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一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-07-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178820.htm

  4 結(jié)論

  本文提出的這款 器,能保證在μF 級(jí)別的寄生電容范圍內(nèi)都可以正常工作。

  該 的靜態(tài)電流低至10μA,文中同相放大器的引入,提高了整個(gè) 的帶寬。從仿真結(jié)果可以看出,在負(fù)載電流Iload=50mA 時(shí),帶寬為470KHz。

  該LDO 其它各方面指標(biāo)都滿足設(shè)計(jì)要求。

  誤差放大器電路原理圖如圖2 所示。對(duì)該EA部分(3μA)以及低的失調(diào)電壓的要求,根據(jù)σ2(VT)= A2VT / WL+S2VTD2以及MOS 管的平方率關(guān)系[5],設(shè)計(jì)出各MOS 管的尺寸,M1 和M2 的寬長比為41/2, M3 和M4 的寬長比為4/1,M5 和M6 的寬長比為2/1, 我們這里取W1=W2=82μm,L1=L2=4μm;W3=W4=12μm,L3=L4=3μm;W5=W6=8μm,L5=L6=4μm。實(shí)際上,在EA 這部分為了讓這一級(jí)增益Ger 不小于10dB 且保證有足夠的相位裕度,將反饋電容CFF設(shè)計(jì)為20.8pF,把C1 設(shè)計(jì)為1.5pF。該部分的仿真結(jié)果如圖3 所示。結(jié)果表明,該設(shè)計(jì)在保證穩(wěn)定的前提下Ger 為11dB[6]。
圖2 EA 與反饋網(wǎng)絡(luò)
圖2 EA 與反饋網(wǎng)絡(luò)
圖3 EA 的環(huán)路增益
圖3 EA 的環(huán)路增益
圖3 EA 的環(huán)路增益
  2.4 同相放大器設(shè)計(jì)
  同相放大器電路結(jié)構(gòu)如圖4 所示。這一級(jí)主要是獲得整個(gè)環(huán)路最大的增益Gnon- inv=25dB~30dB。
圖4 同相放大器結(jié)構(gòu)
圖4 同相放大器結(jié)構(gòu)

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評(píng)論


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