弱EMI的方法是將電源放置在一個金屬箱內(nèi)以封鎖輻射性噪聲，或可以將受影響的設(shè)備密封或與產(chǎn)生噪聲的電源隔離。這兩個方案可以相互替代，也可以一起配合使用。輻射性EMI也可通過改善電源的布局來降低。這些技術(shù)的操作原理已在圖2中說明，當(dāng)中采用了輸入濾波器、緩沖器和金屬箱。其中C1、L1和C3組成了一個輸入濾波器，而D3和D4則組成一個箝位電路以減輕因變壓器泄漏電感而造成的電壓尖峰。分別由R2和C4以及R3和C5組成的緩沖器則分別減慢MOSFET漏源電壓的振鈴和輸出整流器電壓的振鈴。

　　上述方法都旨在減少所產(chǎn)生出來的整體EMI能量。但是除了最后一種方法外，大多數(shù)方法都會使電源供應(yīng)器的尺寸加大，成本更高和復(fù)雜性更大，效率也會降低，甚至得不償失。