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采用平面型變壓器抑制高頻變壓器中的漏感和溫升

作者: 時(shí)間:2012-09-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:本文簡要分析了中的漏感和中的作用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/176304.htm

敘詞: 變壓器 漏感 電源

Abstract:The function of planar power transformer in the suppression of leakage inductance and temperature rise of high frequency transformer is presented in this paper briefly.

Keyword:planar power transformer high frequency transformer leakage inductance temperature rise

1.引言

漏感和變壓器設(shè)計(jì)中兩個(gè)非常重要的問題。漏感過高將使開關(guān)管的應(yīng)力增大,并且對占空比也會產(chǎn)生不良影響。而過度的溫升不但會加劇磁芯損耗,而且將限制開關(guān)變換器開關(guān)頻率的進(jìn)一步提高。型變壓器可以有效高頻變壓器中的漏感和溫升。

2.漏感

2.1 漏感及其

儲存在電感中的能量可以用下式表示:

由于電感中的能量不能突變,因此當(dāng)功率變壓器中的電流換向時(shí),將在電感中產(chǎn)生反向感應(yīng)電勢。儲存在漏感中的能量將會引發(fā)功率開關(guān)管的過度瞬變,這將加重吸收電路的負(fù)擔(dān)。而開關(guān)管和吸

收電路上的過度損耗將導(dǎo)致變換器功率下降,并將造成溫升的急劇升高。在某些情況下,還將引發(fā)其他問題,比如驅(qū)動問題。

電感中電流恢復(fù)時(shí)間也稱為死區(qū)時(shí)間,死區(qū)時(shí)間的長短影響到最大占空比。輸出濾波電感中的電流將持續(xù)跌落,直到次級繞組電流完全恢復(fù)后才能重新建立并實(shí)現(xiàn)換向。如果漏感過大,這一瞬態(tài)過程的時(shí)間將相對延長。

漏感的大小與漏磁通有關(guān),并與繞組匝數(shù)的平方成正比。提高繞組的耦合程度或減少繞組匝數(shù)都可以使漏感下降,其中繞組匝數(shù)對漏感大小的影響非常顯著。例如4匝繞組產(chǎn)生的漏感只有6匝繞組的六分之一。對于傳統(tǒng)變壓器,由于繞組匝數(shù)不可能無限制的減少,因此單純依靠減少繞組匝數(shù)的來降低漏感的方法是不現(xiàn)實(shí)的。雖然增強(qiáng)變壓器繞組間的耦合度也可以降低漏感,但又不得不面對繞組間的絕緣問題。折衷的方法是繞組交錯(cuò)繞制的方法,但是這樣做將增加繞組間的寄生電容,而且繞組間的絕緣程度也相對下降,因此這也不是一個(gè)十分有效的方法。

2.2 平面型變壓器的漏感

平面型變壓器的匝比由初級匝數(shù)和組件數(shù)量共同決定。組件數(shù)量多造成的漏感量也較大,但是由于漏感的大小與繞組匝數(shù)的平方成正比,因此控制組件的數(shù)量對漏感的影響就非常顯著了。例如,一個(gè)由四個(gè)組件構(gòu)成的4匝平面型變壓器的漏感僅為16匝傳統(tǒng)變壓器的50%,而其電流容量卻高出了3倍。

平面型變壓器中不存在氣隙,有效去除了磁芯邊緣磁通和雜散磁通的影響。其次級繞組由金屬薄片組成,并固定在磁芯內(nèi)側(cè)。因此次級繞組緊密環(huán)繞在初級繞組四周,幾乎不會產(chǎn)生漏磁。測量變壓器漏感的方法有多種,最常用的方法是在次級繞組短接的條件下測量初級繞組的電感量。但是在功率變換電路中,漏感的大小可以通過di/dt來估算。如果電壓已知,那么漏感的大小可以通過下式計(jì)算得到:

這種方法估算出來的電感量偏大,這主要是由變壓器的外接電路造成的,尤其是次級整流電路的影響。

由于平面型變壓器的漏感非常小,因此整個(gè)電路的漏感將主要由外接繞組決定。因此對外接繞組和外接電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)是非常重要的。平面型變壓器對高頻特性進(jìn)行了優(yōu)化,所有的關(guān)鍵電路都包含在組件中,極大的降低了設(shè)計(jì)難度。為了最大限度的減小漏感,平面型變壓器須直接與TO-247封裝的整流二極管相連,否則將導(dǎo)致故障的發(fā)生。

3.溫升

3.1 影響溫升的因素

功率變壓器中的溫升問題是變壓器設(shè)計(jì)中最難駕馭的問題之一。從溫度控制原理可知,溫升與功率成正比。而在變壓器中,影響溫升的主要因素則是磁芯損耗和繞組損耗。磁芯損耗和繞組損耗是相對獨(dú)立的,磁芯損耗與磁芯的體積、磁通密度以及頻率有關(guān),而繞組損耗則與繞組電流和阻抗有關(guān)。變壓器的設(shè)計(jì)必須對其工作點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化,盲目的套用各種公式進(jìn)行設(shè)計(jì)是得不償失的,往往造成變換效率的下降,尤其是在高頻領(lǐng)域。

