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IPM自舉電路設(shè)計難題探討

作者: 時間:2011-10-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

實現(xiàn)自舉有兩個關(guān)鍵問題:一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后,當(dāng)下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通,而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間,電容會放電,因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動能力。如果以上兩個問題未能處理好,將導(dǎo)致即使PWM波形正常,也不能工作,因為自舉電壓不足以驅(qū)動上臂導(dǎo)通。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/187234.htm

  本文介紹了的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和原理,并重點研究了自舉電容初始充電問題,通過在控制程序中執(zhí)行簡單的初始充電語句,很好地解決了上述關(guān)鍵問題,并在項目中取得良好的充電效果。

  1 模塊
本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和原理

  電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。

  基于電容儲能的電壓通常是利用電容對電荷的存儲作用來實現(xiàn)電荷的轉(zhuǎn)移,從而實現(xiàn)電壓的提升。電壓自舉電路利用電荷轉(zhuǎn)移的方式進行工作,通過存儲電容,把電荷從輸入轉(zhuǎn)移到輸出,提供負(fù)載所需要的電流。圖1給出了雙倍壓電壓自舉電路的基本原理。

  

雙倍壓電壓自舉電路

  假設(shè)所有開關(guān)均為理想開關(guān),電容為理想電容。當(dāng)開關(guān)S1和S3閉合時,電源VCC給電容C充電使其電壓達(dá)到VCC。然后開關(guān)S1和S3斷開,S2閉合,直接接到電容C的低壓端,此時電容C上仍然保持有前一個相位存儲的電荷VCC×C。由于在S2閉合時,電容C上的電荷量不能突變,因此有:(V0-VCC)×C=VCC×C,即V0=2VCC。

  在沒有直流負(fù)載的情況下,通過圖1所示的電路,在理想情況下,輸出可達(dá)到輸入電壓的兩倍。

  2 自舉電路設(shè)計中的關(guān)鍵問題研究

  本項目的IPM型號選用IGCM20F60GA[2]。圖2是IPM自舉電路原理圖。由圖2可知,自舉元件一端接電路的輸入部分,另一端接到同相位的輸出電路部分,借輸入、輸出的同相變化,把自己抬舉起來,即自舉元件引入的是正極性的反饋。

  

自舉電路

  對原理圖中第一路自舉電路進行分析[3-4]。IPM模塊自舉電路僅由自舉電阻R62、自舉二極管D9和自舉電容E1組成,因此簡單可靠。其電路基本工作過程為:當(dāng)VS因為下橋臂功率器件導(dǎo)通被拉低到接近地電位GND時,控制電源VCC會通過R62和D9給自舉電容E1充電。當(dāng)上橋臂導(dǎo)通,VS上升到直流母線電壓后,自舉二極管D9反向截止,從而將直流母線電壓與VCC隔離,以防止直流母線側(cè)的高壓串到控制電源低壓側(cè)而燒壞元器件。此時E1放電,給上橋臂功率器件的門極提供驅(qū)動電壓。當(dāng)VS再次被拉低時,E1將再次通過VCC充電以補充上橋臂導(dǎo)通期間E1上損失的電壓。這種自舉供電方式就是利用VS端的電平在高低電平之間不停地擺動來實現(xiàn)的。如圖2所示,自舉電路給E1充電,E1的電壓基于上橋臂輸出晶體管源極電壓上下浮動。

  由于運行過程中反復(fù)地對自舉電容進行充放電,因此必須選擇適當(dāng)?shù)膮?shù),保證自舉電容上的電壓在電機運行時保持高于欠壓鎖定電平。

  由上述分析可知,要保證E1的跌落電壓能夠得到及時、完全的補充,自舉電路對下橋臂最小導(dǎo)通時間有一定的要求。但是若能正確選擇各元器件參數(shù),自舉電路對下橋臂最小導(dǎo)通時間的限制將會大大降低。

  2.1 自舉電容E1的選擇

  自舉電容E1需要根據(jù)自舉電容所能得到的最低充電電壓來選擇。實際應(yīng)用中可以應(yīng)用以下簡化公式來初步計算E1:

  

  式中,ΔVBS為自舉電路在上橋臂功率器件導(dǎo)通時所允許的最大電壓降,VF為自舉二極管正向壓降,VBSmin為所要求的最低上橋臂驅(qū)動電壓,VBSUV為上橋臂控制電壓的欠壓保護值,Vsat為下橋臂功率器件的飽和壓降,THON為上橋臂的最大導(dǎo)通時間,ILeak為IPM模塊規(guī)格書中所提供的上橋臂功率器件驅(qū)動所需的最大額定電流值。這樣只要選定ΔVBS即可快速計算出E1。但是考慮到各元器件參數(shù)的分布性和應(yīng)用電路的可靠性,實際使用的E1應(yīng)當(dāng)選擇為計算值的2~3倍。本項目選擇的是47 μF/25 V的電解電容。

  2.2 自舉電阻R62的選擇

  自舉電阻R62的作用是限制dVBS/dt。為了保證自舉電容能夠在下橋臂最小導(dǎo)通時間充電ΔVBS,所以:

  

  式中,TLON為下橋臂的最小導(dǎo)通時間。本項目中自舉電阻R62取22 Ω。

  2.3 自舉二極管D9的選擇

  因為自舉二極管起到隔離直流母線高壓和控制電源低壓的作用,必須阻斷直流干線上的高壓,才能保護IC器件不受損壞, 所以選擇D9時應(yīng)當(dāng)重點考慮二極管耐壓、反向截止時間和正向?qū)妷航祹讉€參數(shù)。二極管承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失,應(yīng)選擇耐高壓的反向漏電流小的超快恢復(fù)二極管。本項目選用的自舉二極管型號為BYV36C。


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