新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 高性能逆變器驅(qū)動芯片BCS1608及其應(yīng)用

高性能逆變器驅(qū)動芯片BCS1608及其應(yīng)用

作者: 時間:2009-04-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

DIR,SEL:控制三路信號的相位,其控制方式如表1所列;

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/181424.htm

GND:數(shù)字地:
IN:輸入時鐘信號;
SHDN:電路使能信號,高電平有效;
FB:DC-DC輸出電壓反饋引腳,可設(shè)置VBB的最高電壓;
VCC:輸入低壓電源腳;
SW:內(nèi)部NMOS開關(guān)管的漏極輸出;
OUT1~OUT3:三路信號輸出。

的外圍電路十分簡單,它僅需要快恢復(fù)二極管、電感和電容各一個即可與內(nèi)部電路組成Boost升壓電路,兩個電阻用于反饋,另一個電容用于濾波,其典型電路如圖5所示。

4輸出電壓模式

由表1可知,的電壓輸出模式分為兩種:兩相模式和三相模式。兩相輸出時,輸出為輸入時鐘的2分頻,而三相輸出時為則輸入時鐘的3分頻。利用MATLAB搭建的內(nèi)部電路逆變部分的仿真模型如圖6所示,其中S函數(shù)輸入為輸出電壓控制信號的輸出電壓頻率,輸出為六個功率開關(guān)的開關(guān)信號。該模型可根據(jù)SEL、DIR的不同值產(chǎn)生相應(yīng)的信號,以使逆變電路輸出不同相位的電壓,同時,為了防止同一橋臂直通,S函數(shù)中還設(shè)置了死區(qū)時間。通過改變SEL和DIR值來對上述兩種工作模式進行仿真,所得到的波形如圖7所示,圖中的輸出相電壓幅值均為36 V,頻率均為20 kHz。





評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