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G3524與SG3525的功能特點(diǎn)及軟起動(dòng)功能的比較

作者: 時(shí)間:2005-10-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:對(duì)PWM控制芯片S的工作性能作了介紹和,通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出了在軟上較S有很大的改進(jìn)。

關(guān)鍵詞:S;;脈寬調(diào)制;軟

引言

目前,開(kāi)關(guān)電源越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于各行各業(yè)中,是各種用電設(shè)備的重要組成部分。在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中,常常使用各種PWM的IC。因此,作為開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)者,有必要熟悉各種PWM的集成芯片的性能差別,才能在設(shè)計(jì)的時(shí)候靈活應(yīng)用。下面主要針對(duì)常用的SG3524與SG3525兩種芯片進(jìn)行對(duì)比分析。

1 SG3524與SG3525

SG3524是定頻PWM電路,采用16引腳標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝。其各引腳如圖1(a)所示,內(nèi)部框圖如圖1(b)所示。

腳9可以通過(guò)對(duì)地接阻容網(wǎng)絡(luò),補(bǔ)償系統(tǒng)的幅頻和相頻響應(yīng)特性。根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果,對(duì)地接電容就可以實(shí)現(xiàn)軟。

SG3525也是定頻PWM電路,采用16引腳標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝。其各引腳功能如圖2(a)所示,內(nèi)部框圖如圖2(b)所示。腳8為軟起動(dòng)端。

2 SG3525相對(duì)SG3524的改進(jìn)

SG3525在SG3524的基礎(chǔ)上,主要作了以下改進(jìn)。

1)增設(shè)欠壓鎖定電路 電路主要作用是當(dāng)IC輸入電壓8V時(shí),集成塊內(nèi)部電路鎖定,停止工作(基準(zhǔn)源及必要電路除外),使之消耗電流降至很?。s2mA)。

2)有軟起動(dòng)電路 器的反相端即軟起動(dòng)控制端腳8可外接軟起動(dòng)電容。該電容由內(nèi)部5V基準(zhǔn)參考電壓的50μA恒流源充電,使占空比由小到大(50%)變化。

3)器有兩個(gè)反相輸入端 SG3524的誤差放大器、電流控制器和關(guān)閉控制3個(gè)信號(hào)共用一個(gè)反相輸入端,現(xiàn)改為增加一個(gè)反相輸入端,誤差放大器與關(guān)閉電路各自送至比較器的反相端。這樣,便避免了彼此相互影響,有利于誤差放大器和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)工作精度的提高。

4)增加PWM鎖存器使關(guān)閉作用更可靠 比較器(脈沖寬度調(diào)制)輸出送到PWM鎖存器,鎖存器由關(guān)閉電路置位,由振蕩器輸出時(shí)間脈沖復(fù)位。這樣,當(dāng)關(guān)閉電路動(dòng)作,即使過(guò)電流信號(hào)立即消失,鎖存器也可維持一個(gè)周期的關(guān)閉控制,直到下一個(gè)周期時(shí)鐘信號(hào)使鎖存器復(fù)位為止。

5)振蕩器作了較大改進(jìn) SG3524中的振蕩器只有CT及RT兩引腳,充電和放電回路是相同的。SG3525的振蕩器,除了CT及RT引腳外,增加了放電引腳7、同步引腳3。RT阻值決定對(duì)CT充電的內(nèi)部恒流值,CT的放電則由腳5及腳7之間外接的電阻值RD決定。把充電和放電回路分開(kāi),有利于通過(guò)RD來(lái)調(diào)節(jié)死區(qū)的時(shí)間,這是重大的改進(jìn)。在SG3525中增加了同步引腳3專為外同步用,為多個(gè)SG3525的聯(lián)用提供了方便。

6)輸出級(jí)作了結(jié)構(gòu)性改進(jìn) 電路結(jié)構(gòu)改為確保其輸出電平處于高電平,或低電平狀態(tài)。另外,為了適應(yīng)驅(qū)動(dòng)MOSFET的需要,末級(jí)采用了推挽式電路,使關(guān)斷速度更快。

SG3525增加的工作性能在實(shí)際應(yīng)用中具有重要意義。例如,腳8增加的軟起動(dòng)功能,避免了開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)機(jī)瞬間的電流沖擊,可能造成的末級(jí)功率開(kāi)關(guān)管的損壞。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

對(duì)SG3525與SG3524的軟起動(dòng)功能作了對(duì)比試驗(yàn)。圖3給出了SG3525與SG3524軟起動(dòng)試驗(yàn)的原理圖。圖4給出了SG3525腳8接100μF電容和SG3524腳9接100μF電容時(shí),在通電2s和5s時(shí)的輸出脈寬波形圖。

從圖4的波形以及表1和表2的數(shù)據(jù)比較可以看到,雖然SG3524與SG3525都可以實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)功能,但是,由于SG3525本身設(shè)計(jì)了軟起動(dòng)電路,因此,在實(shí)際實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)的過(guò)程中,由其內(nèi)部的恒流源給外部電容充電,工作時(shí)不會(huì)影響到其它的電路,而SG3524要實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng),就要與誤差放大器、電流控制器等同用一個(gè)反相端,就會(huì)彼此互相影響。另外,在相同電容量的情況下,SG3525更有利于提高軟起動(dòng)時(shí)間。

表1 SG3525腳8接不同的對(duì)地電容時(shí)的軟起動(dòng)時(shí)間

腳8對(duì)地電容C/μF

軟啟動(dòng)時(shí)間t/s

10

0.58

22

1.26

33

1.84

47

2.33

100

4.76

表2 SG3524腳9接不同的對(duì)地電容時(shí)的軟起動(dòng)時(shí)間

腳9對(duì)地電容C/μF

軟啟動(dòng)時(shí)間t/s

10

0.29

22

0.58

33

0.97

47

1.16

100

2.23

4 結(jié)語(yǔ)

通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明,SG3525的軟起動(dòng)性能優(yōu)于SG3524。



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