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現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)(7)

作者: 時(shí)間:2006-06-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
8 的冷卻
8.1 冷卻裝置、冷卻介質(zhì)和冷卻方法
的通態(tài)損耗、開關(guān)損耗、截止損耗等所產(chǎn)生的溫升須由散熱器來降低。散熱器的作用是增加的傳熱和輻射面積、擴(kuò)張熱流以及緩沖傳熱過程。
基于模塊的絕緣性能, 一個(gè)系統(tǒng)的所有功率模塊都可安裝在一塊共同的散熱器上,該散熱器同時(shí)還可當(dāng)作結(jié)構(gòu)部件,實(shí)現(xiàn)其他的功能(外殼、底座等)。
散熱器的散熱過程為:通過直接傳導(dǎo)或借助于傳熱介質(zhì)將熱量傳遞到冷卻介質(zhì)。
傳熱介質(zhì)可以是空氣、水或者(在極少數(shù)情況下)絕緣油,通過其自身的重力或通過風(fēng)扇以及泵來實(shí)現(xiàn)循環(huán)傳熱過程。
冷卻介質(zhì)可以是自然或被強(qiáng)制流動(dòng)的空氣、水及其混合液。
下面將主要討論自然空氣冷卻(自然對(duì)流)、強(qiáng)制空氣冷卻以及僅含一種冷卻介質(zhì)的水冷系統(tǒng)。其他更為復(fù)雜的冷卻方式,象熱管或蒸發(fā)冷卻,一般來說需要針對(duì)具體的應(yīng)用做特別的沒計(jì)。另外,在功率模塊中油冷也幾乎很少被用到。
在材料費(fèi)用和加工費(fèi)用允許的情況下,散熱器材料應(yīng)該具有盡可能好的導(dǎo)熱系數(shù)λ。因此,金屬鋁(純鋁λ=247W/mK)通常是優(yōu)先被采用的材料。在要求特別高的場(chǎng)合有時(shí)也可以采用銅(λ=398W/mK)。
值得注意的是導(dǎo)熱系數(shù)與制造工藝以及所采用的合金有很大的關(guān)系。在實(shí)際應(yīng)用中,多數(shù)散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)λ大致在150W/mK(鑄造鋁合金)和220W/mK(AIMgSi擠壓成型)之間。
熱量的擴(kuò)散對(duì)散熱器的散熱效率有著可觀的影響。因此,對(duì)散熱器根部厚度的優(yōu)化、翼片的數(shù)目、翼片的高度以及翼片的厚度之間比例的合適選取顯得相當(dāng)重要:
1)散熱器的根部是用于安裝功率模塊的、不含分岔的平面區(qū)域。該處與模塊底板之間的溫度梯度相對(duì)較小,有著明顯的熱擴(kuò)散作用;
2)對(duì)于空氣冷卻散熱器來說,其大部分熱量是通過翼片以輻射和傳導(dǎo)的方式傳遞到周邊環(huán)境的。而對(duì)于水冷散熱器來說,這一作用或多或少地是由具有特定結(jié)構(gòu)的水通道來實(shí)現(xiàn)的。
由 Rthha=△T/Ptot=1/(αA) (40)
可得到 Q=αA△T=Ptot
式中:Q為散發(fā)的熱量;
α為傳導(dǎo)系數(shù);
A為傳熱面積;
ΔT為與環(huán)境溫度之間的溫度差;
Ptot為需要帶走的損耗;
Rthha為散熱器的熱阻。
