低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計

　　我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下，采用cadence 和Hspice 仿真軟件對整體電路做仿真，如圖6 所示為LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線。

（a）負(fù)載電流為50mA 仿真曲線

（b）負(fù)載電流為0 時仿真曲線

圖6 LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線

　　（a） 圖為負(fù)載電流為50mA 時，LDO 環(huán)路增益為50dB、單位增益帶寬為470KHZ、相位裕度為74degree。（b）圖為負(fù)載電流為0 時，LDO 環(huán)路增益為63dB、單位增益帶寬為1KHZ、相位裕度為87degree。圖7 給出了該LDO 的線性調(diào)整率曲線，仿真條件為C _L=1μF, 由仿真曲線可以看出該LDO 的線性調(diào)整率為：

圖7 CL=1μF 線性調(diào)整率曲線

　　圖8 給出了該LDO 的負(fù)載調(diào)整率曲線，仿真條件為CL=1μF, 由仿真曲線可以看出該LDO 的負(fù)載調(diào)整率為：

圖8 CL=1μF 負(fù)載調(diào)整率曲線

　　圖9 給出了該LDO 的電源抑制比仿真曲線，仿真條件為IL=1mA。從該曲線可以看出，該LDO 的PSRR 在1KHZ時為- 60dB。

圖9 電源抑制比仿真曲線

　 4 結(jié)論　　

本文提出的這款LDO 線性穩(wěn)壓器，能保證在μF 級別的寄生電容范圍內(nèi)都可以正常工作。

　　該LDO 的靜態(tài)電流低至10μA,文中同相放大器的引入，提高了整個LDO 的帶寬。從仿真結(jié)果可以看出，在負(fù)載電流Iload=50mA 時，帶寬為470KHz。

　　該LDO 其它各方面指標(biāo)都滿足設(shè)計要求。