中芯國際推出差異化的0.13微米低功耗嵌入式工藝

　　中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)宣布，其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式閃存(eFlash)工藝已正式進入量產(chǎn)。該技術是中芯國際NVM非揮發(fā)性記憶體平臺的延續(xù)，為客戶提供了一個高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。

　　中芯國際的0.13微米嵌入式閃存技術平臺可為客戶提供以下優(yōu)勢：

　　強耐度：具備高達300K周期的優(yōu)秀的循環(huán)擦寫能力，達到業(yè)界標準的三倍;極具成本效益：制程創(chuàng)新，使用較少的工藝步驟;低漏電工藝適合極低功耗的應用并提升性能及可靠性：后段采用銅制程(Cu-BEoL)適合需要高電流密度的應用。

　　中芯國際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術擁有全面的IP，包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等，同時融合了該技術低功耗、 高性能和高可靠性的特點，可適用于具有低功耗需求的廣泛的微控制器(MCU)應用包括移動設備、智能卡等。此外，中芯國際預期將提供RF、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)方面的應用。

　　我們?yōu)榭蛻魧ξ覀?.13微米差異化的嵌入式閃存技術的快速接受和積極反響感到鼓舞。中芯國際市場營銷和銷售執(zhí)行副總裁麥克瑞庫表示，我們很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術在觸摸控制器(TCIC, Touch Controller IC)上的應用已進入量產(chǎn)。根據(jù)IHS-iSuppli市場調(diào)查顯示，觸摸控制器的全球需求量將從 2012年起實現(xiàn)21%的年復合增長率，2017年將達到約 27 億個單元。