一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設計
1.2 電路實現(xiàn)
式(2)與式(3)中的平方運算可以由4個工作在飽和區(qū)的NMOS管實現(xiàn),平方項中的減法運算可以由減法電路實現(xiàn),如圖3所示。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/179291.htm
將這種減法電路和4個工作在飽和區(qū)的NMOS管相結合,得到一種新型的CMOS四象限模擬乘法器,如圖4所示。
如上述,定義圖4中2個差分輸入對分別為Via1=V1-V2;Vid2=V3-V4,輸出端Vo1,Vo2。為了使電路工作在飽和區(qū),最小的電源電壓必須滿足:
最終輸出Vo,由式(6)、式(7)相減可得:
由輸出式(11)可知,該乘法器的輸出增益僅由負載電阻R,以及M9~M12晶體管的跨導參數(shù)決定。相比圖1所示電路結構,節(jié)約4個電阻,減少了版圖面積,電路結構更為簡單。
2 電路仿真與分析
對圖4所示乘法器使用HSpice仿真軟件進行仿真,其中MOS晶體管模型參數(shù)由典型0.18 μm CMOS工藝提供。電源電壓為1.8 V,仿真結果顯示,在1.8 V的工作電壓下,該乘法器靜態(tài)功耗可低至80μW,其線性輸入范圍達到±0.3 V,-3 dB帶寬可達到1 GHz。
為合理比較圖1和圖4所示兩種乘法器性能,將它們靜態(tài)功耗和轉換增益設為一致。晶體管參數(shù)設置如下:
其中2個電路靜態(tài)電源功耗均設為195μW;圖1中,Vid1,Vid2的共模電平設為0.66 V;圖4中,Vid1的共模電平設為0.6 V,Vid2的共模電平設為0.2 V。
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