一種電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃
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時(shí)間：2011-05-10
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
接著進(jìn)行橫向電源條的設(shè)計(jì)。選用高層金屬M(fèi)eta15作為橫向電源條，寬度取為5．04μm，由上述公式可得，所需橫向電源條的總寬度為87．424 μm。但是，實(shí)際上并不需要這么多電源條，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)單元的電源／地都通過Metal1連接到芯片內(nèi)核的兩端，并且與縱向電源條相連。該設(shè)計(jì)共有標(biāo)準(zhǔn)單元行(Row)312行，每行有1對(duì)0．4μm的橫向電源條，相當(dāng)于有312×0．4=124．8μm的電源條，大于所需的橫向電源條總寬度，已經(jīng)足夠供應(yīng)整個(gè)芯片，使水平方向的電壓降小于VDD×5％=0．09 V。
為了使水平方向的電壓降更小，設(shè)計(jì)了3對(duì)寬度為5．04 μm的Metal5層橫向電源條，均勻分布在芯片內(nèi)核區(qū)域。電源條的設(shè)計(jì)結(jié)果如圖4所示。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/179135.htm
經(jīng)過后續(xù)物理設(shè)計(jì)后，在滿足時(shí)序收斂的前提下，最終詳細(xì)布線后電源網(wǎng)絡(luò)VDD功耗分析的結(jié)果如表2所示，可看出，電源規(guī)劃的設(shè)計(jì)很好地改善芯片內(nèi)部的IR Drop，最終芯片內(nèi)部不存在IR Drop的違規(guī)，滿足了功耗要求，如圖5所示。
3 結(jié)語(yǔ)
本文主要討論了基于RSA算法的電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片的電源規(guī)劃?；赟MIC 0．18μm工藝，首先對(duì)該芯片進(jìn)行預(yù)設(shè)計(jì)，通過對(duì)預(yù)設(shè)計(jì)進(jìn)行功耗預(yù)估和布線擁塞程度的分析結(jié)果，在正式設(shè)計(jì)時(shí)提高了芯片利用率，減小了芯片的面積；并且通過詳細(xì)的電源規(guī)劃(包括雙層電源環(huán)和電源條的設(shè)計(jì)等)消除了預(yù)設(shè)計(jì)時(shí)存在的電壓降違規(guī)，使該電子系統(tǒng)認(rèn)證芯片最終滿足功耗要求和時(shí)序收斂。
評(píng)論