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IR2132驅(qū)動(dòng)器及其在三相逆變器中的應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2010-09-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

0 引言
逆變器已廣泛用于交流電氣傳動(dòng)、UPS等許多技術(shù)領(lǐng)域中,其主電路開(kāi)關(guān)器件常采用IGBT或MOSF、ET等全控型器件,該類(lèi)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作需要靠獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn),并要求驅(qū)動(dòng)電路的供電電源彼此隔離(如單相橋式逆變主電路需3組獨(dú)立電源,三相橋式逆變主電路需4組獨(dú)立電源),這無(wú)疑增加輔助電源的設(shè)計(jì)困難和成本,同時(shí)也使驅(qū)動(dòng)電路變得復(fù)雜,降低了逆變器的可靠性。采用如EXB840等專(zhuān)用厚膜集成驅(qū)動(dòng)電路芯片雖然可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),但每個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片仍需要一個(gè)隔離的供電電源,且每個(gè)芯片僅可驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件,應(yīng)用仍有不便。而美國(guó)國(guó)際整流器公司生產(chǎn)的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片只需1個(gè)供電電源即可驅(qū)動(dòng)三相橋式逆變電路的6個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件,可以使整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路變得簡(jiǎn)單可靠。

1 驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)
可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在母線(xiàn)電壓不高于600 V的電路中的功率MOS門(mén)器件,其可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250 mA,而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500 mA。它內(nèi)部設(shè)計(jì)有過(guò)流、過(guò)壓及欠壓保護(hù)、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò),使用戶(hù)可方便地用來(lái)保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的MOS門(mén)功率管,加之內(nèi)部自舉技術(shù)的巧妙運(yùn)用使其可以用于高壓系統(tǒng),它還可以對(duì)同一橋臂上下兩個(gè)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生O.8μs互鎖延時(shí)時(shí)間。它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3~20 V),在它的內(nèi)部還設(shè)計(jì)有與被驅(qū)動(dòng)的功率器件所通過(guò)的電流成線(xiàn)性關(guān)系的電流放大器,電路設(shè)計(jì)還保證了內(nèi)部的3個(gè)通道的高壓側(cè)和低壓側(cè)可單獨(dú)使用,亦可只用其內(nèi)部的3個(gè)低壓側(cè),并且輸入信號(hào)與TTL及CMOS電平兼容。IR2132管腳如圖1所示。VBl~VB3是懸浮電源接地端,通過(guò)自舉電容為3個(gè)上橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)部懸浮電源,VSl~VS3是其對(duì)應(yīng)的懸浮電源地端。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/187785.htm


HINl~HIN3,LINl~LIN3是逆變器上橋臂和下橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端,低電平有效。
ITRIP是過(guò)流信號(hào)檢測(cè)輸入端,可通過(guò)輸入電流信號(hào)來(lái)完成過(guò)流或直通保護(hù)。
CA一,CA0,VSO是內(nèi)部放大器的反相端、輸出端和同相端,可用來(lái)完成電流信號(hào)檢測(cè)。
H01~H03,L01~L03是逆變器上下橋臂功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。
FAULT是過(guò)流、直通短路、過(guò)壓、欠壓保護(hù)輸出端,該端提供一個(gè)故障保護(hù)的指示信號(hào)。它在芯片內(nèi)部是漏極開(kāi)路輸出端,低電平有效。
VCC,VSS是芯片供電電源連接端,VCC接正電源,而VSS接電源地。

2 IR2132內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其工作原理
IR2132的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示,它的內(nèi)部集成有1個(gè)電流比較器(Current Comparator)、1個(gè)電流放大器(Current Amp)、1個(gè)自身工作電源欠電壓檢測(cè)器(Under Voltage Detector)、1個(gè)故障處理單元(Fault Logic)及1個(gè)清除封鎖邏輯單元(Clear Logic)。除上述外,它內(nèi)部還集成有3個(gè)輸入信號(hào)處理器(Input Signal Generator)、2個(gè)脈沖處理和電平移位器(Pulse Generator Level Shifter)、3個(gè)上橋臂側(cè)功率管驅(qū)動(dòng)信號(hào)鎖存器(Latch)、3個(gè)上橋臂側(cè)功率管驅(qū)動(dòng)信號(hào)與欠壓檢測(cè)器(Under Voltage Detector)及6個(gè)低輸出阻抗MOS功率管驅(qū)動(dòng)器(Driver)和1個(gè)或門(mén)電路。

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