高頻串聯(lián)逆變器諧振極電容緩沖電路的研究
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（a） C=0時，MOSFET的工作波形圖
（b） C=0時，MOSFET關(guān)斷時刻的工作波形圖
（c） C=500PF時，MOSFET的工作波形圖
（d） C=500PF時，MOSFET關(guān)斷時刻的工作波形圖
圖6 測試電路中MOSFET的工作波形
（CH1為開關(guān)電流波形，CH2為示波器表筆衰減10后的開關(guān)電壓波形)
6 結(jié)語
1）在頻率高達(dá)MHz級的串聯(lián)諧振逆變器中，開關(guān)器件漏源極兩端并聯(lián)一個適當(dāng)大小的無損電容，可以減少關(guān)斷損耗；
2）諧振電容值越大，關(guān)斷損耗越小，但總體損耗增加，在選擇C值時，應(yīng)折衷考慮；
3）實(shí)際工作過程中，隨著負(fù)載溫度的提高，從而使逆變器偏離最佳工作點(diǎn)，參數(shù)的選取應(yīng)留有一定的裕度，以保證緩沖電容放電完畢才開通同橋臂的MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)零電壓開通。
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