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最新全能數(shù)控電源IC―ADP1043A(三)

作者: 時間:2011-08-22 來源:網(wǎng)絡 收藏

摘要:隨著數(shù)字技術的發(fā)展和成熟,產(chǎn)品更多地向數(shù)字化方向發(fā)展。采用數(shù)字技術可減小高頻諧波干擾和非線性失真,同時便于CPU數(shù)字化控制。文中重點介紹了的功能、原理及具體應用細節(jié)。的創(chuàng)新架構(gòu)能支持多種拓撲結(jié)構(gòu),其圖形化的操作界面、豐富的監(jiān)控和管理功能,非常方便技術人員操作,也改變了以往對數(shù)字的認識。
關鍵詞:;EEPROM;OrFET控制;同步整流(上接第6期)

2.16 OrFET控制
柵控制信號驅(qū)動外部的OrFET。OrFET的柵控用從另外一個電源浮動入本電源的來,這可以確保功率電流僅從電源輸出端給出且為插線模式。OrFET電路僅在ADP1043A接到低邊檢測電阻時才使用,OrFET電路對高邊電流檢測時沒有用處。
GATE端為一個漏極開路的N溝MOSFET。推薦外部使用2.2kΩ上控電阻,其輸出通常為高,以保持OrFET關斷,當啟動電路實現(xiàn)以后,GATE輸出拉底,允許OrFET導通。OrFET導通和關斷閾值可以獨立調(diào)節(jié),GATE輸出是CMOS電平(0~3.3V),需要一個外部驅(qū)動器來開關該MOSFET。
OnMOSFET可以用三種方法關斷:故障標志、快速OrFET控制電路、精確的OrFET控制電路。
快速OrFET控制有反向電壓跨越CS2+和CS2-用一個模擬比較器執(zhí)行,如圖10所示。如果CS2+和CS2-之間的電壓差大于快速OrFET的閾值,調(diào)節(jié)寄存器0*30,OrFET即可關斷。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178710.htm

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精確的OrFET控制還是用跨越CS2+和CS2-的反轉(zhuǎn)電壓去禁止OrFET。如果CS2+和CS2-之間的電壓差大于OmV,則OrFET也被禁止,精確的OrFET電路可以更精確,但要比快速的OrFET電流慢。OrFET導通電路要有VS1和VS2之間的電壓差,當從VS1到VS2的正向壓降大于OrFET使能閾值時,則OrFET使能。OrFET的使能閾值可以設置到正常輸出電壓的-0.5%、0%、1%或者2%。


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