太陽(yáng)能光伏術(shù)語(yǔ)和名詞解釋

A, Ampere的縮寫(xiě), 安培

a-Si, amorphous silicon的縮寫(xiě), 含氫的, 非結(jié)晶性硅。

Absorption, 吸收。

Absorption of the photons:光吸收;當(dāng)能量大于禁帶寬度的光子入射時(shí)，太陽(yáng)電池內(nèi)的電子能量從價(jià)帶遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子——空穴對(duì)的作用，稱(chēng)為光吸收。

Absorptionscoefficient, 吸收系數(shù), 吸收強(qiáng)度。

AC, 交流電。

Ah, 安培小時(shí)。

Acceptor, 接收者, 在半導(dǎo)體中可以接收一個(gè)電子。

alternating current, 交流電，簡(jiǎn)稱(chēng)“交流. 一般指大小和方向隨時(shí)間作周期性變化的電壓或電流. 它的最基本的形式是正弦電流. 我國(guó)交流電供電的標(biāo)準(zhǔn)頻率規(guī)定為50赫茲。交流電隨時(shí)間變化的形式可以是多種多樣的。不同變化形式的交流電其應(yīng)用范圍和產(chǎn)生的效果也是不同的。以正弦交流 電應(yīng)用最為廣泛，且其他非正弦交流電一般都可以經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)處理后，化成為正弦交流電的迭加。

AM, air mass的縮寫(xiě), 空氣質(zhì)量。

直射陽(yáng)光光束透過(guò)大氣層所通過(guò)的路程，以直射太陽(yáng)光束從天頂?shù)竭_(dá)海平面所通過(guò)的路程的倍數(shù)來(lái)表示。

當(dāng)大氣壓力P=1.013巴，天空無(wú)云時(shí)，海平面處的大氣質(zhì)量為1。

amorphous silicon solar cell:非晶硅太陽(yáng)電池（a—si太陽(yáng)電池）

用非晶硅材料及其合金制造的太陽(yáng)電池稱(chēng)為非晶硅太陽(yáng)電池，亦稱(chēng)無(wú)定形硅太陽(yáng)電池，簡(jiǎn)稱(chēng)a—si太陽(yáng)電池。

Angle of inclination, 傾斜角，即電池板和水平方向的夾角，0-90度之間。

Anode, 陽(yáng)極, 正極。

B

Back Surface Field, 縮寫(xiě)B(tài)SF, 在晶體太陽(yáng)能電池板背部附加的電子層, 來(lái)提高電流值。

Bandbreak, 在半導(dǎo)體中, 價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的空隙,對(duì)于半導(dǎo)體的吸收特性有重要意義。

Becquerel, Alexandre-Edmond, 法國(guó)物理學(xué)家, 在1839年發(fā)現(xiàn)了電池板效應(yīng)。

BSF, back surface field的縮寫(xiě)。

Bypas-Diode, 與太陽(yáng)能電池并聯(lián)的二極管, 當(dāng)一個(gè)太陽(yáng)能電池被擋住, 其他太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電流可以從它處通過(guò)。

C

Cadmium-Tellurid, 縮寫(xiě)CdTe; 位于II/VI位的半導(dǎo)體, 帶空隙值為1,45eV, 有很好的吸收性, 應(yīng)用于超薄太陽(yáng)能電池板, 或者是連接半導(dǎo)體。

Cathode, 陰極，或負(fù)極，是在電池板電解液里的帶負(fù)電的電極，是電池板電解液里帶電粒子和導(dǎo)線(xiàn)里導(dǎo)電電子的過(guò)渡點(diǎn)。

C-Si, crystalline-silicon的縮寫(xiě)。

Cell temperature:電池溫度 。系指太陽(yáng)電池中P-n結(jié)的溫度。

charge control, 充電控制器，在電池板設(shè)備和電池之間聯(lián)接。它控制并監(jiān)控充電的過(guò)程。其他的功能如MPP（最大功率點(diǎn)跟蹤）和保護(hù)電池不過(guò)多放電而損壞。

CIGS, Copper Indium Gallium Diselenide 的縮寫(xiě)。

CIS, Copper-Indium-Diselenide的縮寫(xiě)。

Concentrator solarcell, 濃縮電池板，借助反光鏡或是透鏡使陽(yáng)光匯聚在電池板上，缺點(diǎn)是要不停地控制它的焦點(diǎn)一直在電池板上，因?yàn)樘?yáng)在不停地動(dòng)。