如果采用較多的翼片,便可以增大傳熱面積,但前提是能夠保證流體的順暢流動(dòng),否則α?xí)壤陆怠?BR> 從這一結(jié)論出發(fā),自然冷卻和強(qiáng)制冷卻的優(yōu)化條件便有所不同。
當(dāng)功耗增加時(shí),散熱器溫度增高,受熱也就更加均勻。也就是說,有效熱交換的面積在增加。
8.2 冷卻裝置的傳熱模型
在介紹功率模塊的熱性能時(shí),等效熱路中的散熱器是由一個(gè)RC元件來描述的(Rthha,Zthha)。
然而,當(dāng)功耗在t=0時(shí)刻從P=0跳躍到P=Pm時(shí),散熱器的動(dòng)態(tài)熱抗Zthha隨時(shí)間t而變化的特性曲線顯示出其具有多個(gè)時(shí)間常數(shù)。系統(tǒng)總熱抗的特性曲線Zthha(t)可以通過將功率模塊的熱抗與模塊一散熱器的熱抗相迭加而得到。
8.3 自然空冷(自然對(duì)流)
自然空冷多用于功耗低于50W的系統(tǒng),以及不允許應(yīng)用風(fēng)扇或者的散熱面積特別大的大功率系統(tǒng)。
一般來說,在自由對(duì)流時(shí)散熱器的熱阻往往大于功率模塊的內(nèi)部熱阻。所以,芯片與冷卻空氣之間的溫度差大部分降落在散熱器上。在接近模塊的散熱器處的溫度,常常高于強(qiáng)制風(fēng)冷時(shí)的溫度,例如,在90℃到100℃之間。由于功耗通常比較小,所以根部和翼片相對(duì)較薄,而且材料的傳導(dǎo)系數(shù)對(duì)熱性能的影響不是十分重要。翼片之間的距離應(yīng)當(dāng)足夠地大,以便在空氣的升力(溫度差/密度)和摩擦力之間取得較好的折衷。將散熱器表面黑化可以有效地改善熱輻射性能。在安裝面和環(huán)境空氣之間的溫度差為50 K時(shí),黑化后的散熱器熱阻約降低15%。值得注意的是,上述表面處理并不影響模塊底板和散熱器之間的傳熱界面。
8.4 強(qiáng)制風(fēng)冷
與自然空冷相比較,強(qiáng)制風(fēng)冷時(shí)散熱器的熱阻可降低到1/5~1/15。
同自由對(duì)流相比,強(qiáng)制風(fēng)冷時(shí)的α明顯要大許多。當(dāng)空氣的入口溫度為35℃時(shí)(參數(shù)表中的額定環(huán)境溫度),強(qiáng)制風(fēng)冷散熱器的表面溫度在額定運(yùn)行時(shí)不應(yīng)該大于80℃到90℃。
散熱器材料的傳導(dǎo)系數(shù)對(duì)冷卻的效果影響極大。因此,建議選擇較厚的根部和盡可能多的翼片數(shù)目。由于熱量主要通過對(duì)流而散發(fā),所以對(duì)于強(qiáng)制空冷來說,對(duì)散熱器進(jìn)行黑化處理幾乎沒有什么效果。
熱阻Rthha主要由單位時(shí)間內(nèi)通過的氣流量Vair/t所決定。而氣流量則依賴于冷卻介質(zhì)的平均速度Vair和流通截面A。
Vair/t=VairA (41)
在這里假定氣體的流動(dòng)為層流。實(shí)際上,如果翼片表面的設(shè)計(jì)合適,在翼片表面附近的空氣渦流會(huì)在翼片中形成紊流,從而地一步改善熱傳導(dǎo)的效果。
當(dāng)翼片數(shù)目和翼片寬度進(jìn)一步增加時(shí),散熱器的流通面積減小,冷卻介質(zhì)的壓力降△p增加。這同增加散熱器的長(zhǎng)度(翼片長(zhǎng)度L)是一樣的。因此,傳熱的效果還與風(fēng)扇的性能有關(guān)。圖53給出了風(fēng)扇的特性△p=f(Vair/t)。

