完整的LED調光電路設計過程

　　圖4是降壓轉換部位相關電路圖，由圖可知它是由切換用FET Tr2、電感L2、續(xù)流二極管D10構成降壓轉換部主要電路，除此之外電流復歸用電阻器R3、決定FET OFF時間的電容器C1、充電電路Tr3、R4、吸收波動電流的電容器C12、LM3445的內部結構，鎖定轉換器的動作，細節(jié)忽略不詳述。圖中的L5是磁珠電感，它可以抑制續(xù)流二極管D10的逆回復電流。

　　Tr2 ON時，流入L2的電流取決于輸入電壓Vbuck與LED電壓VLED兩者的電壓差，最差情況LED的順電壓下降為3.99V，8個LED串聯(lián)需要31.9V。流入Tr2的電流除了受到電流指令最大值750mA的限制之外，有關對短路等異常電流的保護，本電路備有電流限制器功能，不過Tr2正確動作的代價是輸入電壓最大值有極限。

　　IC內部的起動電路一旦開始動作，GATE信號變成H，就會使Tr2 ON進入行程。LM63445即使ON，電流的檢測不會以一定時間進行，IC內部的125ns延遲時間內，電流檢測電阻R3的電壓R3，利用內部FET持續(xù)限制在0V，PWM與I-LIN兩轉換器的輸入維持L狀態(tài)，這樣的設計主要目的是考慮Tr2 ON時，二極管D10的逆向回復電流很大，避免瞬間遷移至GATE信號變成OFF狀態(tài)，轉換器可能無法起動。

　　延遲時間內Tr2 ON時電流的過渡變化，Tr2的電流與L2一旦相同，就進入檢測L2電流變化的行程，該電流檢測功能有所謂無效時間，因此降壓轉換器的輸入電壓最大值時，為確實保障此延遲時間，如圖5所示要求最小200ns的ON時間。延遲時間之后隨著直線上升的L2電壓，R3的電壓也直線上升，該電壓經(jīng)過電流感測端子ISNS輸入至PWM轉換器，一直到電壓到達電流指令值為止，GATE信號維持ON狀態(tài)。評鑒基板的電流檢測用電阻R3大約1.8Ω，PWM的電流指令值最大值，750mV時為417mA，延遲時間與溫度有依存關系，大約100～160ns。

　　PWM轉換器進行IC內部產(chǎn)生的電流指令值與R3電壓比較，R3的電壓超過電流指令值，H的信號經(jīng)過內部控制電路使GATE信號OFF。此外本電路還設置PWM轉換器不動作時的I-LIM轉換器，超過1.27V峰值會使GATE信號OFF抑制電流。Tr2 OFF時L2的電流移至D10，L2則以LED的一定電壓開始再設定(reset)，L2的電流呈直線性衰減，磁束則被再設定(reset)。評鑒基板的此OFF時間取決于LED的電壓，主要理由在動作范圍，希望優(yōu)先正確進行L2的磁束再設定。

　　決定OFF時間的電容器C11與定電流電路Tr3、R4，定電流電路利用LED的順向電壓，配合LED的電壓使電流流動C11，C11的電壓呈直線性上升，利用該電壓與時間呈比例的特性。定電流電路的動作非常簡單，配合LED的順定下降電流流入R4，Tr3的基準電流配合Tr2的增幅率電流流動，由于流入Tr3集極(collector)的電流與流入R4的電流幾乎相同，因此C11內部有一定電流流動，該電壓呈直線性上升，C11的電壓被輸入至LM3445的COFF則進入COFF的比較器(Comparator)，電壓一旦超過1.276V基準電壓，再度使GATE信號移轉至ON狀態(tài)，換言之OFF時間是與LED的電壓呈比例的值。

　　綜合上記結論可知，GATE信號ON時IC的COFF輸入，亦即C11在IC內部以33Ω的阻抗值短路，此時C11的電壓幾乎維持0V，一旦進入OFF行程就開始對C11定電流充電，亦即開始時間計數(shù)。接著以評鑒基板為例試算OFF時間。

　　假設：

　　由此可之電感L2的再設定時間大約3.2μs。電感L2的再設定電壓是LED的電壓VLED，它是一定值。電流直線性下降，持續(xù)到FET的下個ON為止。L2的電流變成連續(xù)的條件(不會變成0)，該電流的變化成份，反而變成LED的波動電流成份。

　　假設：

　　OFFB時間=3.2μS

　　L2=470μH

　　如此一來就可以求得波動電流：

　　接著試算ON時間，ON時轉換器的輸入電壓Vbuck與LED的電壓VLED的電壓差施加于L2，此處計算該波動電流186mA的變化時間，假設：

　　圖6是根據(jù)電路定數(shù)計算的L2最大電流波形，使用的LED最大平均電流為350mA，如果根據(jù)評鑒基板的定數(shù)計算，轉換器的公稱動作頻率變成：