基于DGS結構的超寬帶高通濾波器設計
0 引言
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/185636.htm在微波集成電路中,為了抑制低頻雜散,通常要使用小型化的高通濾波器,對于微波集成電路來說,微波高通濾波器一般有兩大類設計方法,第一類是用集中或半集中的元件實現(xiàn),高通濾波器的衰減特性由相應的低通原型的衰減特性經過適當?shù)淖儞Q得出。經過變換之后,低通原型電路就成為由串聯(lián)電容和并聯(lián)電感構成的集中元件高通濾波器。在微波集成電路中,可以用交指電容器或薄膜電容器去實現(xiàn)集中串聯(lián)的電容,用并聯(lián)的短路短截線或平面螺旋電感去實現(xiàn)集中的并聯(lián)電感,它的優(yōu)點是結構簡單,尺寸較小。但是,在集中參數(shù)電路中,這些電感必須靠得很近,這就不可避免地要產生雜散耦合,因此集中元件的高通濾波器很難在微波集成電路中實現(xiàn)。構成高通濾波器的第二類方法是用分布參數(shù)來實現(xiàn),由于傳輸線所固有的多重諧振特性,它必然存在寄生通頻帶,并只能構成帶通特性。這種方法實質上是用寬帶帶通濾波器去充任高通濾波器,即贗高通濾波器。但是對于超寬帶的高通濾波器,這種方法一般結構比較復雜,對工藝要求很高。
本文主要針對第二類方法,利用DGS結構來設計結構簡單,尺寸較小的超寬帶微波高通濾波器。
1 DGS結構簡介
1987年Yablonovitch E和John S提出周期光子帶隙結構(即PBG)。它在接地板上腐蝕出由一定幾何圖形的單元組成的周期性陣列結構,用以改變襯底的有效介電常數(shù)分布,從而改變了傳輸線的分布參數(shù)模型,在一定頻段內傳播模式也隨之改變,從而具有帶隙特性。PBG開創(chuàng)了在介質板表面和接地板上同時兼顧的設計概念,合理地開發(fā)接地板,極大提高了設計靈活性。但是,由于PBG結構模型較復雜,參數(shù)也較繁雜,所以在實踐應用上受到了一定限制。
1999年,韓國學者Jong-Im Park,Chul-Soo Kim等人提出一種啞鈴型缺陷地面結構(即DGS),如圖1所示,LC電路如圖2所示。
它主要也是在微帶,共面波導等傳輸線的接地板上腐蝕出具有一定幾何圖形的單元,但DGS可以是周期或非周期的,即一個DGS單元就可以在某頻點上諧振,具有較好的帶隙特性,且等效電路提取也相對容易。
正是由于DGS具有許多獨特的性能,例如單極點低通特性,慢波效應,具有較高特征阻抗等,使得對DGS的研究成為微波電路設計中一個新的研究熱點。近年來對DGS結構的研究層出不窮,在應用方面主要是設計簡單小型化的濾波器,加入DGS改善器件的電器性能,提高天線性能,抑制諧波,減小電路尺寸等。
2 DGS結構對耦合線的影響
兩根微帶線相互隔開距離D,平行排列構成耦合微帶雙線。為簡化問題,令兩條微帶線具有相同參量,具有相同的長度L,寬度W。如圖3所示。
由于在1,4端口上的任意一對輸入電壓U1,U3總可以分解為偶對稱激勵和奇對稱激勵,使U1等于兩分量之和,U3等于兩分量之差。將耦合微帶線分成奇模和偶模的工作狀態(tài)后,再分別求得奇偶模參量及它們與耦合參量間的關系。
從定向耦合器的角度來看,2端口為直通端口,3端口為耦合輸出,4端口為隔離端口。
關于耦合線理論本文不再贅述,這里僅就耦合的方向性給出定性的解釋,如圖4所示。當導線1,2中有交變電流i1流過時,3,4線存在耦合過來的能量,此能量既通過電場(以耦合電容表示)又通過磁場(以耦合電感表示)耦合過來。通過Cm的耦合,在傳輸線3,4中引起的電流為ic3,及ic4同時由于i1的交變磁場的作用,在3,4上感應有電流iL。根據(jù)電磁感應定律,感應電流iL的方向與i1的方向相反。若能量由1端口輸入,ic3與iL方向相同,所以3端口為耦合輸出。在4端口因為電耦合電流iC4與磁耦合電流iL的作用相反而能量互相抵消,即4端口為隔離端口。
對于均勻介質傳輸TEM波而言,奇模,偶模相速相等,而對于介質非均勻的實際微帶線情況,由于介質基片對奇偶模的電場分布具有不同的影響,使奇偶模兩種情況的有效介電常數(shù)或相速不等,嚴格地說,不能搬用由均勻介質情況推出的結論,但是在工程實際中,在有效介電常數(shù)取兩者平均值后,仍可近似地采用均勻介質的有關結論。
利用三維電磁仿真軟件Ansoft HFSS建立耦合雙線模型,如圖5所示。其中,D=1 mm,W=1 mm,L=20 mm,基板h=0.254 mm,εr=2.2。
其S參數(shù)仿真結果如圖6所示。
當間隔距離D=1mm時,3端口的耦合輸出在DC~15 GHz范圍內不大于-20 dB。要增加兩條微帶線的耦合度,一般要求減小間隔距離D。但是要達到緊耦合,對加工工藝的要求將會非常高。
在耦合微帶線下方加載DGS結構,通過改變耦合微帶線介質的有效介電常數(shù)的分布,從而在微帶下方缺陷地面的“槽”將能量耦合過去。加DGS結構的耦合雙線如圖7所示,HFSS模型如圖8所示。
其S13與S14參數(shù)仿真結果如圖9,圖10所示。
評論