Concentration? ratio:聚光率;聚光器接收到的陽(yáng)光光通量與太陽(yáng)電池接收到的光通量之比叫聚光率。

Conductibility, 當(dāng)金屬或半導(dǎo)體加上電磁場(chǎng)后，將會(huì)有一個(gè)和電磁場(chǎng)成比例增加的電流存在，該電流可以用電流密度來(lái)描述，即單位面積的電流強(qiáng)度。該電流強(qiáng)度越大，則說(shuō)明該物質(zhì)的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，單位是S/cm2。西門(mén)子每平方厘米

Conduction band, 導(dǎo)帶，通過(guò)許多原子的交換效應(yīng)，在半導(dǎo)體內(nèi)部會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)帶和價(jià)帶，之間通過(guò)帶溝隔開(kāi)，電子可以運(yùn)動(dòng)到空穴里，空穴可以運(yùn)行到價(jià)帶里，例如在電磁場(chǎng)的作用下或通過(guò)傳播，空穴電子對(duì)等。

Connection semiconductor, 連接半導(dǎo)體，指由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)元素組成的半導(dǎo)體，如鎵砷，鎘碲，銅銦等。

Copper-Indium, 銅銦化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰?，銅的電子價(jià)帶具有1.0電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到15.4%的效率。

Copper-Indium-Galium, 銅銦化合物化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰Γ趽诫s鎵的銅的電子價(jià)帶具有1.0到2.7電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到17.7%的效率。

Corn border, 多晶硅每個(gè)晶體之間的邊界，阻礙電荷的移動(dòng)，因此單晶硅的效率總的來(lái)說(shuō)比多晶硅高。

Crystal silicon, 晶體硅

Current, 電流，電流是指電荷的定向移動(dòng)。電流的大小稱(chēng)為電流強(qiáng)度（簡(jiǎn)稱(chēng)電流，符號(hào)為I），是指單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)某一截面的電荷量，每秒通過(guò)一庫(kù)侖的電量稱(chēng)為一「安培」（A）。安培是國(guó)際單位制中所有電性的基本單位。 除了A，常用的單位有毫安（mA）及微安(μA) 。

Czochralsky-Procedure, 制造單晶體硅的方法, 從硅中熔煉出來(lái)。

D

DC, 直流電的縮寫(xiě)。

Degradation, 太陽(yáng)能電池板的效率會(huì)隨著光照時(shí)間增加而降低。

Diffusion, 電荷擴(kuò)散, 產(chǎn)生一個(gè)濃度層。

Diode, 二極管, 電流只能朝一個(gè)方向流動(dòng)。 太陽(yáng)能電池其實(shí)理論上就是一個(gè)大面積, 被照射的二極管, I/U曲線(xiàn)特性。

Donator, 捐贈(zèng)者, 在半導(dǎo)體中可給出一個(gè)電子。 對(duì)于硅, 原則上磷可作為捐贈(zèng)者。

Duennschichtsolarzelle, 一種不用晶片, 而是才用超薄技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的超薄太陽(yáng)能電池板, 其材料為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

Duennschichttechnik, 生產(chǎn)超薄太陽(yáng)能電池板的技術(shù), 直接從便宜的基層材料制作, 比如玻璃, 金屬層, 塑料層。 優(yōu)點(diǎn)是省材料, 能源, 可制作大面積的太陽(yáng)能電池板。 使用金屬為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

E

Efficiency, 效率, 指一個(gè)光伏單元產(chǎn)生的電能除以它所受的光照強(qiáng)度。

EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth的縮寫(xiě)。 用這個(gè)方法可以從硅中熔煉出8角形的管子, 棱長(zhǎng)10厘米, 總長(zhǎng)可以到5米,可以切割成10x10厘米晶片。優(yōu)點(diǎn)是切割損耗少。

