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改善開關(guān)電流電路主要誤差的方案

作者: 時間:2010-08-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
 技術(shù)是一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。它具有的特有優(yōu)點(diǎn),如速度快,適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的電容技術(shù)相比,技術(shù)不需要線性電容和高性能的運(yùn)算放大器,整個由晶體管組成,因此可與標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字CMOS工藝兼容。針對開關(guān)電流中的時鐘饋通和傳輸進(jìn)行詳細(xì)分析,并提出了解決辦法。

  1 時鐘饋通分析

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/180584.htm

  時鐘饋通誤差是一個復(fù)雜的物理現(xiàn)象,在這里以第二代開關(guān)電流存儲單元為例進(jìn)行分析。

  圖1為存儲單元,圖2為開關(guān)斷開時的電荷注入示意圖。

  


  對圖1所示的存儲單元,Ms的溝道電荷可以近似地描述為:

  

  其中:Cax是柵氧化層單位面積電容;wseff和Lseff分別是Ms的有效溝道寬度和長度;Vgs是Ms的柵一源電壓;VT是Ms的閾值電壓,由式(2)給出:

  

  式中:2 |φF|是強(qiáng)反型層表面勢壘;r是體閾值參數(shù);VT0是Vgs=0時的閾值電壓。

  

  一般情況下,1 V

  

  將式(3)代入式(1),得到注入存儲電容的溝道電荷為:

  

  其中:aq表示溝道電荷注入存儲電容的分配系數(shù),典型值為:aq=1/2。由柵極擴(kuò)散覆蓋電容Co1,注入存儲電容的電荷為:

  

  根據(jù)式(4)和式(5)司得整個注入電荷的總量為:

  

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