簡(jiǎn)化離線式開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)

　由于器件采用BCDMOS技術(shù)制造,不存在起動(dòng)電阻器。有可能將高壓整流電源直接連接到器件上,其起動(dòng)與雙芯片器件相似,然而,區(qū)別是該器件用內(nèi)部電流源為Vcc電容器充電,一旦Vcc引腳電壓達(dá)到閾值電壓,器件起動(dòng),電流源從內(nèi)部斷開(kāi),因此在正常運(yùn)作期間,不從電路中直接吸取能量,因而效率提高。對(duì)于較高功率電源,可采用圖5所示的系統(tǒng),它與先前的系統(tǒng)很相似,但它以準(zhǔn)諧振模式工作,Lm不是一個(gè)單獨(dú)的元件,而是變壓器的一部分。

　　在這種模式下,開(kāi)關(guān)頻率與輸入電壓和負(fù)載水平無(wú)關(guān),在低輸入電壓和大負(fù)載的情況下,頻率降低,而在高輸入電壓和小負(fù)載的情況下,開(kāi)關(guān)頻率升高。在最大輸入電壓下,所需頻率不應(yīng)超過(guò)最高開(kāi)關(guān)頻率150kHz,因此施加的負(fù)載應(yīng)有所限制。準(zhǔn)諧振模式的優(yōu)點(diǎn)是EMI較低和效率較高。

　　這里未出現(xiàn)先前所用的傳統(tǒng)RCD(電阻器電容器二極管)緩沖器,作為替代,采用一個(gè)與開(kāi)關(guān)并聯(lián)的小型電容器,電源開(kāi)關(guān)配有一個(gè)額外的同步引腳,用于開(kāi)通SenseFET。在次級(jí)二極管截止之前,其工作與非連續(xù)電流反激方式基本相同。在初級(jí)二極管截止后,開(kāi)關(guān)管漏極開(kāi)始振鈴動(dòng)作,頻率由串聯(lián)的電容器和初級(jí)電感量所決定。同步引腳電壓開(kāi)始下降,當(dāng)電壓超過(guò)閾值時(shí),開(kāi)關(guān)再次閉合。選擇合適的同步引腳元件,使得漏極電壓達(dá)到最小值時(shí),同步電壓達(dá)到閾值。該系統(tǒng)為軟開(kāi)關(guān)型,具有很小的EMI,因?yàn)槁O電壓很小,開(kāi)關(guān)損耗也降至最低。

　　但這里忽略了功率因數(shù)校正問(wèn)題,因?yàn)樵跉W洲已經(jīng)要求所有功耗超過(guò)75W的設(shè)備需進(jìn)行功率因數(shù)校正。

　　有幾種方法可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正,從簡(jiǎn)單的無(wú)源解決方案到較復(fù)雜和性能較好的有源解決方案。飛兆半導(dǎo)體的ML4803采用小型8引腳封裝,集成了PFC和PWM SMPS控制器,在技術(shù)和成本具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢(shì)。

　　現(xiàn)在已經(jīng)有多種適合不同應(yīng)用和功率范圍的器件,使離線式開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)變得更為簡(jiǎn)單。