提高穩(wěn)壓器過(guò)流保護(hù)能力的 MOSFET
當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí),R1兩端的電壓隨之升高,從而使Q2導(dǎo)通,并使Q1的柵極偏壓下降。當(dāng)Q1柵極偏壓下降時(shí),Q1的導(dǎo)通電阻增加,并按IMAX=VBEQ2/R1,即約為0.6V/1Ω來(lái)限制流入IC1的電流。
正如 LM317的應(yīng)用指南說(shuō)明所說(shuō),電阻器R5和R6設(shè)定IC1的輸出電壓。改變R1的阻值,就可以將電路的限制電流從數(shù)毫安調(diào)至 LM317 的最大承受電流。二極管D1和D2分別可預(yù)防電容性負(fù)載放電和極性接反。根據(jù)電路的要求,IC1和Q1可能需要使用散熱器。
評(píng)論