一種改進(jìn)的無(wú)橋Boost功率因數(shù)校正電路
4 實(shí)驗(yàn)
為了驗(yàn)證上述改進(jìn)無(wú)橋拓?fù)溆布?shí)現(xiàn)的可行性,采用BCM控制芯片L6562設(shè)計(jì)了一臺(tái)輸入為85~265 V,輸出電壓為400 V,滿載輸出功率為300 W的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。
4.1 電路關(guān)鍵部分設(shè)計(jì)
由法拉第電磁感應(yīng)定律計(jì)算開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和阻斷時(shí)間,進(jìn)而推出開(kāi)關(guān)頻率為:
式中:Pi為變換器輸入功率;θ為輸入電壓相角;Uirms為輸入電壓有效值;Uo為輸出電壓。
設(shè)全電壓范圍內(nèi)電路最低工作效率為92%,那么此時(shí)Pi=326 W,由式(2)可得f(Uirms)與Uirms的關(guān)系曲線,如圖5所示。由圖可知,當(dāng)Uirms=265 V時(shí),f(Uirms)取最小值。由fsw(π/2)=f(Uirms)/L可知,對(duì)于確定的L,當(dāng)Uirms=265 V時(shí),fsw(π/2)取值最小。設(shè)計(jì)中將此最低工作頻率設(shè)為25 kHz,進(jìn)而可以計(jì)算出L=272μH。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/177580.htm
4.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
圖6示出220 V輸入,滿載輸出時(shí),樣機(jī)輸入電壓uin、電流iin波形,110 V輸入時(shí),L2電流iL2波形和VS1的驅(qū)動(dòng)電壓ugsVS1和漏源電壓udsVS1波形。由圖可知,iin趨近于正弦且與uin同相,在非工作的半周期中,iL2基本保持為零,功率MOFET管在udsVS1諧振谷值時(shí)開(kāi)通。
VD5電壓波形如圖7所示,此電壓波形趨近于工頻正弦半波,半波所包含的高頻紋波是由于實(shí)際電路變換器輸入端差模電容承擔(dān)濾除高頻電流紋波而引起的,其紋波幅值與差模電容上的紋波幅值相等,可通過(guò)增大差模電容來(lái)減小紋波幅值。VD3的電壓實(shí)驗(yàn)波形與其仿真波形一致,此波形與VD5的電壓波形相似,區(qū)別在于VD3的電壓過(guò)零處存在紋波,而半波處紋波幅值較小。
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