EG-Si, Elecronic Grade Silizium的縮寫(xiě), 用于芯片制作的高純度硅。

Electrolyte, 電解質(zhì)。

Elektron, 電子。

Elektronen-Loch-Paar, 電子空穴對(duì), 半導(dǎo)體吸收一個(gè)光子, 釋放出一個(gè)電子和一個(gè)空穴。

Enclosure, 包裝，防風(fēng)雨模塊的保護(hù)。 例如玻璃，等材料。

EVA, Ethylen-Venyl-Acetat的縮寫(xiě)。 封裝太陽(yáng)能電池板的薄膜。

F

Fresnel lens:菲涅爾透鏡;用微分切割原理制成的薄板式透鏡。

FZ, float-zone-procedure的縮寫(xiě)。

G

GaAs, Galllium Arsenid的縮寫(xiě)。半導(dǎo)體, 被用于太陽(yáng)能電池板時(shí), 效率可達(dá)22%。

Geometrical concentrator ratio:幾何聚光率;聚光器面積與太陽(yáng)電池面積之比叫幾何聚光率。

Grid, 太陽(yáng)能電池板上的金屬導(dǎo)線(xiàn)。電阻越小越好, 這樣能量損失少。

H

Hole saw, 空穴鋸，空穴鋸是一個(gè)非常薄的金屬片，就像耳膜一樣薄，這個(gè)薄片在正中央有一個(gè)洞，它的邊緣使用金剛石刀。使用該薄片切割使損耗在0.2到0.3微米之間。

Hole, 空穴，正的帶電體，在半導(dǎo)體接收光照后，和電子同時(shí)出現(xiàn)的帶電體，一般成為空穴電子對(duì)。

Hot Spot, 熱點(diǎn)，在電池板部分被陰影遮擋時(shí)，被遮擋的單元不能發(fā)電同時(shí)有很大的電阻，對(duì)于串聯(lián)的電路會(huì)有很大的熱損耗，甚至燒壞該點(diǎn)的電池板。 為了避免此情況的發(fā)生，旁路二極管與各自的單元并聯(lián)。從而便免歐姆的熱損失。

I

I：電流的縮寫(xiě)，國(guó)際單位為安培

Indium-Zinn-Oxid： 縮寫(xiě)（ITO)， 銦鋅氧化物，透明的半導(dǎo)體，并具有很高的導(dǎo)電性，作為透明接觸層應(yīng)用于對(duì)很薄的電池板單元或是彩色物質(zhì)單元。

Ingo: 從多晶硅或是單晶硅提煉出的塊狀物。

Integrated serial switching：集成的串聯(lián)技術(shù)，在生產(chǎn)大面積的電池板時(shí)應(yīng)用于薄膜技術(shù)。 在生產(chǎn)過(guò)程中大面積的電池板單元被激光束裁成單個(gè)的薄片，但是這個(gè)薄片的上表面要和鄰居薄片的下表面組成串聯(lián)。集成的串聯(lián)技術(shù)是除了節(jié)省材料外的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)的薄膜技術(shù)。

Intensity： 光照強(qiáng)度， 物理測(cè)量的單位面積的光照功率，單位是瓦特每平方米。

Intrinsic：描述一個(gè)沒(méi)有摻雜的半導(dǎo)體和一個(gè)摻雜半導(dǎo)體的對(duì)比。

Inverter：逆變器，將變化的MPP由太陽(yáng)能電池板提供的直流電轉(zhuǎn)化為電網(wǎng)交流電的變頻器。

Ion： 離子，分正和負(fù)的原子或者分子，離子在電解液里起到導(dǎo)電的作用。

ISC：短路電流。

Island system：孤島系統(tǒng)，是不和大電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)，只是供自己使用的光伏系統(tǒng)，例如只是在山里或是小島上的光伏發(fā)電系統(tǒng)。

ITO：是銦銻氧化物的縮寫(xiě)。

I-U-characteristic curve： 電池板I-U特征曲線(xiàn)，代表太陽(yáng)能電池的典型特征。 在這里太陽(yáng)能電池板的輸出的電壓和電流的關(guān)系。 從I-U-曲線(xiàn)里可以看出該電池板以下的特征：電池板最大利用率，短路電流，開(kāi)路電壓，電池板效率等。

