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高通AP擬整合Rx芯片 TI無(wú)線充電霸主地位蒙塵

作者: 時(shí)間:2013-10-15 來(lái)源:新電子 收藏

  德州儀器()晶片霸主地位正遭受應(yīng)用處理器廠商(AP)威脅。隨著高通(Qualcomm)先后宣布加入聯(lián)盟(WPC)與電力事業(yè)聯(lián)盟(PMA)后,該公司將接收器(Rx)整合至處理器的企圖心已愈來(lái)愈明顯,一旦相關(guān)產(chǎn)品推出,勢(shì)將對(duì)德州儀器在無(wú)線充電晶片的市占率造成不小沖擊。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/182128.htm

  致伸技術(shù)平臺(tái)資深經(jīng)理丘宏偉表示,未來(lái)處理器業(yè)者將接收器整合后,勢(shì)必將造成無(wú)線充電晶片市占率排名重新洗牌。

  致伸技術(shù)平臺(tái)資深經(jīng)理丘宏偉表示,從高通目前一次跨足三大無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)陣營(yíng)的動(dòng)作,即可看出該公司亟欲掌握每一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟的最新動(dòng)態(tài),藉此觀察不同標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的市場(chǎng)發(fā)展走向,以利未來(lái)該選擇何種標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行元件整合,并透過(guò)此一布局大舉揮軍無(wú)線充電市場(chǎng),同時(shí)爭(zhēng)食德州儀器無(wú)線充電接收器市場(chǎng)。

  據(jù)了解,現(xiàn)階段由于德州儀器的無(wú)線充電解決方案整合度較高,因此有近六成的市占率,其余四成則由飛思卡爾、IDT與日系晶片商分食,但未來(lái)若高通將接收器整合至應(yīng)用處理器后,則無(wú)線充電接收器市占率勢(shì)必將重新洗牌,而德州儀器的市場(chǎng)領(lǐng)先地位也將面臨極大的挑戰(zhàn)。

  事實(shí)上,無(wú)線充電接收器是由微控制器(MCU)、電源控制演算法與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)所組成,從技術(shù)角度而言,應(yīng)用處理器業(yè)者將接收器整合為系統(tǒng)單晶片(SoC)是可行方案,但仍有一些技術(shù)挑戰(zhàn)與風(fēng)險(xiǎn)存在。

  富達(dá)通無(wú)線充電事業(yè)部經(jīng)理詹其哲指出,無(wú)線充電晶片的峰值電壓最高為20V,遠(yuǎn)超過(guò)處理器可承受的范圍,因此處理器業(yè)者若沒(méi)有做好防護(hù)措施,當(dāng)突發(fā)性峰值出現(xiàn)時(shí),很可能會(huì)燒壞昂貴的應(yīng)用處理器,且MOSFET現(xiàn)階段也難以整合至全數(shù)位化的主晶片中,因此仍有其技術(shù)瓶頸存在。

  不過(guò),丘宏偉認(rèn)為,盡管無(wú)線充電電壓峰值過(guò)高對(duì)應(yīng)用處理器是潛在風(fēng)險(xiǎn),但隨著電源管理晶片(PMIC)的效能日益精進(jìn),將足以應(yīng)付低功率接收器的電壓防護(hù)需求,而MOSFET亦可外掛至主板上,所以相關(guān)技術(shù)問(wèn)題相信不久后即可迎刃而解。

  丘宏偉分析,未來(lái)接收器整合至應(yīng)用處理器將是必然趨勢(shì),而高通挾行動(dòng)裝置處理器高市占率的優(yōu)勢(shì),不僅可大幅降低接收器成本,且能加速無(wú)線充電市場(chǎng)滲透率擴(kuò)大,為一舉數(shù)得的市場(chǎng)策略。

  值得注意的是,不光是高通打算將無(wú)線充電接收器整合至應(yīng)用處理器,聯(lián)發(fā)科目前也正加緊研發(fā)相關(guān)解決方案,并積極參與三大標(biāo)準(zhǔn)組織的會(huì)議,期盼能搶先布局此一元件整合策略,讓中低價(jià)智慧型手機(jī)與平板電腦使用者也能以最低的成本擁有無(wú)線充電功能。

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