英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo) 

英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門(mén)極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機(jī)的電源產(chǎn)品，為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功耗的需求，需要更高的能源效率。比如，在美國(guó)，電源將110V標(biāo)準(zhǔn)交流電壓轉(zhuǎn)換成電子設(shè)備子系統(tǒng)所需的直流電，大約需要消耗6%的電能。在工作模式下，約有10%至20%的電能以熱能形式被浪費(fèi)。     

作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先廠商，（IMS Research市場(chǎng)研究公司，2006年9月），英飛凌設(shè)計(jì)出了專門(mén)用于提高低壓電源轉(zhuǎn)換器性能的OptiMOS3產(chǎn)品家族。該產(chǎn)品家族與前一代產(chǎn)品相比，通?？墒鼓茉葱侍岣?%至1.3%。這種提升幅度看似不大，但從技術(shù)的角度講是很難實(shí)現(xiàn)的，它可以實(shí)現(xiàn)很大的節(jié)能量。如果全球1,200W服務(wù)器供電系統(tǒng)的能效都提高1%，全年即可節(jié)省約360兆瓦的電量，相當(dāng)于一個(gè)傳統(tǒng)發(fā)電廠的發(fā)電量。

“OptiMOS3產(chǎn)品家族不僅能幫助電源設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)未來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功率要求，而且有助于節(jié)能?！庇w凌公司電源管理和供應(yīng)業(yè)務(wù)部高級(jí)主管Andreas Urschitz指出，“能效提升，開(kāi)關(guān)特性改善，功率密度更高，可靠性更強(qiáng)，這些不僅可以提高電源解決方案的性能和能效，還可以降低成本。”

借助OptiMOS3的出色特性，電源制造商只需利用較少的器件，即可獲得理想性能，使直流/直流轉(zhuǎn)換器通常所需的MOSFET數(shù)量降低33%。英飛凌還為該器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封裝，這將使轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所需的MOSFET板載空間減小60%。

除了可開(kāi)發(fā)小型直流/直流轉(zhuǎn)換器之外，OptiMOS3器件還可用于提高給定標(biāo)準(zhǔn)尺寸的電源的輸出功率。此外，OptiMOS3還可延長(zhǎng)筆記本電池的使用壽命，降低服務(wù)器和電信系統(tǒng)的能耗。

利用N溝道OptiMOS3工藝制造的器件具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻（RDS（ON））、超低的門(mén)電荷以及其它使器件具備獨(dú)特性能的特性。例如采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 功率MOSFET最大額定導(dǎo)通電阻僅為1.6mΩ（毫歐），比最接近的同類器件約低30%。低導(dǎo)通電阻最大程度地減少了傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功率消耗，提高了功率密度。

較低的門(mén)極電荷使得OptiMOS 3器件易于驅(qū)動(dòng)，因此可以使用成本較低的驅(qū)動(dòng)器。此外，優(yōu)值系數(shù)（FOM）的提高使得驅(qū)動(dòng)器的負(fù)荷降低30%，大大降低了驅(qū)動(dòng)器工作溫度，在400kHZ開(kāi)關(guān)頻率條件下，與最出色的同類產(chǎn)品相比，降幅約達(dá)10攝氏度，從而降低了熱能消耗。

與業(yè)界領(lǐng)先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了重大改進(jìn)，包括導(dǎo)通電阻降低30%，優(yōu)值系數(shù)提高30%，同時(shí)與OptiMOS 2相比封裝（S308）尺寸減小了60%的情況下仍然可以提供類似的性能。