2～4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計

摘要：利用pHEMT工藝設計了一個2～4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯(lián)增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管，電路采用二級級聯(lián)放大的結構形式，利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計，最終使得該LNA在2～4 GHz波段內增益大于20 dB，噪聲小于1．2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達到了設計指標的要求。
關鍵詞：低噪聲放大器；負反饋網絡；pHEMT；ADS仿真

微波低噪聲放大器作為現(xiàn)代電子通信系統(tǒng)中重要組成器件，對整個通信接收系統(tǒng)的接收靈敏度和噪聲性能起著決定性作用。隨著半導體技術和寬帶無線通信系統(tǒng)的發(fā)展，低噪聲放大器向著更低噪聲系數(shù)、更寬工作帶寬和更高輸出功率方向發(fā)展，并逐漸成為設計的熱點。因此，研究設計出高性能的低噪聲放大器具有十分重要的意義。由于高電子遷移率晶體管具有高頻率、低噪聲、大功率等一系列優(yōu)點，所以用pHEMT制作的多級低噪聲放大器已廣泛應用于衛(wèi)星接收系統(tǒng)、電子系統(tǒng)及雷達系統(tǒng)。

1 器件選擇
本文選擇標準元器件庫中pHEMT晶體管、電阻、電容和微帶線等無源元件作為設計的參數(shù)模型進行電路設計。由于電路增益要求大于20 dB，單級pHEMT功率增益在10 dB左右，考慮到工作頻率很高，如匹配不當會造成級間損耗比較嚴重，所以采用二級放大。由于寬帶設計，所以重點對這一頻段的電路結構和參數(shù)進行設計和優(yōu)化。
寬帶放大器的實現(xiàn)方案有多種，如反饋式、分布式、有耗匹配式、平衡式以及近年來出現(xiàn)的級聯(lián)分布式(CSSDA)寬帶放大器等。各種方案有不同的優(yōu)缺點及其應用場合，因為反觸同時獲得較寬工作帶寬和較好的輸入輸出駐波比，所以饋式寬帶放大器應用較多。但是對于低噪聲放大器的設計而言，阻性反饋網絡的引入會使噪聲系數(shù)惡化。由于級聯(lián)系統(tǒng)的噪聲系數(shù)主要由第一級放大鏈路決定，后級的噪聲系數(shù)對系統(tǒng)的噪聲性能影響相對較小?？紤]到低噪聲的設計，設計的兩級級聯(lián)放大器中第一級按照最小噪聲系數(shù)的原則進行設計，實現(xiàn)拓展低噪聲放大器的工作頻帶；第二級中引入漏極到柵極的負反饋網絡，從而使得在整個工作頻段內增益較平坦。

式(2)是二端口放大器的噪聲系數(shù)的表達式，其中Ys=Gs+jBs表示呈現(xiàn)在晶體管處的源導納，Yopt表示得出最小噪聲系數(shù)的最佳源導納，NFmin表示當YS=Yopt時獲得的晶體管的最小噪聲系數(shù)，RN表示晶體管的等效噪聲電阻，Gs表示源導納的實部。由式(2)可知，若選擇具有較小的RN值的晶體管，在Ys≠Yopt的條件下，電路整體能夠獲得相對較小的噪聲系數(shù)。ATF-54143在VDS=3 V，IDS=40 mA的偏置狀態(tài)下，其在2～4 GHz的頻率范圍內，可獲得較低的噪聲系數(shù)和輸入駐波比。
另外考慮到本設計放大器的增益指標要求達到20 dB，所以電路要采用兩級放大器來實現(xiàn)。

2 直流偏置以及電路設計
放大器的直流偏置網絡決定了晶體管的工作狀態(tài)，而且對匹配電路的結構有很大影響，需要在電路設計之初就認真考慮。對pHEMT放大器，一種比較常見的偏置方法是：給pHEMT漏級加一個正電壓，即采取單電源供電方式。本文采用的是圖1所示自偏置結構，柵極通過微帶線接地，源極接電阻R以獲得高于柵極的電位。該結構的優(yōu)點是采用單電源供電，使電路在使用中更為簡便。電路要求電源電壓為3．6 V，通過適當選擇源極電阻R，令源極電位為0．6 V左右。

根據(jù)噪聲理論，放大器的噪聲系數(shù)主要由第一級放大器的噪聲系數(shù)決定，設計第一級放大器的輸入匹配網絡通常采用最小噪聲系數(shù)原則。在設計在級間匹配網絡時，要使前級輸入阻抗與后級輸出阻抗匹配，同時后級晶體管獲得較大的增益和較低的噪聲系數(shù)。綜合考慮為了獲得較好匹配，通常采用多節(jié)微帶線匹配。輸出匹配電路設計主要考慮增益和駐波比，把微波管復數(shù)輸出阻抗匹配到負載實數(shù)阻抗。優(yōu)化設計根據(jù)此理論，可以實現(xiàn)很小的噪聲系數(shù)同時兼顧增益。