K

kT, 熱學(xué)能量(k= Boltzmann常數(shù), 1.381x10-23 J/K, T = Kelvin絕對(duì)溫度)

kWh：千瓦時(shí)，能量的單位。1kW=1000瓦，是一千瓦的燈泡亮一個(gè)小時(shí)鎖消耗的能量。

kWp, peak：指的是最大的功率點(diǎn)，單位是千瓦，一般太陽(yáng)能逆變器的功率就是指的是最大功率。

L

Laminate：一種薄片材料，來(lái)保護(hù)電池板芯片，例如EVA或Tedlar。 通過(guò)該物質(zhì)將電池板芯片整個(gè)用透明的物質(zhì)密封起來(lái)，一方面保護(hù)電池板芯片，另外一方面還要保持陽(yáng)光的穿透力。

Light trapping： 光的增透，在光完全被電池板吸收前，進(jìn)入電池板的光通過(guò)反射和內(nèi)表面的阻礙，光的增透對(duì)薄層電池板有著非常特別的意義，表面處理技術(shù)起著重要的作用。

M

Majority charge carrier：多子，描述半導(dǎo)體里的帶電體，通常決定于摻雜的類(lèi)型，例如在p型多子是空穴，n型多子則是電子。

Marginal cost payment time： 接收太陽(yáng)能發(fā)電，向電網(wǎng)傳輸所獲的收益，因此到一定的是將將收回太陽(yáng)能設(shè)備的投資成本，這段時(shí)間叫做成本收回時(shí)間。

Metal-Insolator-Silicon：縮寫(xiě)MIS，金屬絕緣硅，這種電池板類(lèi)型包含與傳統(tǒng)電池板的不同是沒(méi)有PN結(jié)，這個(gè)電荷分離功能滿(mǎn)足這里從打入銫原子的氧化硅里出來(lái)的電子反轉(zhuǎn)層。優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程，不需要高溫來(lái)?yè)诫s。

Minority charge carrier：少子，描述半導(dǎo)體里的帶電體，通常決定于摻雜的類(lèi)型，例如在n型多子是空穴，p型多子則是電子。

Module effinciency：電池板模塊的效率。

Module rated power：額定功率，電池板最大可能的輸出功率，當(dāng)太陽(yáng)垂直照在電池板上時(shí)，單位為瓦特。

Module：電池板模塊，將很多的太陽(yáng)能發(fā)電單元聯(lián)接，然后封閉后的電池板單元。之后可以靈活串聯(lián)并聯(lián)。

Mono crystal silicon： 單晶硅

Mono crystal Silicon：?jiǎn)尉Ч?，純凈的晶體硅

MPP （max power point）：最大功率點(diǎn)，在這個(gè)點(diǎn)上更具I-U曲線(xiàn)，電池板可以提供最大的功率，通過(guò)MPP的跟蹤和控制可以在各種情況下找到最大功率點(diǎn)從而使電池板的發(fā)電效率提高。

N

N-endowment：N摻雜。

Net coupling：聯(lián)網(wǎng)，太陽(yáng)能發(fā)電裝置通過(guò)逆變器把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能輸送到電網(wǎng)上的過(guò)程，和電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)電裝置不需要電能的儲(chǔ)存。

O

Omic loss：歐姆損耗，電流通過(guò)電阻的損耗，電能變成了熱能。

Open circuit voltage：電池板開(kāi)路電壓，當(dāng)電池板沒(méi)有聯(lián)通負(fù)載時(shí)，或者說(shuō)沒(méi)有電流流過(guò)時(shí)的正負(fù)極間的電壓，根據(jù)I-U曲線(xiàn)就是電流為零的那個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓。

P

Passivation：失活性，在每一個(gè)半導(dǎo)體的表面都有一個(gè)打開(kāi)的連接，因?yàn)樗鼮橄乱粋€(gè)原子打開(kāi)。這樣加速了帶電粒子的復(fù)合。最簡(jiǎn)單的失活性的方法是在半導(dǎo)體的表面增添二氧化硅層。

P-endowment：p摻雜。

Performance Ratio：光伏系統(tǒng)的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)，是實(shí)際收益率除以理論收益率。

Photo- conductive effect:光電導(dǎo)效應(yīng) ;以導(dǎo)電率變化為特征的光電效應(yīng)。

Photo effect： 光子效應(yīng)，足夠的光能能從金屬的表面里打出電子，這和光電效應(yīng)不可混淆，是兩個(gè)概念。

Photo electronics chemical solar cell： 光電子化學(xué)光電池板，這是以電解液為基礎(chǔ)，吸收光子，產(chǎn)生電子和空穴對(duì)，吸收光子是在敏感的表面層，在電解液里出現(xiàn)電荷流動(dòng)。