由風(fēng)扇的特性和散熱器的壓差曲線△p=f(Vair/t,L)或△p=f(Vair,L)可以得到空氣的流量,如圖54所示。它們的交點(diǎn)決定了散熱器的熱阻。

除了空氣的流量以外,Rthha還取決于散熱器上熱源(功率模塊)的分布及其位置。
如果需要對(duì)強(qiáng)制風(fēng)冷的散熱器剖面進(jìn)行優(yōu)化,則可以將其熱傳導(dǎo)與熱對(duì)流的函數(shù)對(duì)翼片的高度進(jìn) 積分。經(jīng)簡(jiǎn)化后可以得到式(42)

α為對(duì)流系數(shù);
U為翼片的周長(zhǎng);
λ為散熱器的熱傳導(dǎo)系數(shù):
A為翼片的截面;
h為翼片的高度。
常常有數(shù)個(gè)散熱器共用一個(gè)風(fēng)扇的情形。在此情形下,散熱器既可以并聯(lián)(散熱器左右相鄰),又可以串聯(lián)(散熱器在空氣流動(dòng)方向上前后相接)。
尤其是在熱串聯(lián)的情形下,例如,用標(biāo)準(zhǔn)GB電路(半橋模塊)的SKiiPPACK構(gòu)成三相逆變器時(shí),需要在傳熱設(shè)計(jì)中特別注意冷卻空氣會(huì)被前置的SKiiPPACK所加熱。
作為經(jīng)驗(yàn)值,在空氣流量為300m3/h時(shí),每kW功耗所導(dǎo)致的進(jìn)出口空氣溫差可達(dá)10℃左右。
8.5 水冷
對(duì)于功率模塊進(jìn)行水冷既可以用于特大功率的變流器(MW級(jí)),又可以用于較小的功率,條件是系統(tǒng)本身已經(jīng)提供了循環(huán)水的裝置(例如,汽車驅(qū)動(dòng)、電解裝置、感應(yīng)加熱等)。
如果冷卻介質(zhì)的熱量被直接釋放到環(huán)境大氣中,則冷卻介質(zhì)的進(jìn)口溫度多為50℃~70℃。在具有主動(dòng)制冷的工業(yè)裝置中也可以是15℃~25℃。
和空冷相比,散熱器的表面和冷卻介質(zhì)之間的溫差比較小。它可以從兩方面來加以利用:
1)提高功率,在負(fù)載循環(huán)變化時(shí)允許芯片產(chǎn)生更大的動(dòng)態(tài)溫差△Ti;
2)降低芯片的溫度,延長(zhǎng)壽命。
由于水具有較大的熱容量(比熱容Cp=4.187kJ/kgK),所以它原則上優(yōu)于其他液體介質(zhì),如油、乙二醇等。
然而,由于水可能會(huì)引起生銹和結(jié)凍,所以開放式的或封閉式的純水循環(huán)系統(tǒng)極少被應(yīng)用。
如果將水與醇相混合,則冷卻液的熱容量會(huì)下降(當(dāng)入醇量為50%以及流體溫度為40℃時(shí)Cp=3.4kj/kSK)。另外,冷卻液的粘度和比重隨加醇的比例上升而上升,導(dǎo)致散熱器和冷卻液之間的熱阻Rthha急劇增加。例如,同純水相比,含50%醇的冷卻液熱阻會(huì)增加約50%~60%;而當(dāng)醇含量為90%,時(shí),熱阻會(huì)進(jìn)一步上升60%~70%。
為了防銹的目的,SEMIKRON的鋁制水冷散熱器要求醇的含量不低于10%。冷卻液的硬度不得超過6。當(dāng)冷卻溫度大于60℃時(shí),則建議使用循環(huán)式的冷卻液。
采用水冷時(shí),帶功率模塊或SKiiPPACK的散熱器也叮以串聯(lián)。作為經(jīng)驗(yàn)值,每個(gè)散熱器(例如,SEMIKRON用于SKiiPPACK的水冷散熱器)在流量為10L/min以及采用50%/50%的水醇混合液時(shí),每kW功耗的進(jìn)出口溫差約為1.7K。


