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如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化

作者: 時(shí)間:2010-08-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/180560.htm

下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式,并將其放入方程式中:

這樣,輸出電流的就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電流等于如下表達(dá)式時(shí),將會(huì)。

需要注意的第一件事是,a1 項(xiàng)對(duì)效率達(dá)到最大時(shí)的電流不產(chǎn)生影響。這是由于它與相關(guān),而上述又與諸如二極管結(jié)點(diǎn)的輸出電流成比例關(guān)系。因此,當(dāng)輸出電流增加時(shí),上述損耗和輸出功率也會(huì)隨之增加,并且對(duì)效率沒(méi)有影響。需要注意的第二件事是,最佳效率出現(xiàn)在固定損耗和傳導(dǎo)損耗相等的某個(gè)點(diǎn)上。這就是說(shuō),只要控制設(shè)置 a0 和 a2 值的組件,便能夠獲得最佳效率。還是要努力減小 a1 的值,并提高效率??刂圃擁?xiàng)所得結(jié)果對(duì)所有負(fù)載電流而言均相同,因此如其他項(xiàng)一樣沒(méi)有出現(xiàn)最佳效率。a1 項(xiàng)的目標(biāo)是在控制成本的同時(shí)達(dá)到最小化。表 1 概括總結(jié)了各種損耗項(xiàng)及其相關(guān)損耗系數(shù),該表提供了一些最佳化效率方面的折中方法。例如,功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻的選擇會(huì)影響其柵極驅(qū)動(dòng)要求及 Coss 損耗和潛在的緩沖器損耗。低導(dǎo)通電阻意味著,柵極驅(qū)動(dòng)、Coss 和緩沖器損耗逆向增加。因此,您可通過(guò)選擇 MOSFET 來(lái)控制 a0 和 a2。壓;它們還包含兩組低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),負(fù)責(zé)提供電源給鎖相回路 (PLL) 和SRAM或處理器的其它功能模塊。這些器件還有許多功能未列在表中,例如后備電池支持、I2C界面和重置功能。 表 1 損耗系數(shù)及相應(yīng)的電源損耗損耗系數(shù)舉例

  a0偏壓損耗 Coss 損耗

  內(nèi)核損耗 緩沖器損耗

  柵極驅(qū)動(dòng)損耗

  a1二級(jí)管結(jié)點(diǎn)損耗 開(kāi)關(guān)損耗

  逆向恢復(fù)損耗 SR 停滯時(shí)間損耗

  a2FFT 電阻損耗 繞組損耗

  漏電感損耗 蝕刻損耗

  電容器紋波 | 損耗 電流感應(yīng)損耗

  代數(shù)式下一位將最佳電流代回到效率方程式中,解得最大效率為:

需要最小化該表達(dá)式中的最后兩項(xiàng),以最佳化效率。a1 項(xiàng)很簡(jiǎn)單,只需對(duì)其最小化即可。末尾項(xiàng)能夠部分優(yōu)化。如果假設(shè) MOSFET 的 Coss 和柵極驅(qū)動(dòng)功率與其面積相關(guān),同時(shí)其導(dǎo)通電阻與面積成反比,則可以為它選擇最佳面積(和電阻)。圖 1 顯示了裸片面積的優(yōu)化結(jié)果。裸片面積較小時(shí),MOSFET 的導(dǎo)通電阻變?yōu)樾氏拗破?。隨著裸片面積增加,驅(qū)動(dòng)和 Coss 損耗也隨之增加,并且在某一點(diǎn)上變?yōu)橹饕獡p耗組件。這種最小值相對(duì)寬泛,從而讓設(shè)計(jì)人員可以靈活控制已低損耗的 MOSFET 成本。當(dāng)驅(qū)動(dòng)損耗等于傳導(dǎo)損耗時(shí)達(dá)到最低損耗。

  

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