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全CMOS基準電壓源的分析與仿真

作者: 時間:2011-08-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


4 高精度MOS管
圖8所示電路是在圖4的基礎(chǔ)上增加了一個差分運放電路,通過該運放強制使得M1和M2的漏一源相等,從而極大地削弱溝道調(diào)制效應(yīng)產(chǎn)生的影響。而運放的輸出為M1和M2提供了柵極偏置

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178769.htm

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圖8中M1-M2、M5-M10的W/L=1.8μm/0.18μm,M3-M4的W/L=3.6μm/0.18μm。結(jié)果如圖9所示,溫度在0~80℃變化時,輸出電壓在661.4~662.6mV之間變化,溫度特性很好。電源電壓在2.5~3.3V變化時,輸出電壓在580~660mV之間變化。

5 小結(jié)
電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊,對其進行和研究具有重要意義。本文通過Hspice對四種MOS管電壓源電路進行,給出了電路圖、電路參數(shù)和結(jié)果。


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關(guān)鍵詞: 仿真 分析 電壓 基準 CMOS

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