Photon：光子，是以能量的形式并以光的速度運(yùn)動(dòng)，并且進(jìn)入電池板內(nèi)激發(fā)電子和空穴對(duì)的物質(zhì)。

Photo-electric emission:光電發(fā)射;僅僅由于輻射能的射入而引起的電子發(fā)射。

Photo-electron:光電子;由光電效應(yīng)放出的電子。

Photovoltaic effect： 光生伏特效應(yīng)，簡(jiǎn)稱(chēng)“光伏效應(yīng)”。指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。它首先是由光子（光波）轉(zhuǎn)化為電子、光能量轉(zhuǎn)化為電能量的過(guò)程；其次，是形成電壓過(guò)程。有了電壓，就像筑高了大壩，如果兩者之間連通，就會(huì)形成電流的回路。

Photovoltaik： 是一項(xiàng)技術(shù)，將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換成為電能的一項(xiàng)技術(shù)。

Photo-voltaic concentrator array:聚光太陽(yáng)電池方陣:由若干聚光電池組件組合在一起，構(gòu)成的供電裝置叫聚光太陽(yáng)電池方陣。

Photovoltaic concentrator array field:聚光太陽(yáng)電池方陣場(chǎng)。 由一系列聚光太陽(yáng)電池方陣組成的聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)叫聚光太陽(yáng)電池方陣場(chǎng)。

Photovoltaic concentrator module:聚光太陽(yáng)電池組件。系指組成聚光太陽(yáng)電池，方陣的中間組合體，由聚光器、太陽(yáng)電池、散熱器、互連引線(xiàn)和殼體等組成。

PN junction： 采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

Polycrystalline silicon： 多晶硅，是主要的光伏材料，由連續(xù)的晶體組成，從幾微米到厘米級(jí)。生產(chǎn)多晶硅的方法是塊澆方法。

Polycrystalline silicon solar cell:多晶硅太陽(yáng)電池。多晶硅太陽(yáng)電池是以多晶硅為基體材料的太陽(yáng)電池。

PV：Photovoltaik 的縮寫(xiě)，光伏。

Q

Quantum exploit： 量子開(kāi)采，光電池單元的量子開(kāi)采描述了總共出現(xiàn)的電子數(shù)目和照射的光子數(shù)目與波長(zhǎng)的一個(gè)關(guān)系。

R

RMS amps, excluding the effects of all harmonic exponents; it could be called fundamental power factor.

REGULATOR Prevents overcharging of batteries by controlling charge cycle-usually adjustable to conform to specific battery needs.

RENEWABLE ENERGY Flows of energy that are regenerative or virtually inexhaustible. Most commonly includes solar (electric and thermal), biomass, geothermal, wind, tidal, wave, and hydro power sources.

Recombination：復(fù)合，指空穴和電子的復(fù)合，在光伏電池板里復(fù)合的電子和空穴并不能用來(lái)發(fā)電。

Reference device:?基準(zhǔn)器件;是一種以標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光譜分布為依據(jù)，用來(lái)測(cè)量輻照度或校準(zhǔn)太陽(yáng)模擬器輻射度的光伏器件。

Reflexion loss：反射損耗，從電池板表面反射掉的光并不能用來(lái)發(fā)電，所以要有增透層來(lái)盡量減少光的反射。

Roll to roll process： 便宜的工業(yè)處理用來(lái)生產(chǎn)薄層太陽(yáng)能光伏單元在金屬或是塑料薄膜片基上，在這里靈活的被卷起的片基被展開(kāi)，然后在處理爐里鍍層，然后再卷起來(lái)。

S

Secondary concentrator:二次聚光器;將通過(guò)聚光器的會(huì)聚陽(yáng)光再一次進(jìn)行會(huì)聚的光學(xué)裝置叫二次聚光器。

Semiconductor ： 半導(dǎo)體，是固體，和金屬對(duì)比擁有化學(xué)價(jià)帶和傳導(dǎo)帶之間的一個(gè)空白帶，電荷載流子不要可以隨意流動(dòng)。影響一個(gè)半導(dǎo)體的傳導(dǎo)性的可能性可以通過(guò)摻雜來(lái)改變它的導(dǎo)電性(即太陽(yáng)能電池)。 在吸收光子之后電子將從價(jià)帶激活進(jìn)入導(dǎo)帶，從而出現(xiàn)空穴形成電流。

