一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設計

3 仿真驗證
該電路采用SMIC 0．25μm CMOS工藝實現(xiàn)，輸入電源電壓為2．5 V，輸出電壓為1．2 V，作為芯片模擬部分的電源。LDO的環(huán)路穩(wěn)定性采用Spectre stb仿真，結(jié)果如圖5所示，負載電流從1 mA變化到100 mA，整個系統(tǒng)相位裕度均在40°以上，系統(tǒng)穩(wěn)定。圖6為負載電流從1 mA到100 mA轉(zhuǎn)換時，輸出電壓和輸出電流瞬態(tài)響應曲線。從圖中可以看出，瞬態(tài)響應過沖小于20 mV，無振鈴現(xiàn)象產(chǎn)生。圖6為仿真的電源電壓抑制比(PSRR)。低頻時PSRR好于75 dB。整個LDO包括基準電壓源共消耗靜態(tài)電流390 μA。

4 結(jié)語
本文設計了一種全集成型LDO線性穩(wěn)壓器，采用一種簡單的頻率補償電路，通過輸出反饋電路引入零點，抵消了LDO產(chǎn)生第二個極點，獲得較好的穩(wěn)定性。此方法結(jié)構(gòu)簡單、不損失環(huán)路開環(huán)增益、帶寬高，而且所需要的補償電容小，節(jié)省芯片面積和輸出引腳。