電池管理應(yīng)用中精確測量和溫度穩(wěn)定的重要性
如上所述,在小電流的情況下,造成電流測量誤差的最大原因是電流測量ADC中的偏移量,而目前已經(jīng)有好幾種技術(shù)可減小這種偏移量。其中,最常用的技術(shù)是在受控環(huán)境中對偏移量進行測量,然后在每一次的測量值中都減去該偏移量。但這種方法有一個弱點,就是沒有考慮到偏移量的漂移。圖1顯示了把該技術(shù)用于一定數(shù)量的部件之后的殘余偏移量。愛特梅爾的電池管理單元采用的是一種更好的方法,而ATmega16HVA所 通過周期性改變電流測量的極性來抵償偏移量就是一例。雖然利用這方法仍會殘余極小但恒定的偏移量,不過,這個很小的殘余偏移量只需在保護FET開路之前進行測量,并通過電池組提供一個已知電流,就可以除去。如圖2所示,利用這種方法可以顯著減小偏移量,而愛特梅爾BMU中偏移量漂移引起的殘余誤差更低于量子化級。消除偏移量的好處在于能夠精確測量很小的電流,而對于偏移量大的器件,就得在某一點上停止電流測量,轉(zhuǎn)而開始預(yù)測電流。有些BMU采用5mΩ的感測電阻,提供高達100mA的鎖定零區(qū)或死區(qū)。以筆記本電腦為例,這可是很可觀的電流量,足以保持某個工作模式非常長的時間了。本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/181105.htm
圖2 使用愛特梅爾的偏移消除技術(shù)之后的殘余偏移量
精確測量小電流
對于給定大小的感測電阻,電流測量ADC的偏移誤差每每限制了其能夠測量的最小電流級,致使在低感測電阻值和所需死區(qū)(這里因為電流級太低,無法集聚電荷流)之間必須進行大幅折中。最近,大多數(shù)設(shè)備制造商都在尋找降低耗電量,并盡可能保持低功耗模式的方法,使確保小電流獲得精確測量的技術(shù)變得愈發(fā)重要。
電流測量的度偏移
要精確測量μV數(shù)量級電壓本身就頗具挑戰(zhàn)性,而在芯片經(jīng)受溫度變化時實現(xiàn)精確測量更是困難,因為即使是一部主要在室內(nèi)工作的筆記本電腦,還是會經(jīng)歷溫度變化。例如,在電池均衡管理期間,BMU內(nèi)部的一個FET以最大功率消耗電池的能量,致使芯片溫度大幅上升。與偏移有關(guān)的許多參數(shù)都有較大的溫度偏移,如果不消除這些效應(yīng),將影響到測量精度。愛特梅爾的偏移校準方法已獲證明在考慮到溫度效應(yīng)時也非常有效。如圖2所示,溫度效應(yīng)被完全消除,從而確保偏移不再對測量精度造成影響。
帶隙基準電壓的特性及其對電壓測量的影響
帶隙基準電壓是獲得高精度結(jié)果的關(guān)鍵因素。來自固件預(yù)期值的實際基準電壓值偏差會轉(zhuǎn)化為測量結(jié)果的增益誤差,而在大多數(shù)情況下,這是電池電壓測量和大電流測量中最主要的誤差源。
標準帶隙基準電壓是由一個與絕對溫度成正比(PTAT)的電流和一個與絕對溫度成互補關(guān)系(CTAT)的電流兩部分相加組成,可提供不受溫度變化影響而且相對穩(wěn)定的電流。這個電流流經(jīng)電阻,形成不受溫度變化影響而且相對恒定的電壓。不過,由于CTAT的形狀是曲線,而PTAT是線性的,所以得到的電壓-溫度關(guān)系圖形也是曲線。
圖3 無曲率補償?shù)膸督Y(jié)果
帶隙基準源中的電流級存在一定的生產(chǎn)差異(production variation),使得25℃時的基準額定值、曲率形狀和曲線最平坦部分的位置都會發(fā)生各種變化,因此需要進行工廠校準,以盡量減小這種變化的影響,圖3所示為一個未校準基準源帶來的變化實例。在-20~+85℃的溫度范圍內(nèi),最高差異為-0.9~0.20%。而圖3則顯示有兩個離群點的曲線跟大多數(shù)其他器件的曲線有相當大的差異。
圖4 帶曲率補償?shù)膸?/p>
BM器件中常用的標準帶隙基準源針對額定變化被校準,在25℃時的精度極高。然而,曲率形狀和位置變化的補償也相當常見,這就產(chǎn)生與溫度變化有關(guān)的大幅變化,使得在高和低溫時電池電壓測量不夠精確。此外,也不可能檢測和顯示出曲線形狀顯著不同的離群點。
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