基于EL7558BC的DC/DC變換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
ΔIL為允許的最大輸出電感紋波電流值,這個(gè)值通常必須小于0.8A。
電容的選擇要從電容直流額定電壓,電容的額定紋波電流,電源的最大輸出紋波電壓,電源的穩(wěn)定性等四個(gè)因素去考慮。電容額定電壓必須大于輸出電壓,一般至少要比輸出電壓高出10%,以控制紋波和瞬態(tài)響應(yīng)。最大的電容紋波電流(即電容RMS電流)可以用式(6)計(jì)算,所選電容的額定紋波電流必須大于式(6)的計(jì)算結(jié)果。
IC(RMS,MAX)=(6)
式中:IC(RMS,MAX)為最大的電容RMS電流。
對于電源的最大輸出紋波電壓,首先,要確定具體應(yīng)用對輸出紋波電壓的要求,EL7558BC芯片輸出紋波電壓必須限制在輸出電壓的2%以內(nèi)。接著,利用式(7)計(jì)算允許的電容最大ESR,選擇最大額定ESR小于式(7)計(jì)算值,以確保輸出紋波電壓符合應(yīng)用要求。另外,電容ESR的溫漂也必須考慮在內(nèi)。
ESRMAX′=(7)
式中:ESRMAX為允許的最大輸出電容ESR;
ΔV(MAX)為允許的最大輸出紋波電壓值;
ΔIL(MAX)為允許的最大輸出紋波電流值,這個(gè)值通常必須小于0.8A。
可以通過多個(gè)電容并聯(lián)的方法來降低ESR,提高電路的瞬態(tài)響應(yīng),不過總的ESR必須大于10mΩ,總的電容值必須大于330μF。
2.5 布局布線注意事項(xiàng)
在布局布線時(shí),原則是所有的外圍元器件要盡可能的靠近EL7558BC電源芯片,尤其是去耦電容和旁路電容必須布在相應(yīng)的管腳附近。EL7558BC器件有兩個(gè)地(模擬地和電源地),模擬地連接所有噪聲敏感信號,而電源地連接有噪聲的信號。兩個(gè)地之間引入噪聲將降低芯片的性能,尤其在大電流輸出的情況下。但是,模擬地的噪聲過大將會影響控制信號,所以,推薦把模擬地和電源地分開,并且兩個(gè)地在一點(diǎn)(通常在芯片下面或者在輸入或輸出電容的負(fù)邊)直接連接以降低兩個(gè)地之間的噪聲。連接反饋腳(腳1和腳28)的走線對噪聲最為敏感,要盡可能地短,最好布在兩個(gè)地線中間。
EL7558BC芯片的散熱主要靠VSSP引腳以及芯片底部的散熱焊盤。為了達(dá)到良好的散熱性能,散熱焊盤必須完全焊接在PCB上,如果有中間的地層時(shí),必須通過多個(gè)過孔把地層與散熱焊盤相連以提高散熱效果。
3 結(jié)語
我們采用以上方法,用兩塊EL7558BC芯片設(shè)計(jì)了基于FPGA的MPEG4解碼器芯片設(shè)計(jì)演示開發(fā)板的電源(輸入4.5~5.5V,輸出3.3~1.5V)。其中3.3V輸出的設(shè)計(jì)電路如圖1所示,各項(xiàng)指標(biāo)如下:
1)輸出電壓校準(zhǔn)在輸入電壓從4.5V到5.5V及負(fù)載電流從0到8.0A的范圍內(nèi)變化時(shí),輸出電壓變化不超過1.0%;
2)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)負(fù)載電流在15μs內(nèi)從0A到8A或從8A到0A突變,輸出電壓瞬時(shí)波動(dòng)不超過120mV,波動(dòng)時(shí)間不超過25μs;
3)輸出電壓紋波在輸入電壓為4.5~5.5V時(shí),輸出電壓紋波峰峰值低于22mV。
4)輸入電壓紋波在負(fù)載為8A,輸入電壓為4.5~5.5V時(shí),輸入電壓紋波峰峰值大約為230mV,增大輸入電容值,將C9從220μF換成470μF,輸入電壓紋波峰峰值降到180mV左右。
基于EL7558BC的 DC/DC模塊設(shè)計(jì)體現(xiàn)了新型的快速,簡易的電源解決方案,其設(shè)計(jì)方法在目前的DC/DC變換器設(shè)計(jì)中是非常典型的,具有相當(dāng)?shù)膮⒖純r(jià)值。
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