CPU內(nèi)核電壓電路設(shè)計(jì)

　　(2)選擇電感

　　電感L的選擇與工作頻率f是內(nèi)在聯(lián)系的，電源轉(zhuǎn)換器的工作頻率越高，外部電感的取值越小，由此認(rèn)為將工作頻率f提至很高，來(lái)降低外部電感L的取值要求，實(shí)際上這種做法是不可取的，原因是出于工作效率的考慮，因?yàn)轫敹?MOSFET和電感L會(huì)隨著工作頻率f的增大而消耗更多的能量，進(jìn)而大大降低系統(tǒng)的效率。電感值還與突波電流有直接關(guān)系：電感值越大，工作頻率越高，突波電流越小，相反，VIN或VOUT越大，突波電流越大，具體公式如下：

　　突波電流 Iripple是CPU電源設(shè)計(jì)考慮的一個(gè)重要方面，目前CPU電源正朝著低電壓，大電流的設(shè)計(jì)方向發(fā)展,這里選擇1.5 H,20A帶有鐵氧體磁芯的的電感。

　　(3)選擇Rsense

　　LTC1709內(nèi)部電流監(jiān)測(cè)引腳SENSE+,SENSE-與Rsense正負(fù)極相連，監(jiān)測(cè)負(fù)載電路突波電流 Iripple和最大導(dǎo)通電流IMAX,電流比較器限定最大電流：IMAX=75mV/Rsense，并據(jù)測(cè)得突波電流 Iripple稍小于2倍最大導(dǎo)通電流IMAX,即：Rsense=2(50mV/IMAX)。這里IMAX為20A,經(jīng)計(jì)算，Rsense選擇5m ,1% 的精密電阻。

　　(4)選擇二極管

　　二極管D1,D2應(yīng)選用肖特基二極管用于MOSFET 死區(qū)時(shí)期，在電感L和負(fù)載電路之間構(gòu)成放電環(huán)路,防止底端 MOSFET反向?qū)ǎＷo(hù)MOSFET，提高工作效率。通常二極管D1,D2選取額定電流為1A-3A,反向擊穿電壓30V的肖特基二極管。

　　（5） 選擇輸出電容COUT

　　COUT要選取ESR等效串聯(lián)阻抗值小的電容，這對(duì)減小電路由重載變輕載時(shí)的 VOUT階躍電壓，防止階躍電壓過(guò)大燒毀CPU，抑制突波電流 Iripple有重要意義。

　　根據(jù)上式，并考慮到成本，輸出電容COUT選擇最大電壓4V，180 F鉭質(zhì)電容4個(gè)。

　　結(jié)語(yǔ)

　　LTC1709電源轉(zhuǎn)換器憑借少量的外圍器件提供穩(wěn)定的電壓電流輸出，特別適宜用作便攜式電腦CPU電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。此種芯片已成功應(yīng)用于幾款便攜式電腦的研發(fā)設(shè)計(jì)中，經(jīng)嚴(yán)格測(cè)試，性能優(yōu)越，穩(wěn)定性強(qiáng)，效果很好。