9 功率電路的設(shè)計(jì)
MOSFET、IGBT或SKiiPPACK模塊的功率電路可以由印刷線路板、銅線、導(dǎo)電銅排或鋁排構(gòu)成,取決于模塊所開關(guān)的電流和電壓等級(jí)。
除了常規(guī)的安裝規(guī)定以外,例如,爬距、電火花間隙或電流密度,由于系統(tǒng)的開關(guān)時(shí)間極短,約在ns至μs范圍內(nèi),功率電路的設(shè)計(jì)還須滿足高頻技術(shù)的要求。
9.l 寄生電感和電容
圖55顯示了一個(gè)帶有寄生元件的IGBT變流器的換流回路。它由直流電壓源vd(對(duì)應(yīng)于換流電壓vk)與兩個(gè)帶有驅(qū)動(dòng)器和反向二極管的IGBT開關(guān)所組成。換流電壓由直流母線電容Cd所維持。外加電流iL從換流回路流出。

9.1.1 換流回路的總電感
在含有S1和D2的換流回路中,參與換流的總電感是L11,L61,L31,L41,L72,L52與L12之和。同理,在含有D1和S2的換流回路中,總電感是L11,L71,L51,L62,L32,L42與L72之和。
當(dāng)S1或S2開通時(shí),換流回路的總電感緩沖了開通過程,使S1或S2的開通損耗得以降低。
但當(dāng)S1和S2關(guān)斷以及在D1和D2反向恢復(fù)時(shí),由于di/dt很高,回路電感會(huì)在晶體管和二極管中感應(yīng)出開關(guān)過電壓。這一效應(yīng)使得關(guān)斷損耗增加,且功率半導(dǎo)體的電壓應(yīng)力也隨之增加。
這一效應(yīng)的負(fù)面影響在短路和過載時(shí)尤為突出。另外,當(dāng)線路中還存在著寄生電容時(shí),可能會(huì)引起高頻振蕩。
因此,在采用硬開關(guān)的變流器中,換流回路的總電感應(yīng)當(dāng)盡可能地小。除了L11和L12以外,其他部分的電感均為模塊的內(nèi)部電感,用戶無法改變。所以,功率模塊制造商的責(zé)任在于通過不斷改善模塊的構(gòu)造技術(shù)以使得其內(nèi)部的電感最小化。
SEMIKRON在參數(shù)表中給出了模塊主電路端子之間的有效內(nèi)部電感(例如,SKMIOOGBl23D的LCEmax=30nH)。
如果模塊僅含一個(gè)開關(guān)(一只IGBT或MOS―FET加一只反向二極管),則在其構(gòu)成逆變器的一相時(shí),應(yīng)使兩個(gè)模塊之間的連線電感盡可能地小。
特別重要的是使直流母線回路的電感盡可能地小。這一方面取決于母線銅排的放置方式,另一方面取決于功率模塊與直流電路的連接方式。在實(shí)際的變流器結(jié)構(gòu)中,層疊狀(平行且相互靠緊)的銅排系統(tǒng)得到了廣泛的應(yīng)用。此類結(jié)構(gòu)可將銅排的電感降低至25~50nH的范圍。
雖然L11+L12對(duì)功率模塊也有影響,但可以通過在功率模塊的直流電路端子間并聯(lián)C、RC或RCD等緩沖電路來減小。在大多數(shù)情況下,一個(gè)由薄膜電容構(gòu)成的簡(jiǎn)單C緩沖電路便足夠了,電容值約在0.1~2μF之間。
9.1.2 發(fā)射極或源極邊的電感
發(fā)射極或源極邊的電感L31及L32既位于功率電路,也位于晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。
當(dāng)晶體管的電流快速變化時(shí),所感應(yīng)的電壓將反饋到驅(qū)動(dòng)電路(發(fā)射極或源極反饋)。這一現(xiàn)象將延緩柵極 發(fā)射極電容在開通時(shí)的充電速度以及在關(guān)斷時(shí)的放電速度,從而使開關(guān)時(shí)間和損耗增加。
另外,如果在模塊附近發(fā)生負(fù)載短路,則發(fā)射極反饋現(xiàn)象可被用來限制集電極電流的di/dt.為了降低電感L31及L32,功率模塊往往在發(fā)射極處具有一個(gè)獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)端子。
如果逆變器底部開關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路由一共用電源供電,則位于驅(qū)動(dòng)地線和直流電路負(fù)極之間的寄生電感可能會(huì)在對(duì)地回路中引起振蕩。為此,可在驅(qū)動(dòng)電源輸出端附加高頻穩(wěn)定電路。對(duì)于大功率變流器來說,可以采用隔離的獨(dú)立驅(qū)動(dòng)電路。
9.1.3 電感L21和L22
L31以及L32為驅(qū)動(dòng)器末極和晶體管之間的引線電感。它除了使驅(qū)動(dòng)電路的阻抗增加以外,還可能與晶體管的輸入電容一起引發(fā)振蕩。其解決辦法是在驅(qū)動(dòng)器末極和晶體管之間采用盡可能短的低電感引線。
9.1.4 電容
圖55中所示的電容Cxx表示了功率半導(dǎo)體的本征電容。它們隨電壓而變化,具有非線性的特性。它們構(gòu)成了換流電容Ck的最小值。從原理上說,它們有利于降低關(guān)斷過程中的損耗。
在開通時(shí),換流電容的充放電會(huì)引起附加損耗。在多數(shù)MOSFET的高頻應(yīng)用中,這一現(xiàn)象應(yīng)得到重視。
C11和C12還對(duì)柵極產(chǎn)生dv/dt的反饋效應(yīng)。
的本征電容與開關(guān)附近的電感一起可能會(huì)引發(fā)振蕩。
9.2 電磁干擾與對(duì)電網(wǎng)的干擾
9.2.1 變流器的過程

