晶閘管整流橋的應(yīng)用

由圖可見，R6的電壓降達(dá)7V，在每個供電周期(=50Hz*6=300Hz)均流過電流。由于R2的電壓降被可控硅G、K極嵌位在2V以內(nèi)，則在電阻R1上的壓降：
≥7-2=5(V)
電阻R1上的瞬時功率：≥5*5／47≈0．53(W)
可見，電阻R1需承受的功率較大，所以也要注意選取電阻R1、R2的功率足夠大，以充分保障整個觸發(fā)控制電路的可靠性；
(2)時序問題：在上電時，如果在橋內(nèi)的可控硅未滿足導(dǎo)通條件，就允許功率回路帶上負(fù)載，則電阻R5、R6很容易就燒斷損壞，所以上電時，一定要保證在充分滿足橋內(nèi)的可控硅所需的開通條件后，再允許功率回路帶上負(fù)載工作；同樣，掉電時，也要充分保證在完全斷開負(fù)載后，再使可控硅關(guān)斷。否則，不但很容易會造成緩上電電阻R5、R6甚至R1、R2損壞，也使可控硅可能工作在大電流情況下關(guān)斷，極易產(chǎn)生很高的關(guān)斷過壓，進(jìn)而損橋內(nèi)的可控硅，更是對橋內(nèi)的可控硅的安全工作造成威脅；
(3)電流變化率問題：在任何情況下，必須保證可控硅導(dǎo)通期任何時候的電流變化率都不能超過其標(biāo)稱的重復(fù)值；
(4)通態(tài)平均電流額定值：在實際使用中，由于不能充分保證整流橋的散熱，則元件應(yīng)降額使用。具體降額多少，需根據(jù)實際使用狀況來決定。
(5)驅(qū)動光耦問題：由于涉及到強(qiáng)電、弱電隔離，可控硅導(dǎo)通時需要的推動功率較大，光耦付邊耐壓問題等，必須慎重的選擇內(nèi)置可控硅的推動光耦。

4 方案優(yōu)點分析
由圖2可見，由于很巧妙的利用緩上電電阻R6上的電壓降作為光耦TLP741的供電電源，在需要橋內(nèi)的可控硅開通時，才送出允許可控硅開通的開通信號；需要橋內(nèi)的可控硅關(guān)斷時，才送出允許可控硅關(guān)斷的關(guān)斷信號。所以，在功率回路正常帶載工作時，KZi的電平是一直保持為低的，可控硅的關(guān)斷、導(dǎo)通過程完全是自適應(yīng)的，無需專門的控制策略。這不但省去了一組專門的供電電源，也無傳統(tǒng)的可控硅觸發(fā)控制電路需求的由供電電源的檢出的同步脈沖(以確定觸發(fā)的時刻)、門極觸發(fā)所需求的隔離脈沖變壓器等，大大的簡化了觸發(fā)控制電路，使整個觸發(fā)控制電路的工作更為可靠。

5 結(jié)束語
從上述的實驗結(jié)果來看，使用的內(nèi)含一緩上電專用的可控硅三相整流全橋，可以完全替代傳統(tǒng)的采用繼電器作緩上電控制策略的緩上電方式，方便用戶簡化電路設(shè)計，節(jié)省安裝空間，為進(jìn)一步提高產(chǎn)品可靠性提供了可能。雖然如此，但也存在著如前面所述的許多需要注意的地方，并且在實際應(yīng)用中一定要特別注意上下電的時序配合問題，否則，在應(yīng)用過程仍然會容易發(fā)生元器件損壞的故障。
實驗證明，只要解決好上述的問題，用該整流橋取代傳統(tǒng)的用整流橋+繼電器組合作緩上電控制策略的優(yōu)越性還是很明顯的，該類整流橋目前在我公司的交直流伺服產(chǎn)品上都已經(jīng)得到了很好的應(yīng)用。