智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B

摘要：IR1166／7A-B則是一款能從電源變壓器二次側(cè)檢測(cè)信號(hào)作智能式同步整流的控制IC，它不僅不需要從初級(jí)側(cè)傳輸信號(hào)，而且能適應(yīng)多種電路拓樸，還可應(yīng)用于定頻PWM及變頻PWM等方面。文中詳細(xì)介紹了IR1166／7A-B的主要特點(diǎn)、引腳功能、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及典型應(yīng)用。
關(guān)鍵詞：IR1166／7；開關(guān)電源；整流

開關(guān)電源技術(shù)中，使系統(tǒng)效率提升最明顯的是同步整流技術(shù)，應(yīng)對(duì)不同的電路拓樸有不同模式的同步整流控制方法，但至今為止，多數(shù)同步整流控制IC需要從初級(jí)側(cè)取同步信號(hào)，這給同步整流設(shè)計(jì)工作帶來一定的繁鎖。IR公司購買專利技術(shù)新開發(fā)的IR1166／7A-B則是一款能從電源變壓器二次側(cè)檢測(cè)信號(hào)作智能式同步整流的控制IC，它不僅不需要從初級(jí)側(cè)傳輸信號(hào)，而且能適應(yīng)多種電路拓樸，適應(yīng)定頻PWM及變頻PWM，因此它的問世及應(yīng)用是開關(guān)電源技術(shù)的又一大進(jìn)步。

1 主要特點(diǎn)
IR1167系在開關(guān)電源二次側(cè)專用于驅(qū)動(dòng)同步整流MOSFET的控制IC，且能適應(yīng)DCM、CCM以及多種電路拓樸?？梢怨ぷ髟诙l及變頻兩種模式，也能用于不對(duì)稱半橋電路的同步整流，其主要特色有：
◇適應(yīng)反激變換器的DCM、CRM及CCM三種模式工作，還適用于LLC式半橋。
◇具有最高500kHz工作頻率。
◇可提供總計(jì)7A(IR1166為4A)的輸出驅(qū)動(dòng)及關(guān)斷峰值電流(2A源出5A漏入)的能力。
◇其柵驅(qū)動(dòng)輸出電壓在10．7～14．5V。
◇可提供50ns關(guān)斷比例延遲。
◇VCC電壓從11．3～20V。
◇可直接檢測(cè)MOSFET的源漏電壓。
◇符合低于1W的Standby能量之星的要求。

2 引腳功能
IR1166／7A-B共有8(PIN)個(gè)端子，其主要引腳功能如下：
1PIN VCC IC供電端，內(nèi)部有欠壓鎖定及過壓關(guān)斷保護(hù)。在VCC電壓低于11．3V時(shí)關(guān)斷，高于20V時(shí)關(guān)閉，為防止噪聲干擾，必須在緊靠IC處加一個(gè)足夠大的旁路電容。
2PIN OVT偏置電壓調(diào)整，OVT端用于調(diào)節(jié)關(guān)斷閾值VTH1的偏移量。此端可選擇接到GND，或接到VCC，或令其浮動(dòng)，共三種輸入偏置調(diào)整。此特色可以應(yīng)對(duì)不同水平的MOSFET的RDSON。
3PIN MOT最小導(dǎo)通時(shí)間，MOT調(diào)節(jié)端控制最小導(dǎo)通時(shí)間的總量，一旦VTH2穿過第一時(shí)間，即給出柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)，令整流MOSFET導(dǎo)通，因?yàn)樘摷傩盘?hào)及振蕩也會(huì)觸發(fā)輸入比較器，所以MOT用于消隱比較器保持MOSFET導(dǎo)通，且維持一個(gè)最小時(shí)間。MOT調(diào)節(jié)范圍在200ns到3μs之間，與地之間接一支電阻即可實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)。
4PIN EN使能端，此端可使IC進(jìn)入休息模式，將電壓拉到2．5V以下。在休息模式，IC消耗電流總量很小，當(dāng)然開關(guān)功能也被禁止，無法做柵驅(qū)動(dòng)。
5PIN VD漏極電壓檢測(cè)端，用于檢測(cè)同步整流MOSFET的漏極電壓，由于此端電壓會(huì)比較高，必須小心處理，用合適的方法將其接到漏極，此外在此端不可作濾波或作限流，這會(huì)影響IC的性能。
6PIN VS源極電壓檢測(cè)端，用于檢測(cè)同步整流MOSFET的源極電壓，此端必須直接接于電源的GMD及IC的(7)PIN，要用Kelvin接法，盡可能靠近MOSFET的源極端子。
7PIN GND IC的公共端，內(nèi)部元件及柵驅(qū)動(dòng)的參考端。
8PIN VGATE柵驅(qū)動(dòng)輸出端，此端為IC驅(qū)動(dòng)同步整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)輸出端，源出能力為2A，漏入能力為5A峰值電流。雖然此端可直接接于功率MOSFET柵極，但建議加一支小電阻串入在柵回路中，特別在驅(qū)動(dòng)幾個(gè)同步整流MOSFET并聯(lián)時(shí)，小心地保持柵驅(qū)動(dòng)環(huán)路有最小的路徑，從而實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能。

3 內(nèi)部功能
IR1167的內(nèi)部等效電路如圖1。其基本應(yīng)用電路如圖2所示。