如果考察一個(gè)變流系統(tǒng)的運(yùn)行過程,則功率模塊的開關(guān)工作方式一方面會(huì)產(chǎn)生不受歡迎的電磁干擾,另一方面又完成能量傳遞及必要的信號(hào)處理過程,如圖56所示。

這一過程可以按能量的高低做進(jìn)一步的劃分。高能量過程可能會(huì)在電網(wǎng)和負(fù)載中引起電磁干擾,其頻率范圍在基波和10kHz之間。而低能量過程的頻率范圍則大致在10kHz~30MHz之間,主要產(chǎn)生輻射干擾且其傳遞無須借助導(dǎo)線。這里所提到的頻率范圍主要由所采用的測(cè)量方式所決定,并非完全對(duì)應(yīng)于其物理數(shù)值。
變流器在低頻范圍內(nèi)的下擾被稱作電網(wǎng)回饋干擾,習(xí)慣上用電流的高次諧波分量來表達(dá),直至2kHz。而大于10kHz的干擾則被稱作無線電干擾,由于采用了選擇性的頻譜測(cè)量,所以多用干擾電壓的頻譜來表達(dá),其單位是dB/μV。對(duì)于這一頻率范圍(功率模塊的開關(guān)頻率多在此范圍),目前正在討論建立一致的測(cè)量方法以及定義各極限值。有關(guān)這些干擾效應(yīng)的討論還沒有取得完全一致的結(jié)論,因?yàn)?,同樣的物理過程可以通過不同的觀察方式去描述。不同的定義,例如,零電流、對(duì)地電流或不對(duì)稱干擾電壓,其區(qū)別僅在于所定義的頻率范圍不同,以及所有的開關(guān)參數(shù)均和頻率相關(guān)而已。如同無線電干擾過程本身一樣,參數(shù)對(duì)頻率的依賴性是連續(xù)的,因而其過渡范圍也極其寬廣。
9.2.2 干擾電流的產(chǎn)生
所有的干擾源于功率模塊的開關(guān)工作方式。利用圖57所示的等效換流問路可以闡述干擾的產(chǎn)生。