Sensitizing layer： 敏感層，光電化學(xué)電池板的吸收光的那一層。

Serial resenstance：串聯(lián)電阻，指電池板單元在串聯(lián)的時(shí)候，在連接的時(shí)候應(yīng)該保證好的接觸，否則會(huì)增大損耗。

Setpoint tracing：照射方向自動(dòng)跟蹤，通過(guò)校對(duì)太陽(yáng)板，從而使太陽(yáng)光一直是垂直照在太陽(yáng)板上。

Short circuit current： 短路電流。

Short circuit current：電池板供出的電流，當(dāng)電池板兩極短路時(shí)流過(guò)的電流。在I-U-曲線(xiàn)上，電壓為零時(shí)的電流。

Shunt resenstance： 并聯(lián)電阻。

Silicon：化學(xué)元素，硅guī（臺(tái)灣、香港稱(chēng)矽xī）是一種化學(xué)元素，它的化學(xué)符號(hào)是Si，舊稱(chēng)矽。原子序數(shù)14，相對(duì)原子質(zhì)量28.09，有無(wú)定形和晶體兩種同素異形體，同素異形體有無(wú)定形硅和結(jié)晶硅。屬于元素周期表上IVA族的類(lèi)金屬元素。

晶體結(jié)構(gòu)：晶胞為面心立方晶胞。

silicon solar cell:硅太陽(yáng)電池。硅太陽(yáng)電池是以硅為基體材料的太陽(yáng)電池。

single crystalline silicon solar cell:單晶硅太陽(yáng)電池。單晶硅太陽(yáng)電池是以單晶硅為基體材料的太陽(yáng)電池。

Single solar cell:單體太陽(yáng)電池;具有正、負(fù)電極并能把光能轉(zhuǎn)換成電能的最小太陽(yáng)電池單元。稱(chēng)為單體太陽(yáng)電池。

Solar Cell：光伏單元，指光伏電池的電子部分，吸收電子直接轉(zhuǎn)化為電能。

Solar cell area:太陽(yáng)電池面積;系指太陽(yáng)電池全部光照面面積（包括柵線(xiàn)）。

Solar concentrator:太陽(yáng)聚光器。用于將陽(yáng)光聚在一起的光學(xué)器件叫太陽(yáng)聚光器，太陽(yáng)聚光器通常有反射式、透射式、熒光式等多種。

Solar constant：大氣層里最大的太陽(yáng)照射常數(shù)，為1.395 Watt/m2，瓦每平方米。

Solar energie：太陽(yáng)能。

Solar Home System： 太陽(yáng)能家庭發(fā)電系統(tǒng)，指使用太陽(yáng)能電池板，充電控制器，蓄電池組成的系統(tǒng)。安裝與光能充分的區(qū)域，孤島運(yùn)行，在遠(yuǎn)離電網(wǎng)支配下使用，每天發(fā)電能量在幾度以下。

Solar module：太陽(yáng)能電池模塊，光伏模塊。

Solar Silicon： 為光伏發(fā)電而專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)的高純度硅，與在芯片里使用的高純度硅相比純度還高，生產(chǎn)方法例如，塊澆法，Czochralsky 和 EFG法等。

solar photovoltaic energy system:太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)。系指利用太陽(yáng)電池的光生伏特效應(yīng)，將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換成電能的發(fā)電系統(tǒng)。

Solar thermie： 光熱裝置，使用太陽(yáng)光能直接產(chǎn)生熱能，和光伏發(fā)電是有區(qū)別的。

Space charge Zone ： 空間電荷區(qū)，在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下，空穴是可以移動(dòng)的，而電離雜質(zhì)（離子）是固定不動(dòng)的。N型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸 時(shí)，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段 距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱(chēng)為空間電荷區(qū)。

Stack solar cell： 堆積光伏發(fā)電板，由兩個(gè)或多個(gè)疊起來(lái)的發(fā)電電池層組成，每一層吸收不同頻率的光譜。

STAND-ALONE SYSTEM (SA) A system which operates independently of the utility lines. It may draw supplementary power from the utility but is not capable of providing power to the utility.

