地彈大小的測(cè)量方法

讓我們通過(guò)一個(gè)具體例子來(lái)看看地彈脈沖到底會(huì)有多大。

例：地彈的測(cè)量

為了這一測(cè)量我們將使用一個(gè)四觸發(fā)器，通過(guò)配置，使它輸出中的3個(gè)處于觸發(fā)狀態(tài)，而第4個(gè)輸出固定保持為零。我們可以使3個(gè)有交輸出中的任何一個(gè)都能夠通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到20PF的負(fù)載。這個(gè)實(shí)驗(yàn)配置能分別顯示出無(wú)負(fù)載和重負(fù)載的情況下的地彈。

因?yàn)榉怯|發(fā)的第4個(gè)輸出保持在邏輯LO狀態(tài)，適合作為探測(cè)芯片內(nèi)部的窗口，我們可以通過(guò)它測(cè)量?jī)?nèi)部的地電壓。

圖2.18描繪了這種結(jié)構(gòu)。時(shí)鐘和異步復(fù)位線交替地位置和復(fù)位三個(gè)有效輸出，對(duì)于這個(gè)實(shí)驗(yàn)，我們使用74HC174觸發(fā)器。

通過(guò)連接所有的3個(gè)負(fù)載，可以得到圖2.19的波形。當(dāng)Q輸出跳變?yōu)镠I。對(duì)于這個(gè)實(shí)驗(yàn)，我們使用74HC174觸發(fā)器。

通過(guò)連接所有的3個(gè)負(fù)載，可以得到圖2.19的波形，當(dāng)Q輸出跳變?yōu)镠I，跳變電流流入器件內(nèi)部，相應(yīng)地出現(xiàn)一個(gè)小VGND電剌。當(dāng)Q輸出跳變?yōu)長(zhǎng)O，出現(xiàn)了大的地彈脈沖。在本例中，大約有150MV

一個(gè)僅有150MV的脈沖看起來(lái)可能不是很大，但是要考慮到以下的因素：

1、HCT邏輯系列的低電平容限只有470MV。

2、如果有8個(gè)輸出同時(shí)跳變，脈沖將會(huì)增大至8/3倍。

地彈減少了用于補(bǔ)償其他噪聲及信號(hào)失真影響的有效剩余噪聲容限。

用同樣的測(cè)量方法在74F174觸發(fā)器上得到的結(jié)果是400MV的地彈。