在一個(gè)感性的換流過程中,開關(guān)S1開通時(shí),開關(guān)S2已處于導(dǎo)通狀態(tài)。
在硬開關(guān)過程中(LK=LKmin,CK=CKmin),首先以di/dt進(jìn)行換流,該di/dt由S1的參數(shù)所給定。換流過程至S2的電流反向冀崾,該反向恢復(fù)電流的di/dt與回路中的有效電感以及有效電容CK一起觸發(fā)了電壓的換流過程并決定了電壓的dv/dt?;芈分械挠行щ娙菁此械挠行?duì)地電容CΣ,與之并聯(lián)的還有換流電壓的對(duì)地阻抗。在換流過程開始時(shí),S1的di/dt在換流電容及其并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)1中引起一個(gè)對(duì)稱的電流idm。在換流過程接近結(jié)束時(shí),S2的反向恢復(fù)di/dt以及可被視作電流源的L引起的dv/dt,并在換流電容CK的并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中引發(fā)了不對(duì)稱電流icm。
如果增大LK,則可以使廾通過程變軟、di/dt減小、對(duì)稱的干擾電流也隨之減小。但較大的LK會(huì)引起非對(duì)稱干擾電流的增加。在換流過程開始時(shí),dv/dt是由S1的開關(guān)特性所決定的。但在換流過程結(jié)束時(shí),電壓會(huì)出現(xiàn)跳躍,并由S2的恢復(fù)特性所決定。將開關(guān)變軟,直至零電流開關(guān)模式,可以降低對(duì)稱的干擾電流并改變對(duì)稱電流的頻譜,但卻不能使其有效地減小。
一個(gè)容性的換流過程則始于開關(guān)S1的關(guān)斷。在硬開關(guān)過程中(CK=CKmin),并聯(lián)于換流電容的對(duì)地有效阻抗與開關(guān)S1的參數(shù)一起決定了不對(duì)稱電流的大小。電流換流過程出現(xiàn)于電壓換流過程之后,對(duì)稱的干擾電流由S1的關(guān)斷特性以及S2的導(dǎo)通特性所決定。
通過增大CK可使得關(guān)斷過程變軟。關(guān)斷過程由電流的換流過程開始,其di/dt由S1所決定,此時(shí)的電壓較低。延緩了的dv/dt可以降低電壓換流過程中的非對(duì)稱電流。接下來,S2被打開并決定了電流換流過程的di/dt。如果引入零電壓開關(guān)模式,則該軟開關(guān)將降低非對(duì)稱的干擾電流,但對(duì)對(duì)稱的干擾電流則無明顯的作用。而電容CK的增加會(huì)擴(kuò)大其在容性分流器中的分流比例,從而降低了網(wǎng)絡(luò)1的對(duì)稱千擾電流。所以,在ZVS模式下,采用相位控制的軟廾關(guān)變流線路可以降低非對(duì)稱的干擾電流,而在ZCS模式下則降低對(duì)稱的干擾電流。但在采用輔助的換流回路且交替使用ZVS和ZCS的軟開關(guān)變流線路中,同硬開關(guān)線路相比較,干擾電流并沒有明顯的降低。
9.2.3 傳播途徑
在測(cè)量無線電干擾電壓時(shí),采用有選擇的測(cè)量方法來測(cè)量變流器的電網(wǎng)結(jié)點(diǎn)對(duì)大地的電壓波動(dòng)。標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量過程是借助于一個(gè)電網(wǎng)阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)來測(cè)量對(duì)于參考地的電壓波動(dòng)。在研究電磁干擾頻率范圍內(nèi)的對(duì)稱與非對(duì)稱干擾電流時(shí),所有低頻范圍的簡(jiǎn)單開關(guān)都可以通過附加的電感、電阻和電容來補(bǔ)充,以增強(qiáng)其對(duì)頻率的敏感度。
圖58顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單的降壓斬波器,在這里電網(wǎng)阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)替代了圖57中的網(wǎng)絡(luò)1,而負(fù)載則替代了網(wǎng)絡(luò)2。

模塊則構(gòu)成了S1和S2及其換流電感和電容的等效電路。前述的干擾電流在這里被簡(jiǎn)化為一個(gè)電流源,代表對(duì)稱的干擾電流,以及一個(gè)電壓源,代表非對(duì)稱的干擾電流。在兩個(gè)等效電源中,由測(cè)量而得到的半導(dǎo)體特性可以用時(shí)間函數(shù)來表示.如圖59所示。

