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一種高精度低電源電壓帶隙基準源的設計

作者: 時間:2011-02-25 來源:網(wǎng)絡 收藏

3.3 部分關鍵參數(shù)的設計
在室溫下,設計雙極型晶體管的面積比n=8,計算出電壓的溫度系數(shù)


為保證式(8)的溫度系數(shù)為0,那么,為了降低運算放大器的輸入R21和R22的電阻比值設定為1.5,為保證輸出約在0.9 V,電阻R3和R2的比值為,經(jīng)Hspice模擬,設計的電路參數(shù)為R21=120 kΩ,R22=80 kΩ,R0=20 kΩ,R3=150 kΩ。

4 模擬結果
基于UMC 0.25μm CMOS工藝,采用Hspice對設計的電路進行仿真驗證。圖5為電源電壓為1.5 V,輸出基準電壓為900 mV時的輸出溫度特性,在-40~120℃的溫度范圍內(nèi),輸出基準電壓變化為1.3 mV,設計的電路具有較好的溫度特性。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/179656.htm


圖6為輸出基準電壓隨電源電壓的變化,當電源電壓下降到1 V時,輸出基準電壓迅速下降,電源電壓在1.1~3.5 V之間變化時,輸出電壓變化約為2 mV,電路的輸出電壓隨電源電壓的變化小。
設計的基準電壓源主要性能參數(shù),如表1所示。



5 結束語
在傳統(tǒng)CMOS帶隙基準源的基礎上,本文采用0.25μmCMOS工藝,運用正負溫度系數(shù)電流求和的原理,設計了0.9 V帶隙基準電壓源,電源電壓可以降低至1.1 V,溫度系數(shù)為8.1×10-6/℃,而且基準電壓的輸出可以根據(jù)需要進行調(diào)節(jié),仿真結果表明了設計的正確性,加上輸出緩沖器,該電路可以集成到芯片內(nèi)部作為其內(nèi)置基準源。


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