一個(gè)高可靠性的短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
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時(shí)間：2010-12-19
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
比較器輸入端的Vinp，因此比較器輸出信號(hào)Vcon為低電平，將關(guān)斷P功率管，實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)。
當(dāng)P功率管關(guān)斷后，ID0=O，晶體管Vcon將截止，此時(shí)比較器Vinp輸入端電壓Vmin_OD取決于晶體管VM2、VM3、VM4組成的網(wǎng)絡(luò)，只要保證Vmin_OD大于Vinm電壓(Vinm=VOUT=O)，P功率管將一直處于關(guān)閉狀態(tài)。
接下來(lái)將分析VM2、VM3和VM4組成的網(wǎng)絡(luò)如何確保Vmin_OD大于0。分析電路可知，VM2、VM3工作在飽和區(qū)，VM4工作在線性區(qū)，因此ID3>ID4，ID4=ID2。
因此選取
，即可得到Vinp>0。本文VM3的寬長(zhǎng)比為VM2的寬長(zhǎng)比的10倍，Vmin_OD=2．6 mV。當(dāng)短路排除后，流過(guò)VM5的電流將對(duì)RC網(wǎng)絡(luò)充電，過(guò)t秒后Vinm(0UT)端電壓將大于Vmin_OD，電路正常工作。其中充電時(shí)間為：
式中IDM5為VM5的漏電電流，RL=VOUT／Imax，CL為負(fù)載電容，其中Imax是系統(tǒng)規(guī)定的最大負(fù)載電流。要使系統(tǒng)能正常啟動(dòng)，IDM5必須滿足IDM5>VOUT／RL，因此合理選取參數(shù)，就能正常啟動(dòng)。
2 仿真結(jié)果與討論
基于TSMC O．18μm CMOS工藝，仿真結(jié)果如圖2～圖3所示。仿真結(jié)果表明輸出短路時(shí)，輸出電流為O，P功率管被關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)。
圖3(a)所示曲線的仿真條件是輸出負(fù)載周期性地從0 Ω變化到5 Ω。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸出發(fā)生短路時(shí)(即負(fù)載為0)，輸出電流被限制在最大電流值，這樣功率MOS管會(huì)消耗大量功耗，將加快器件的老化。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/180077.htm
圖3(b)所示曲線的仿真條件與圖3(a)的條件一樣。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸出發(fā)生短路時(shí)(即負(fù)載為0)，輸出電流被限制為O，即功率MOS管被完全關(guān)斷，同時(shí)表明系統(tǒng)具有自動(dòng)恢復(fù)的特點(diǎn)，即負(fù)載短路消除后，系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。
3 結(jié)論
在限流電路的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)改進(jìn)一個(gè)短路保護(hù)電路，確保在短路情況下，徹底關(guān)斷功率MOS管，減少短路發(fā)生時(shí)系統(tǒng)損失的功耗。同時(shí)該電路具有以下特點(diǎn)：高可靠性、自動(dòng)恢復(fù)，即使地平面存在大量噪聲，當(dāng)短路發(fā)生時(shí)，穩(wěn)壓器的功率管截止，實(shí)現(xiàn)保護(hù)，而短路一旦消除，穩(wěn)壓器的輸出將自動(dòng)恢復(fù)到正常狀態(tài)，有效地保護(hù)系統(tǒng)。在藍(lán)牙功率放大器電源管理電路中得到了很好應(yīng)用。
評(píng)論