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超高頻無源電子標簽芯片的模擬電路設計

作者: 時間:2010-04-02 來源:網(wǎng)絡 收藏
無線射頻識別(RFID)是一種利用射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)信息的技術(shù)?;镜腞FID系統(tǒng)由電子標簽、閱讀器及應用支撐軟件等幾部分組成。

電子標簽內(nèi)存有一定格式的電子數(shù)據(jù),常以此作為待識別物品的標識性信息。應用中將電子標簽附著在待識別物品上,作為待識別物品的電子標記。閱讀器與電子標簽可按約定的通信協(xié)議互傳信息,通常的情況是由閱讀器向電子標簽發(fā)送命令,電子標簽根據(jù)收到的閱讀器的命令,將內(nèi)存的標識性數(shù)據(jù)回傳給閱讀器。這種通信是在無接觸方式下,利用交變磁場或電磁場的空間耦合及射頻信號調(diào)制與解調(diào)技術(shù)實現(xiàn)的。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/188286.htm

電子標簽通常由標簽天線(或線圈)和組成。電子即相當于一個具有無線收發(fā)功能再加存貯功能的單片系統(tǒng)(SoC)。從純技術(shù)的角度來說,射頻識別技術(shù)的核心在電子標簽,閱讀器是根據(jù)電子標簽的設計而設計的。

電子標簽依據(jù)發(fā)送射頻信號的方式不同,分為主動式和被動式兩種。主動式標簽主動向閱讀器發(fā)送射頻信號,通常由內(nèi)置電池供電,又稱為有源電子標簽;被動式標簽不帶電池,又稱為標簽,其發(fā)射電波及內(nèi)部處理器運行所需能量均來自閱讀器產(chǎn)生的電磁波。標簽在接收到閱讀器發(fā)出的電磁波信號后,將部分電磁能量轉(zhuǎn)化為供自己工作的能量。

一般來說,有源電子標簽具有更遠的通信距離,但其價格相對較高,主要應用于貴重物品遠距離檢測等應用領域。標簽具有價格低的優(yōu)勢,盡管其工作距離和存儲容量受到能量的限制,但有巨大的市場潛力,是目前業(yè)界研發(fā)的熱點。

無源電子主要包括3個部分:模擬電路、數(shù)字控制和電可擦除可編程只讀存儲器(E2PROM)模塊。其中,模擬電路模塊又包括電源產(chǎn)生電路、調(diào)制解調(diào)電路等。

1 無源電子標簽芯片模擬電路的設計要求
(UHF)無源電子標簽芯片是基于ISO/IEC 18000-6C標準而設計的[1],ISO/IEC 18000-6C標準是繼ISO/IEC 18000-6A、ISO/IEC 18000-6B標準之后的新標準,它對前兩種標準的協(xié)議特點進行了一系列有效的修正與擴充。其中物理層數(shù)據(jù)編碼、調(diào)制方式、防碰撞算法等一些關(guān)鍵技術(shù)有了改進,使得ISO/IEC
18000-6C的性能比ISO/IEC 18000-6A、ISO/IEC 18000-6B有了很大的提高。

在標簽設計時,標簽芯片的模擬電路部分必須要與標準中規(guī)定的空中接口參數(shù)相一致,其主要參數(shù)規(guī)格如表1所示。


表1中的參數(shù)主要是按照ISO/IEC 18000-6C標準選擇,其中標簽射頻輸入功率的計算過程如下。

由電磁場理論可知標簽天線處的電磁場能量密度:S =P /Ae =P /[λ2/(4π)]=4πP /λ2=1/2?E 2/η,其中S是標簽天線處的電磁場能量密度,P是標簽天線接收到的能量,Ae是標簽天線的等效接收面積,λ是閱讀器發(fā)射電磁波的波長,E是標簽天線處的電場強度,η是空氣的波阻抗。
進而推導出標簽天線處的電場強度為:

當采用半波對稱陣子當作標簽天線時,每個陣子長度為λ/4,所以標簽天線上的感應電壓為:U =E?d =,其中d為單個陣子的長度。

由電荷泵電路可知,電荷泵輸入端的電壓必須大于等于0.8 V時才能開啟整個電荷泵電路進行充電。因此U≥0.8 V,也即:≥0.8,把空氣的波阻抗η=120?π帶入可求得P≥1.1 mW。也即射頻輸入功率至少為1.1 mW才能使標簽正常工作。

2
無源電子標簽芯片的模擬電路部分主要分為調(diào)制電路、解調(diào)電路和電源產(chǎn)生電路3個部分,除此之外還有上電復位電路等,如圖1所示。



調(diào)制電路對基帶數(shù)據(jù)進行射頻調(diào)制,設計中主要采用逆向散射調(diào)制,即用數(shù)據(jù)比特流調(diào)制標簽天線的輸入阻抗來改變反射回閱讀器信號的幅度,從而實現(xiàn)類似于幅度調(diào)制(AM)的逆向散射調(diào)制。解調(diào)電路完成對閱讀器發(fā)射來的命令信息進行解調(diào),電源產(chǎn)生電路必須能夠為芯片中的電路提供穩(wěn)定充足的電能,在設計中采用電荷泵作為電源產(chǎn)生電路。此電路相對較為復雜,是整個芯片模擬電路部分最為關(guān)鍵的部分。
2.1 調(diào)制電路
標簽芯片是基于ISO/IEC 18000-6C標準設計的,因而標簽芯片中的調(diào)制電路采用逆向散射調(diào)制來實現(xiàn)FM0/Miller+ASK調(diào)制,也就是用數(shù)據(jù)比特流調(diào)制標簽天線的輸入阻抗來改變反射回閱讀器信號的幅度,從而實現(xiàn)類似于AM調(diào)制的逆向散射調(diào)制,如圖2所示。



此標簽芯片逆向散射調(diào)制電路采用消除了襯底調(diào)制效應的互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關(guān)電路來實現(xiàn),用數(shù)字電路送過來的數(shù)據(jù)比特來控制CMOS開關(guān)的開與關(guān),也即改變單溝道CMOS開關(guān)的輸入阻抗,由于CMOS開關(guān)是并聯(lián)在天線兩端的,因而就改變了天線的輸入阻抗,實現(xiàn)了逆向散射調(diào)制的功能。


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