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MOS場效應(yīng)管逆變器自制

作者: 時(shí)間:2011-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

這里介紹的(見圖1)主要由管。該變壓器的工作原理及制作過程:  

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/178580.htm
MOS場效應(yīng)管逆變器電路

  圖1

  工作原理

  一、方波的產(chǎn)生

  這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩(wěn)。電路的震蕩是通過電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC。圖示電路的最大頻率為:fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz,最小頻率為fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的誤差,實(shí)際值會(huì)略有差異。其它多余的發(fā)相器,輸入端接地避免影響其它電路。

  

  圖2

  二、 場管驅(qū)動(dòng)電路。

  由于方波信號(hào)發(fā)生器輸出的振蕩信號(hào)電壓最大振幅為0~5V,為充分驅(qū)動(dòng)電源開關(guān)電路,這里用TR1、TR2將振蕩信號(hào)電壓放大至0~12V。如圖3所示。

  

 場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路

  圖3

  三、 場管電源開關(guān)電路。

  場效應(yīng)管是該裝置的核心,在介紹該部分工作原理之前,先簡單解釋一下場效應(yīng)管的工作原理。場效應(yīng)管也被稱為MOS FET,即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出,對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管,其輸出電流是由輸入的電壓(或稱場電壓)控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。

  

  圖4

  

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