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電阻抗成像系統(tǒng)中電壓控制電流源的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2012-06-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

測試得出輸出阻抗如圖7所示。
由圖8可以看出,改進(jìn)的Howland電路在500kHz以下時(shí)有著大于100 kΩ的輸出阻抗。但頻率提高以后,電路的輸出端與接地之間的分布電容所帶來的等效阻抗不斷降低,使得電路輸出阻抗降低。一個改進(jìn)的辦法是并聯(lián)通用阻抗轉(zhuǎn)換器(GIC)以提高電路性能。
GIC的結(jié)構(gòu)圖如圖8所示。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/186291.htm

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GIC等效于一個負(fù)電阻與一個電感并聯(lián),GIC的等效電路圖如圖9所示。
VCCS并聯(lián)GIC以后,VCCS的輸出阻抗為
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通過調(diào)節(jié)-RG的大小,REQ可以接近于無窮大。
同時(shí)VCCS輸出端的分布電容可以被GIC的等效電感部分抵消??墒沟肰CCS在高頻時(shí)依然擁有較高的性能。使用Pspice10.5進(jìn)行仿真,可仿真得VCCS并聯(lián)GIC后的輸出阻抗。

n.jpg


測量得VCCS的輸出阻抗以及并聯(lián)GIC后的輸出阻抗對比圖如圖11所示。

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5 結(jié)論
本文分析了層析中對的要求,通過分析比較已有的,選擇改進(jìn)的Howland電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明基于AD8610的改進(jìn)的Howland電路輸出電流幅值誤差小于0.5%,在500 KHz以下頻率時(shí)輸出阻抗大于100 kΩ,表現(xiàn)出了不錯的性能。但由于此電路的輸出阻抗不能滿足醫(yī)用EIT系統(tǒng)1 MHz的頻率要求,本文提出了改進(jìn)思路?;赑spice10.5仿真的結(jié)果,當(dāng)改進(jìn)的
Howland電路并聯(lián)GIC以后可以得到1 MHz頻率范圍內(nèi)高于1 MΩ的輸出阻抗,能很好的滿足醫(yī)用EIT系統(tǒng)的需要,同時(shí)并不影響線性度。
實(shí)際構(gòu)造GIC電路來提高VCCS電路性能時(shí),應(yīng)采用高性能的運(yùn)算放大器,并采用高精度的電容以及可調(diào)電阻。再將VCCS電路與GIC電路的輸出端并聯(lián)在一起共同調(diào)試??上日{(diào)試得最優(yōu)的低頻輸出阻抗,再調(diào)整得最優(yōu)的相對接地電容,重復(fù)直至性能無法更優(yōu)。


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