深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

　　以IPD90N06S4-04為例，計(jì)算出的結(jié)果等于169A。為何在數(shù)據(jù)表上只標(biāo)注90A呢？這是因?yàn)樽畲蟮碾娏魇芟抻诜庋b腳位與焊線直徑，在數(shù)據(jù)表的注釋1）中可以看到詳細(xì)的解釋。如下表所示：

　　此外，數(shù)據(jù)表中還給出了ID和結(jié)溫之間的曲線關(guān)系。從下表中可以看出，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí), ID會(huì)隨著溫度而變化。在最差的情況下,需要考慮在最大環(huán)境溫度下的ID的電流仍然滿足電路設(shè)計(jì)的正常電流的要求。

Rthjc：溫阻是對(duì)設(shè)計(jì)者需要非常關(guān)注的設(shè)計(jì)參數(shù)，特別是當(dāng)需要計(jì)算功率MOSFET在單脈沖和不同占空比時(shí)的功率損耗時(shí)，就需要查看這個(gè)數(shù)據(jù)表來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)估算。筆者將在如何用數(shù)據(jù)表來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)估算中來(lái)具體解釋。

　　SOA：功率MOSFET的過(guò)載能力較低，為了保證器件安全工作，具有較高的穩(wěn)定性和較長(zhǎng)的壽命，對(duì)器件承受的電流、電壓、和功率有一定的限制。把這種限制用Uds-Id坐標(biāo)平面表示，便構(gòu)成功率MOSFET的安全工作區(qū) （Safe OperaTIng Area，縮稱(chēng)SOA）。同一種器件，其SOA的大小與偏置電壓、冷卻條件、和開(kāi)關(guān)方式等都有關(guān)系。如果要細(xì)分SOA，還有二種分法。按柵極偏置分為正偏置SOA和反偏置SOA；按信號(hào)占空比來(lái)分為直流SOA、單脈沖SOA、和重復(fù)脈沖SOA。

　　功率MOSFET在開(kāi)通過(guò)程及穩(wěn)定導(dǎo)通時(shí)必須保持柵極的正確偏置，正偏置SOA是器件處于通態(tài)下容許的工作范圍；相反，當(dāng)關(guān)斷器件時(shí)，為了提高關(guān)斷速度和可靠性，需要使柵極處于反偏置，所以反偏置SOA是器件關(guān)斷時(shí)容許的工作范圍。

　　直流SOA相當(dāng)于占空比－>1是的工作條件；單脈沖SOA則對(duì)應(yīng)于占空比－> 0時(shí)的工作條件；重復(fù)脈沖SOA對(duì)應(yīng)于占空比在0 D 1時(shí)的工作條件。從數(shù)據(jù)表上可以看出：?jiǎn)蚊}沖SOA最大，重復(fù)脈沖SOA次之，直流SOA最窄。