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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設計

作者: 時間:2012-06-08 來源:網(wǎng)絡 收藏

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由圖3(a)(b)(c)(d)可知,在器設計為三級反相器鏈的情況下,器的上升時間tr=17.6 ns,tf=16 ns,td=15.84 ns。
2)把器設計為五級反相器鏈,如圖4所示。
圖4中各個PMOS管和NMOS管的尺寸分別為(取S=2.72)。

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則同樣通過HSPICE仿真軟件,在0.6μm CSMC 2P2M庫下的仿真結(jié)果為(負載為100 pF電容,1 kΩ電阻)。如圖5(a)(b)(c)(d)所示,主要考慮仿真結(jié)果中的反向器鏈的上升時間tr、下降時間tf、上升延遲和下降延遲td。

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