晶科電子兩項(xiàng)發(fā)明專利喜獲授權(quán)

　　近日，晶科電子兩項(xiàng)發(fā)明專利《一種具有集成電路的發(fā)光器件及其制造方法》和《一種發(fā)光二極管器件及其制造方法》成功獲得國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授權(quán)。

　　《一種具有集成電路的發(fā)光器件及其制造方法》，專利號(hào)：201010581643.1，該發(fā)明涉及一種具有集成電路的發(fā)光器件，包括LED芯片和襯底。該LED芯片具有P電極和N電極。該襯底上設(shè)置有集成電路、第一金屬電極、第二金屬電極層和電極層連接部。該集成電路設(shè)置在該襯底的下表面，該第一金屬電極層覆蓋在該襯底的上表面，該第二金屬電極層覆蓋在該襯底的下表面并與集成電路連接，該電極層連接部貫穿該襯底上表面和下表面連接該第一電極層和第二電極層。該LED芯片倒裝在該襯底上，LED芯片的P電極和N電極分別與該襯底上的第一金屬電極層連接。本發(fā)明的具有集成電路的發(fā)光器件可避免光電寄生效應(yīng)，具有較高穩(wěn)定性。

　　《一種發(fā)光二極管器件及其制造方法》，專利號(hào)：201110076468.5。一種發(fā)光二極管器件，包括至少一LED芯片和一電路板。該LED芯片具有一N極和一P極，在N極和P極的表面覆蓋一電極層，其中，該N極和P極表面的電極層的厚度相同。該電路板的上表面覆蓋一絕緣層，該絕緣層的上表面覆蓋一導(dǎo)電層，在該導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)該LED芯片的N極的區(qū)域的上表面設(shè)置有一金屬層，該金屬層的厚度為L(zhǎng)ED芯片的N極與P極之間的高度差。該LED芯片倒裝設(shè)置在該電路板的上表面，其中，該LED芯片的P極通過(guò)電極層與導(dǎo)電層連接，該LED芯片的N極通過(guò)電極層和金屬層與導(dǎo)電層連接。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光器件中的電路板上對(duì)應(yīng)該LED芯片的N極的區(qū)域上表面設(shè)置一金屬層，簡(jiǎn)化了LED芯片的設(shè)計(jì)及制作工藝，進(jìn)一步提高了LED芯片的性能。

　　兩項(xiàng)發(fā)明對(duì)于優(yōu)化芯片和封裝制作工藝具有重要意義，其應(yīng)用成果易系列基于倒裝焊接技術(shù)的無(wú)金線封裝產(chǎn)品近兩年在市場(chǎng)上得到廣泛應(yīng)用，其中采用易星(3535)產(chǎn)品的高速公路LED隧道照明項(xiàng)目獲全球照明工程展示100佳殊榮。截止至目前，晶科電子正在申請(qǐng)及已獲授權(quán)專利共有77項(xiàng)。