聯(lián)發(fā)科技ISSCC論文入選再創(chuàng)新高 董事長(zhǎng)蔡明介將受邀發(fā)表專題演講

　　2013年 11月08日，全球無(wú)線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek Inc.) 宣布, 今年共有八篇論文獲「IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)」 (IEEE International Solid-State Circuit Conference，簡(jiǎn)稱ISSCC) 入選殊榮，此紀(jì)錄不僅為臺(tái)灣第一，更創(chuàng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高，再次證明聯(lián)發(fā)科技在前瞻技術(shù)研發(fā)方面的領(lǐng)先地位。為此，董事長(zhǎng)蔡明介先生將受邀于2014年ISSCC年度論壇發(fā)表專題演講。

　　聯(lián)發(fā)科技董事長(zhǎng)蔡明介將于ISSCC論壇上就「云端 2.0：移動(dòng)終端和通信之趨勢(shì)與挑戰(zhàn)」專題展開演講，內(nèi)容將專注于未來(lái)云端2.0時(shí)代半導(dǎo)體及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展。蔡明介先生表示： 「IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)是全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域論文發(fā)表的最高指標(biāo)，很榮幸能受邀發(fā)表專題演說(shuō)。聯(lián)發(fā)科技積極投入創(chuàng)新技術(shù)研發(fā)，并持續(xù)將臺(tái)灣的研發(fā)成果推上世界技術(shù)頂尖殿堂，此次多篇論文獲選，表示聯(lián)發(fā)科技推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)突破獲得肯定?！?/p>

　　聯(lián)發(fā)科技過(guò)去十年來(lái)已超過(guò)30余篇論文獲ISSCC入選，顯示聯(lián)發(fā)科技對(duì)于ISSCC和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)。而ISSCC委員會(huì)在過(guò)去一年中已接受八篇聯(lián)發(fā)科技發(fā)表的學(xué)術(shù)論文，其中一篇入選論文名為「28納米最佳低功耗高性能之異構(gòu)四核心CPU、雙核心GPU之應(yīng)用」，顯示聯(lián)發(fā)科技在異構(gòu)多任務(wù)處理(Heterogeneous Multi-Processing，簡(jiǎn)稱HMP)，中央處理器 (CPU)以及低熱能與低功耗技術(shù)獲得肯定。

　　聯(lián)發(fā)科技另外六篇獲得ISSCC入選發(fā)表的論文，分別名為「具數(shù)字穩(wěn)壓及自我溫度補(bǔ)償數(shù)字控制振蕩器之全數(shù)字鎖相回路」、「應(yīng)用于產(chǎn)生實(shí)時(shí)頻率的 1.89奈瓦/0.15伏自充電石英振蕩器」、「采用40納米CMOS技術(shù)并應(yīng)用于2G/3G分時(shí)多任務(wù)CDMA多頻段,無(wú)電感,無(wú)表面聲波濾波器的接收機(jī)」、「26.6 支持非對(duì)稱負(fù)載且適用于金線封裝與單面置鍵的2.667Gbps DDR3內(nèi)存界面」、「具有0.29mm2面積0.19psrms頻率噪聲和<-100dBc參考突波適用于802.11ac之40nm CMOS頻率合成器」、「基于110納米制程的包含一個(gè)三?？芍貥?gòu)鎖相回路和一個(gè)單通道PICC-PCD接收機(jī)的自校準(zhǔn)NFC系統(tǒng)單芯片」。

　　2014年ISSCC將于2月9日至2月13日在美國(guó)加州舊金山舉行。