9.3 預(yù)裝好的功率單元
SEMIKRON提供巾模塊、MiniSKiiP或KiiP構(gòu)成的預(yù)裝好的功率單元。這些單元是根據(jù)上述原則設(shè)計(jì)的,并針對(duì)所采用的功率模塊特性進(jìn)行了優(yōu)化。
功率單元的功能為:
1)輸入整流器,由二極管、晶閘管或晶體管所組成;
2)疊片式直流母線,由三明治式導(dǎo)電銅排或鋁排、電解式電容或薄膜式電容、高頻抗擾電容、均壓和放電電阻所組成;
3)逆變器橋臂,由IGBT或MOSFET模塊以及SKiiPPACK所組成;
4)水冷或風(fēng)冷散熱器,風(fēng)扇可選;
5)驅(qū)動(dòng)板,包括保護(hù)功能、傳感器、電源和電位隔離部分。
在交貨前,功率單元將在準(zhǔn)應(yīng)用的條件下進(jìn)行測(cè)試。
9.3.1 采用MiniSKiiP的功率組件
圖60顯示了一個(gè)功率組件的方框圖和實(shí)物圖。該組件采用了MiniSKiiP8,在電網(wǎng)電壓為400V時(shí),該組件的最大輸出功率可達(dá)15kW。


這一功率組件的核心部分是一塊印刷電路板,其上集成了SKiiP83ANBl5(二極管整流橋+制動(dòng)斬波器,代號(hào)ANB)或SKiiP83AHB15(晶閘管半控橋+制動(dòng)斬波器,代號(hào)AHB)、SKiiP83AC121(IGBT三相逆變器,額定電流120A/25℃,帶交流電流傳感器)、直流母線回路(700μF)、驅(qū)動(dòng)器(包含電位隔離、電源、過流保護(hù)、過溫保護(hù)和欠壓保護(hù)以及直流母線的充電電路(AHB型)。
通過MiniSKiiP器件以及其他的支撐點(diǎn),可以將該印刷線路板安裝到散熱器上。
9.3.2SKiiP功率組件
如果客戶有要求,SKiiP功率組件可含一個(gè)或數(shù)個(gè)SKiiPPACK(也可以是并聯(lián))、三明治式直流母線電路、整流橋、風(fēng)扇以及附加的吸收電路。
圖61顯示了不同的直流母線電路結(jié)構(gòu),如垂直式或水平式。

在電網(wǎng)電壓230~690 V的范圍內(nèi),所有的SKiiPPACK均可構(gòu)成SKiiP功率組件。采用并聯(lián)SKiiP的方式,組件的輸出功率可達(dá)MW級(jí)。同時(shí),除了SEMIKRON所提供的標(biāo)準(zhǔn)散熱器以外,幾乎任何客戶提供的空冷或水冷散熱器均可以被采用。
圖62顯示了一個(gè)SKiiP功率組件,該組件用于電網(wǎng)電壓為690V(直流母線電壓叮達(dá)1200V),含有三個(gè)具有光纖輸入的SKiiPPACK、三明治式的直流母線電路、以及一個(gè)軸流式風(fēng)扇。當(dāng)開關(guān)頻率為3kHz以及冷卻空氣的進(jìn)口溫度為35℃時(shí),組件連續(xù)輸出電流的有效值(50Hz)可達(dá)250A,1min的過載能力為375A。
9.3.3 采用IGBT或MOSFET模塊的功率組件
如果某些應(yīng)用不能用SKiiPPACK或Mini SKiiP功率組件,則可以采用模塊、驅(qū)動(dòng)板、標(biāo)準(zhǔn)散熱器以及疊片式直流母線電路來構(gòu)成功率組件。這些組件也可以在準(zhǔn)應(yīng)用的條件下進(jìn)行測(cè)試。
上述功率組件已經(jīng)具備了子系統(tǒng)的特性。對(duì)于用戶和制造商來說,這一點(diǎn)決定了組件的設(shè)計(jì)工作和模塊相比較有所不同。 (連載完)

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