對溫升產(chǎn)生影響的另一個(gè)因素是導(dǎo)熱性能。如果散熱器足夠大,溫升將保持在一定的水平。散熱面積越大,變壓器的厚度越小,變壓器的導(dǎo)熱性能也越好。如果能夠?qū)嶝?fù)載均勻分布在一較大的空間內(nèi),同時(shí)增加并聯(lián)通道,熱性能將得到很大的提升。熱負(fù)載分散后,所需散熱器的體積也會相應(yīng)下降。

材料的熱特性對溫升的影響也非常顯著,例如鐵氧體和塑料絕緣材料的導(dǎo)熱性分別僅為銅的百分之一和千分之一。

3.2 抑制溫升的措施

抑制變壓器溫升首先要考慮如何降低損耗,但這是一個(gè)比較棘手的問題。

(1)抑制繞組損耗

在高頻變壓器中必須要考慮交流阻抗的影響,與直流或低頻情況下不同,在高頻條件下,繞組中將存在趨膚效應(yīng)和臨近效應(yīng),因此線徑越粗,其交流阻抗也越大。這時(shí)最好采用扁平繞組,但是繞組必須要與磁通方向平行,而且層數(shù)也不能太多,否則將引起渦流損耗。注意,扁平繞組一定要遠(yuǎn)離氣隙,否則將受到邊緣磁通的影響。臨近效應(yīng)對多層扁平繞組的影響非常顯著,造成的損耗將是正常水平下?lián)p耗的近百倍。在這種情況下,采用Litz線的作用也不大。因?yàn)長itz線繞制起來比較困難,而且繞組因數(shù)很低。如果使用不當(dāng),將會導(dǎo)致?lián)p耗的顯著上升。

變壓器外部的繞組不但會增加寄生阻抗和損耗,而且還產(chǎn)生EMI。因此盡量將繞組安排在磁芯內(nèi)部。

(2)抑制磁芯損耗

磁芯損耗往往通過查表得出。注意,損耗隨著磁通密度增加而迅速上升。雖然理論上可以通過降低磁通密度的方法來降低損耗,但這是與使變壓器保持高效率相矛盾的。在磁通給定的條件下,降低損耗的唯一方法只能是增大磁芯有效截面積,但這將增大磁芯的體積。由于體積增大,磁芯的厚度也相應(yīng)增加,磁芯的熱阻將增大,最終會造成磁芯溫度的上升。

與低頻變壓器一樣,高頻變壓器中飽和磁通密度也是影響磁芯體積的決定性因素。變壓器的最優(yōu)設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)具有最大的工作磁通密度、最小的磁芯體積和最大的磁芯有效截面積,并且工作效率最高,漏感最小、損耗和溫升最低。

3.3 平面型變壓器的熱特性

平面型變壓器的基本組件是帶有矩形通孔的矩形磁芯,如圖1所示。組件通常成對使用,如圖1(c)所示。一對磁芯組件構(gòu)成單匝推挽繞組,有時(shí)也稱為2匝中心抽頭繞組。

采用平面型變壓器抑制高頻變壓器中的漏感和溫升

從圖中可以看出,平面型變壓器磁芯組件是不帶氣隙的,因此不存在邊緣磁通,而且磁阻最小。繞組扁而寬,并且與磁通路徑平行,其有效截面積很大。

實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中,平面型磁芯通常是以模塊形式出現(xiàn),內(nèi)部配有濾波電感,整流管、濾波電容也可以集成模塊內(nèi)部,模塊的數(shù)量決定了初級繞組的匝數(shù)。圖2所示為一個(gè)匝比為10:1的降壓式平面型變壓器。該變壓器由5只模塊組成,其匝比等于模塊數(shù)與初級匝數(shù)的乘積,即5×2=10。在大多數(shù)應(yīng)用中,平面型變壓器在工作過程中并不需要散熱器,但是由于整流二極管需要散熱,因此最好將磁芯和整流二極管都一起固定在散熱器上。散熱器可以作為次級電路的正極,匯流條可以作為次級電路的負(fù)極。功率MOSFET則固定在磁芯的外側(cè)。

匝數(shù)的減少可有效降低臨近效應(yīng)的影響。由于初級繞組位于次級繞組內(nèi)部,因此耦合度很高。初級繞組到次級繞組之間的傳熱路徑非常短,對于降低繞組的溫升作用很大。

采用平面型變壓器抑制高頻變壓器中的漏感和溫升

4.小結(jié)

平面型變壓器技術(shù)為高頻變壓器漏感和溫升問題的解決提供了理想的解決方案。由于平面型變壓器對磁芯和繞組進(jìn)行了優(yōu)化處理,并采用了模塊形式,極大的提高了高頻變換器中變壓器設(shè)計(jì)的靈活性,設(shè)計(jì)難度大大降低。與相同功率的傳統(tǒng)變壓器相比,平面型變壓器的溫升非常低,相應(yīng)散熱器的尺寸也大為減小。而且,平面型變壓器的漏感很低,不但降低了開關(guān)管的應(yīng)力和損耗,而且簡化了吸收電路的設(shè)計(jì)。

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