高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案
1.2 LDO
LDO在低頻時(shí)的PSR主要取決于運(yùn)放的增益,為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻(xiàn)中的電路修改,如圖2所示,并采用PSR高的偏置生成電路。
1. 3 啟動(dòng)電路
Brokaw核心本身存在0狀態(tài),VQC5基極為高電平,VQC2、VQC1基極為低電平,因此引入如圖3的啟動(dòng)電路。
圖3中右下角即為啟動(dòng)電路。對(duì)于常規(guī)Brokaw基準(zhǔn),當(dāng)VQC2基極電壓低于啟動(dòng)電壓時(shí),VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高,使電路啟動(dòng),所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動(dòng)。
電子鎮(zhèn)流器相關(guān)文章:電子鎮(zhèn)流器工作原理
評(píng)論