高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真

摘要：文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效性和適用性。
關(guān)鍵字：高頻；絕緣門極雙極型晶體管；驅(qū)動(dòng)電路；IGBT

0 引言
絕緣門極雙極型晶體管是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、飽和壓降低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上的不合理，制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。本文分析了IGBT對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，設(shè)計(jì)了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路。

1 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路是IGBT與控制電路之間的接口，實(shí)現(xiàn)對(duì)控制信號(hào)的隔離、放大和保護(hù)，驅(qū)動(dòng)電路對(duì)IGBT的正常工作及其保護(hù)起著非常重要的作用，門極電路的正偏壓uGS，負(fù)偏壓-uGS和門極電阻Rc的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力參數(shù)有不同的程度的影響，因此驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)IGBT的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)性能都有重要影響，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路提出以下要求：
①動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，能為柵極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖提供充分大上升率和下降率，以減小開通和關(guān)斷損耗。但是，由于主電路中存在分布電感及濾波電容的串聯(lián)電感，隨著IGBT的高速開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生高頻幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓Ldi／dt，該尖峰電壓應(yīng)用常規(guī)的過電壓吸收電路是吸收不掉的，因而有可能造成IGBT自身或電路中其他元件過電壓擊穿而損壞。所以，主電路應(yīng)盡可能使用短引線或雙絞線降低分布電感的影響，而且IGBT開關(guān)時(shí)間也不能過短，其值應(yīng)根據(jù)所有元件及IGBT自身的承受du／dt的能力綜合考慮。
②能向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓，IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在集射極電流一定的情況下，uGE越高，uCE就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于提高開關(guān)效率。但是，uGE并非越高越好，一般不允許超過20V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常取15V為宜。
③能向IGBT提供適當(dāng)?shù)姆聪驏艠O電壓。IGBT柵射極施加的反向偏壓有利于其快速關(guān)斷，但-uGE反向偏壓受IGBT柵射極之間反向最大耐壓的限制，過大的反向電壓會(huì)造成IGBT柵射極的反向擊穿，所以-UGE應(yīng)取合適的值，一般為-2V～-15V。
④有足夠的輸入輸出電隔離能力。由于IGBT多用于高電壓場合，而控制電路并不與高壓電路有直接耦合，所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上有嚴(yán)格的隔離。但是，這種電隔離不應(yīng)影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正常傳輸。
⑤具有柵極電壓限幅能力，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極限電壓一般為-20～+20V，超出此范圍就可能破破環(huán)柵極。
⑥選擇合適RG，IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的RG對(duì)工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗，RG較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損環(huán)。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐一幾十歐。
⑦IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能的簡單、實(shí)用，最好具有對(duì)驅(qū)動(dòng)IGBT的完整保護(hù)能力及很強(qiáng)的抗干擾性能，而且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。
⑧由于柵極信號(hào)的高頻變化，造成同一個(gè)系統(tǒng)多個(gè)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路相互干擾。為防止干擾的出現(xiàn)，引線應(yīng)采用絞線或同軸電纜屏蔽線，同時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路中IGBT模塊柵射的引線也應(yīng)盡可能的短。
2 實(shí)用型IGBT驅(qū)動(dòng)電路
針對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的上述要求，在工程實(shí)踐中提煉出一種簡單實(shí)用的分立式IGBT驅(qū)動(dòng)電路，其電路簡圖如圖1所示，在電路簡圖中：Q1，Q3為NPN型三極管，Q2，Q4為PNP型三極管，D1～D4為保護(hù)二極管，二路PWM控制信號(hào)A，B為高電平或低電平，即A為高電平，B為低電平時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，Q2、Q3關(guān)斷，此時(shí)，Q1、Q4和T1原邊繞組就形成通路，脈沖電壓加在T1的原邊，與原邊同相位的次邊得到開通驅(qū)動(dòng)信號(hào)，與原邊相反的次邊得到關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這些部分的作用是將A、B信號(hào)推挽放大，并通過隔離變壓器T1將驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生電路與高壓電路隔離。