String： 串，描述一個(gè)光伏模塊內(nèi)的多個(gè)串聯(lián)的電池單元。

Substrat：片基，機(jī)械的穩(wěn)定的基礎(chǔ)層，主要作為基礎(chǔ)層來(lái)制造電池板，例如使用玻璃，金屬，塑料薄膜，或晶片等。

Sun collektor： 太陽(yáng)能收集器,集熱器，直接將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為熱能，使用高儲(chǔ)熱的物質(zhì)諸如水或油等，之后使用熱交換器使用所搜集的熱量。

Sun equivalent hours： 太陽(yáng)能的等價(jià)小時(shí)，一個(gè)光伏發(fā)電系統(tǒng)的年收益（千瓦時(shí)）除以它最大的功率。

Sun hours：太陽(yáng)小時(shí)，顧名思義，是在一個(gè)地區(qū)每年一共的光照小時(shí)數(shù)，是衡量一個(gè)地區(qū)是否適合安裝光伏發(fā)電裝置的最重要的因素。

Sun simulator： 太陽(yáng)模擬器，是一個(gè)裝置借助特殊的燈管來(lái)產(chǎn)生光譜。

Sun spectrum ： 光譜，由發(fā)光物質(zhì)直接產(chǎn)生的光譜稱(chēng)為發(fā)射光譜。連續(xù)光譜：由連續(xù)分布的一切波長(zhǎng)的光組成，是熾熱的固體，液體及高壓氣體發(fā)光產(chǎn)生的光譜，諸如太陽(yáng)的光譜，在地球上觀察太陽(yáng)光譜很大受大氣的影響。

Surface construction：表面處理，通過(guò)機(jī)械或者化學(xué)方法摩擦電池板的表面，這樣有助于吸收太陽(yáng)光，例如通過(guò)增透的方式（light trapping）。

System efficiency： 系統(tǒng)的效率，指光伏系統(tǒng)向電網(wǎng)傳輸?shù)哪芰砍怨庹漳芰俊?/p>

T

Tandem solar cell： 疊型光伏單元，指由兩個(gè)疊在一起的單元組成的光伏電池，主要是由超薄層技術(shù)來(lái)生產(chǎn)。

Tedlar： 塑料薄膜，應(yīng)用于生產(chǎn)光伏模塊的薄膜。

Temperature coefficient：當(dāng)溫度上升時(shí)，給出了每一度的溫度對(duì)光電電池板效率的衰減，取決于電池板的材料。

theoretical efficiency：理論效率，指電池板在理想的情況下的效率。

Time constant:時(shí)間常數(shù);輻射度發(fā)生一次突變后,輻射表或光伏發(fā)電器恢復(fù)到穩(wěn)定值的63.2%所需的時(shí)間。

Tracking： 跟蹤。

Transparent Conductive Oxide：透明導(dǎo)電氧化層。

Tripel solar cell：三層光伏單元，由三層疊在一起的電池單元組成，每一層對(duì)不同的光譜有很強(qiáng)的吸收能力，主要是超薄層技術(shù)的生產(chǎn)決定。

V

Valency band：價(jià)帶

Voltage： 電壓，單位伏特，是衡量?jī)牲c(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的物理量。

W

Wafer：晶片，描述了來(lái)自半導(dǎo)體材料的薄片。作為片基生產(chǎn)電腦芯片或是太陽(yáng)能電池板使用。是由半導(dǎo)體塊切割而成，一般厚度0.2到0.3微米左右。

Watt-Peak： (縮寫(xiě) Wp)， 是描述電池板功率的單位。

Wave length： 波長(zhǎng)，光波首先作為波，波長(zhǎng)是指兩個(gè)相鄰波峰之間的距離，可見(jiàn)光的波長(zhǎng)般是0.3到0.8微米。

Z

Zinc Oxid：鋅氧化層，透明的半導(dǎo)體材料具備很強(qiáng)的導(dǎo)電能力，主要應(yīng)用于超薄層材料。

Zone melting method，指生產(chǎn)高純度硅的一種方法。在這個(gè)方法里，多晶棒從底部被慢慢融化，凝固的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)硅晶體，這個(gè)方法最重要的優(yōu)點(diǎn)是，便于硅的純度的增加