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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

作者: 時間:2009-12-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

0 引 言
隨著集成技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加,超大規(guī)模集成(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的不斷提高,已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm 工藝下,設(shè)計一種適用于音頻功放的高精度帶熱滯回電路。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/181136.htm


1 電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
整個電路結(jié)構(gòu)可分為啟動電路、PTAT電流產(chǎn)生電路、溫度比較及其輸出電路。下面詳細(xì)介紹各部分電路的設(shè)計以及實(shí)現(xiàn)。文中所設(shè)計的溫度整體電路圖如圖1所示。

1.1 啟動電路
在與電源無關(guān)的偏置電路中有一個很重要的問題,那就是“簡并”偏置點(diǎn)的存在,每條支路的電流可能為零,即電路不能進(jìn)入正常工作狀態(tài),故必須添加啟動電路,以便電源上電時擺脫簡并偏置點(diǎn)。上電瞬間,電容C上無電荷,M7柵極呈現(xiàn)低電壓,M7~M9導(dǎo)通,PD(低功耗引腳)為低電平,M3將M6柵壓拉高,由于設(shè)計中M2寬長比較小,而此時又不導(dǎo)通,Q1~Q4支路導(dǎo)通,電路脫離“簡并點(diǎn)”;隨著M6柵電位的繼續(xù)升高,M2導(dǎo)通,M3源電位急劇降低,某時刻M3被關(guān)斷,啟動電路與偏置電路實(shí)現(xiàn)隔離,電容C兩端電壓恒定,為M7提供合適的柵壓,偏置電路正常工作。然而,當(dāng)PD為高電平時,M4導(dǎo)通,將M6,M10的柵電位拉低,使得整個電路處于低功耗狀態(tài)。
1.2 PTAT電流產(chǎn)生電路
在這一部分,M11,M12,M14,M15組成低壓共源共柵電流鏡,并且有相同的寬長比,使兩條支路電流相等。該結(jié)構(gòu)與一般的共源共柵結(jié)構(gòu)相比,可以提高等效溝道長度,從而增大輸出電阻,提高電路的PSRR性能;并且這種兩管組合結(jié)構(gòu)可消耗較低的電壓壓降,從而增大輸出電壓擺幅,改善芯片低壓工作特性。如圖1所示,為了使共源共柵電流鏡正常工作,必須滿足M14和M15同時工作在飽和區(qū),設(shè)M15的柵極偏置電壓為Vb,M14和M15的漏端電壓分別為VA和VB,即:


選擇M15的尺寸,使它的過驅(qū)動電壓始終小于一個閾值電壓,確保不等式成立,則選擇合適的Vb,即可使M11,M12和M14,M15消耗的電壓余度最小,值為兩個過驅(qū)動電壓。

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